Room and low temperature electrical measurements for the interface characterization of titanium disilicides on silicon from multilayer titanium/silicon structures

The interface of titanium disilicides TiSi2 on silicon formed by electron gun evaporation of silicon/titanium multilayers and subsequent annealing is characterised using current-voltage measurements on specially prepared Schottky diodes in the whole temperature range from room temperature down to 77K. In particular, the influence of the bilayer Si/Ti thickness ratio, ranging between 2 and 3, on the barrier height of the diodes is studied and compared with the case of a diode formed by deposition of a single titanium layer and further annealing. The activation energies derived from the low temperature measurements have shown that the interface of the sample prepared with single layer deposition is more rough than the case of the sample prepared with deposition of multilayers using a bilayer thickness ratio Si/Ti=2.5 which is close to the calculated value for the stoichiometric films

THE EFFECTS OF X-RAY-INDUCED AUGER ELECTRONS IN AUGER MICROANALYSIS

L'intensité des électrons Auger induits par les rayons X créés dans l'échantillon massif peut contribuer de façon non négligeable à l'intensité des électrons Auger induits directement par les électrons primaires et les électrons rétrodiffusés. Nous établissons pour la première fois les expressions des intensités relatives aux électrons Auger induits par les rayons X caractéristiques et par la radiation continue. Nous montrons que ces contributions peuvent atteindre, dans certains cas et à tension primaire élevée, plusieurs dizaines de %. L'influence qu'ont ces contributions sur la détérioration de la résolution spatiale en SAM est indiquée. Certaines applications utiles sont enfin indiquées.The intensity of the Auger electrons induced by characteristic or continuous X-rays created in a bulk sample by an energetic incident electron beam contributes significantly to the Auger electron intensity created by primary incident and backscattered electrons.Analytica1 expressions have been established for the first time giving the intensities of characteristic and continuous X-ray-induced Auger electrons relative to electron-induced Auger electrons. For high energies of incident electrons these contributions may attain several tens of percent.Their influence on the spatial resolution in SAM (Scanning Auger Microscopy) is illustrated and some useful applications are indicated

X-RAY PHOTOELECTRON MICROPROBE ANALYSIS AND RELATED TECHNIQUES

Il est bien connu que la focalisation et le balayage des faisceaux de photons X sont extrêmement difficiles. On peut surmonter ces difficultés en focalisant un faisceau d'électrons sur une anticathode en forme de film mince et en plaçant l'échantillon (lui-même en forme de film mince) au dos de l'anticathode. Ce principe a été mis en oeuvre dans un spectromètre Auger (légèrement modifié) dans le but de réaliser les premières expériences de : i) analyse par microsonde photoélectronique X ii) analyse par microsonde Auger induiteparles rayons X (radiation caractéristique et radiation continue) iii) microanalyse par microfluorescence X iv) microscopie photoélectronique X à balayage v) microradiographie X à balayage vi) spectroscopie Auger induite par des électrons sur des films minces.It is a well-known fact that the focusing and scanning X-ray photon beams is an extremely difficult operation. The difficulties which arise can be overcome by focusing and scanning an electron beam on a thin anode and by setting the target (in a thin form) on the back of the anode. We have done this in a (slightly modified) Auger spectrometer in order to perform the first experiments in : i) X-ray photoelectron microprobe analysis (XPMA) ii)(characteristic and continuous) X-ray-induced Auger microprobe analysis iii) fluorescent X-ray microanalysis (XRF) iv) scanning X-ray photoelectron microscopy (SXPM) v) scanning X-ray microradiography (SXR) vi) electron-induced Auger electron spectroscopy in thin films