Mixing of fermion fields of opposite parities and baryon resonances

We consider a loop mixing of two fermion fields of opposite parities whereas the parity is conserved in a Lagrangian. Such kind of mixing is specific for fermions and has no analogy in boson case. Possible applications of this effect may be related with physics of baryon resonances. The obtained matrix propagator defines a pair of unitary partial amplitudes which describe the production of resonances of spin $J$ and different parity ${1/2}^{\pm}$ or ${3/2}^{\pm}$. The use of our amplitudes for joint description of $\pi N$ partial waves $P_{13}$ and $D_{13}$ shows that the discussed effect is clearly seen in these partial waves as the specific form of interference between resonance and background. Another interesting application of this effect may be a pair of partial waves $S_{11}$ and $P_{11}$ where the picture is more complicated due to presence of several resonance states.Comment: 22 pages, 6 figures, more detailed comparison with \pi N PW

Level of biogenic and organic substances in a water of the Dniprovs’ke reservoir and Samara River in fall-winter period

Вивчено актуальні проблеми впливу евтрофування Дніпровського водосховища органічними та біогенними речовинами господарсько-побутових і промислових стічних вод на рибогосподарські показники. Проведені досліди показали перевищення ГДК за деякими показниками для рибогосподарських водойм.Вивчено актуальні проблеми впливу евтрофування Дніпровського водосховища органічними та біогенними речовинами господарсько-побутових і промислових стічних вод на рибогосподарські показники. Проведені досліди показали перевищення ГДК за деякими показниками для рибогосподарських водойм.Relevant problems of influence of the Dniprovs’ke reservoir eutrophication by the household sewage on the water quality indices in fishing zones were studied. Investigations disclosed the excess of the maximum permissible concentration of some indices developed for a fishing reservoir

ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИ

In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P /Ge structures for the first tandem of three−tandem A3B5/Ge solar cells were synthesized using MOS hydride epitaxy. The p—n–junction was formed by boron diffusion into gallium doped germanium. Phosphorus and gallium profiles in germanium were measured using SIMS. We show thatchanges in the phosphine flow do not affect the phosphorus distribution and the p—n–junction depth in the germanium stage.Методом МОС−гидридной эпитаксии изготовлены структуры In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge, представляющие собой первый каскад трехкаскадных солнечных элементов AIIIBV/Ge.P—n−переход сформирован диффузией фосфора в германий, легированный галлием. Методом ВИМС получены профили фосфора и галлия в германии. Показано, что изменение потока фосфина не влияет на характер распределения фосфора и глубину p—n−перехода в германиевом каскаде

МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С

Temperature dependance of the resistivity of carbon−silicon 1 mkm film containing nanocise tungsten particles were investigated. Resistivity measurements were carried out by contact method in the temperature range 20—200 °С for films with resistivity at room temperature of about 0,03—15 Ohm  cm. Decreasing of the resistivity with temperature was observed. An activation and a tunnel mechanisms of conductivity were proposed. Tunnel fraction growths with tungsten content from 40 to 80% coincident with decrease of activation energy from 0,1 to 0,06 eV.Изучены температурные зависимости удельной электропроводности (УЭС) кремний−углеродных пленок с наноразмерными включениями вольфрама. Контактным методом измерена электро-проводность образцов в интервале температур 20—200  °С. Показано, что у пленок с УЭС 0,03—15 Ом см при комнатной температуре электропроводность растет с повышением температуры и имеет две компоненты — термоактивационную и постоянную, предположительно туннельного характера. Доля туннельной компоненты возрастает от 40 до 80 % с увеличением содержания вольфрама в пленке, энергия активации при этом падает от 0,1 до 0,06 эВ.

Neuropsychiatric symptoms in at-risk groups for AD dementia and their association with worry and AD biomarkers—results from the DELCODE study

Background: Early identification of individuals at risk of dementia is mandatory to implement prevention strategies and design clinical trials that target early disease stages. Subjective cognitive decline (SCD) and neuropsychiatric symptoms (NPS) have been proposed as potential markers for early manifestation of Alzheimer’s disease (AD). We aimed to investigate the frequency of NPS in SCD, in other at-risk groups, in healthy controls (CO), and in AD patients, and to test the association of NPS with AD biomarkers, with a particular focus on cognitively unimpaired participants with or without SCD-related worries. / Methods: We analyzed data of n = 687 participants from the German DZNE Longitudinal Cognitive Impairment and Dementia (DELCODE) study, including the diagnostic groups SCD (n = 242), mild cognitive impairment (MCI, n = 115), AD (n = 77), CO (n = 209), and first-degree relatives of AD patients (REL, n = 44). The Neuropsychiatric Inventory Questionnaire (NPI-Q), Geriatric Depression Scale (GDS-15), and Geriatric Anxiety Inventory (GAI-SF) were used to assess NPS. We examined differences of NPS frequency between diagnostic groups. Logistic regression analyses were carried out to further investigate the relationship between NPS and cerebrospinal fluid (CSF) AD biomarkers, focusing on a subsample of cognitively unimpaired participants (SCD, REL, and CO), who were further differentiated based on reported worries. / Results: The numbers of reported NPS, depression scores, and anxiety scores were significantly higher in subjects with SCD compared to CO. The quantity of reported NPS in subjects with SCD was lower compared to the MCI and AD group. In cognitively unimpaired subjects with worries, low Aß42 was associated with higher rates of reporting two or more NPS (OR 0.998, 95% CI 0.996–1.000, p < .05). / Conclusion: These findings give insight into the prevalence of NPS in different diagnostic groups, including SCD and healthy controls. NPS based on informant report seem to be associated with underlying AD pathology in cognitively unimpaired participants who worry about cognitive decline. / Trial registration: German Clinical Trials Register DRKS00007966. Registered 4 May 2015

ГЛУБИННОЕ СТРОЕНИЕ ПЕРЕХОДНОЙ ЗОНЫ СИБИРСКАЯ ПЛАТФОРМА – ЦЕНТРАЛЬНО-АЗИАТСКИЙ ПОДВИЖНЫЙ ПОЯС ПО ТЕЛЕСЕЙСМИЧЕСКИМ ДАННЫМ

Deep velocity sections of the transition zone from the Siberian platform to the Central Asian mobile belt are constructed by teleseismic tomography and P-receiver function techniques. An array of the dense ancient Siberian craton is identified in the velocity sections with areas of high seismic velocity. In the SSW section MOBAL_2003, the surface boundary of the craton corresponds to the southern margin of the Siberian platform and is nearly vertical to a depth of 120 km. At larger depths, the craton slides almost horizontally underneath the Tunka rift area. At depths from 150 to 250 km, it is in contact with the area under the Khamar-Daban mountain range. In the southeast, according to the SE velocity section PASSCAL_1992 across the South Baikal basin and the Khamar-Daban mountain range, the Siberian craton thickness is reduced from 270 to 150 km at the contact of the Siberian platform with the Baikal folded area. In this contact zone, the upper part of the craton is wedge-shaped and has an angle of about 45° with the ground surface; it completely tapers off at a depth of 150 km to the east of Lake Baikal. The vertical configuration of the southern segment of the Siberian craton, which evolved with time, may determine the nature of the Baikal rifting in the Cenozoic. По скоростным разрезам, построенным методами телесейсмической томографии и продольной приемной функции, найдены особенности вертикальной конфигурации юга Сибирского кратона, влияющие на Байкальский рифтогенез. Кратон ассоциируется с выявленными на моделях областями повышенной сейсмической скорости. На юго-юго-западном разрезе MOBAL_2003 граница кратона на поверхности соответствует южной окраине Сибирской платформы и до глубины 120 км близка к вертикали. Глубже кратон почти горизонтально уходит под Тункинский рифт, достигая подножия Хамар-Дабана в интервале глубин 150–250 км. На юго-востоке вертикальная конфигурация границы кратона выявляется по форме высокоскоростной аномалии разреза PASSCAL_1992, пересекающего Южнобайкальскую впадину и Хамар-Дабан. Мощность аномалии, свидетельствующей о более высокоскоростной и плотной среде, на контакте Сибирской платформы с Байкальской складчатой областью уменьшается от 270 до 150 км. В районе контакта высокоскоростная аномалия принимает форму клина, который под углом около 45° задвигается от дневной поверхности под озеро Байкал и на глубине 150 км выклинивается восточнее озера.

Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3

Ga2O3 is an ultra-wideband material with excellent optical characteristics. It is a promising material for power applications and optoelectronics because of its high electrical breakdown voltage and radiation hardness. It is optically transparent for visible light and UVA but UVC-sensitive. One of the main disadvantages of this material is the anomalous slow photoeffect: photoconductivity rise and decay characteristic times can be more than hundreds of seconds long. This "slow" photoconductivity effect severely limits the utilisation of the Ga2O3-based devices. The aim of this work is the investigation of the nature of this effect. The results of the photoinduced current rise and decay under 530 nm and 259 nm LED are measured in the HVPE-grown α-Ga2O3-based Schottky diode. Upon UV-illumination the photocurrent rise consists of three parallel processes: fast signal growth, slow growth and very slow decay with characteristic times near 70 ms, 40 s and 300 s respectively. Subsequent 530 nm LED illumination resulted in photoinduced current rise consisting of two mechanisms with characterisatic times 130 ms and 40 s on which a very slow decrease of the photocurrent amplitude with characteristic time of 1500 s was superimposed. 530 nm illumination stimulates this process. Protoinduced current relaxation analysis shows the presence of the deep levels with energies (EC - 0.17 eV). It is suggested that extremely slow relaxations can be associated with potential fluctuations near the Schottky barrier.Ga2O3 — широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обладает высокими значениями пробивных напряжений и высокой радиационной стойкостью. Одним из недостатков, которые в настоящее время препятствуют использованию данного материала в солнечно-слепых фотодетекторах, является аномально большое время нарастания и спада фотопроводимости, которое может достигать сотен секунд. Такая «замедленная» фотопроводимость существенно ограничивает область применения этих материалов. Проведены исследования природы этого эффекта. Выполнены измерения времени нарастания и спада фотоиндуцированного тока в диодах Шотки на основе α-Ga2O3, выращенных методом HVPE на сапфире, при засветке светодиодами с длиной волны 259 и 530 нм. При засветке ультрафиолетовым излучением рост тока через фоточувствительную структуру из двух встречных диодов происходил в три этапа: достаточно быстрое нарастание с характерным временем 70 мс, медленный рост с характерным временем 40 с и затянутый спад с характерным временем порядка 300 с. При последующей засветке излучением зеленого цвета рост тока с характерным временем 130 мс и 40 с накладывался на стимулируемый засветкой медленный спад амплитуды максимального тока с характерным временем порядка 1500 с. Анализ релаксации тока показал наличие глубоких центров с энергией (EC – 0,17 эВ). Существенное замедление релаксации фотоиндуцированного тока можно связать с флуктуациями потенциала вблизи барьера Шотки