Up-conversion injection in Rubrene/Perylene-diimide-heterostructure electroluminescent diodes

We implement and demonstrate a scheme that permits to drive electroluminescence with an extremely low turn-on voltage. The device behaves like compound semiconductors, in which the electroluminescence turn-on voltage is about the same as the open circuit voltage for the photovoltaic effect. However, the electroluminescence turn-on voltage is about half of the band gap of the emitting material, that cannot be explained using current models of charge injection in organic semiconductors. We hereby propose explanation through an Auger-type two-step injection mechanism (Auger-fountain).Comment: we report the first evidence of an Auger-fountain electroluminescence in a semiconductor heterojunctio

High Temperature Thermopower in La_{2/3}Ca_{1/3}MnO_3 Films: Evidence for Polaronic Transport

Thermoelectric power, electrical resistivity and magnetization experiments, performed in the paramagnetic phase of La_{2/3}Ca_{1/3}MnO_3, provide evidence for polaron-dominated conduction in CMR materials. At high temperatures, a large, nearly field-independent difference between the activation energies for resistivity (rho) and thermopower (S), a characteristic of Holstein Polarons, is observed, and ln(rho) ceases to scale with the magnetization. On approaching T_c, both energies become field-dependent, indicating that the polarons are magnetically polarized. Below T_c, the thermopower follows a law S(H) prop. 1/rho (H) as in non saturated ferromagnetic metals.Comment: 10 pages, 5 .gif figures. Phys. Rev B (in press

Spectromètre de mesures diélectriques automatisé dans le domaine de température (77 K - 380 K) et dans l'intervalle continu de fréquence (500 Hz -1 MHz)

We describe an automatic apparatus for dielectric measurements ; the samples, either solids or liquids, are studied in the [500 Hz-1 MHz] frequency range and for a temperature varing between 77 K and 380 K. The exploitation of results is particularly easy ; as an example, related to two samples, we give the curves ε = f (T, v) which sum in a three dimensional representation the dielectric parameters (ε' and ε") versus temperature and frequency.Nous décrivons un dispositif de mesures diélectriques automatisé ; les échantillons, solides ou liquides, peuvent être étudiés en fréquence entre 500 Hz et 1 MHz pour une température variant entre 77 K et 380 K. L'exploitation des résultats est particulièrement rapide ; à titre d'exemple, nous donnons pour deux corps les courbes ε = f (T, v) qui condensent dans une représentation à trois dimensions les variations des paramètres diélectriques (ε' et ε") en fonction de la température et de la fréquence

Cellule de mesure de constantes diélectriques dans le domaine de température s'étendant de 320 °K à 77,2 °K

Cell for dielectric constants measurements in the temperature range between 320 °K and 77.2 °K. We realized a cell for dielectric constants measurements, allowing the studies from 320 °K to 77.2 °K in very satisfying conditions of impermeability to liquids and temperature stability. We give a technical description of apparatus and we insist on its improvements comparatively to a commercial cell from which ours is particularly drawn from. We apply it in the temperature range mentioned above to the study of substances which have a low melting-point.Nous avons réalisé une cellule de mesure de constantes diélectriques permettant les études de 320 °K à 77,2 °K dans des conditions d'étanchéité aux liquides et de stabilité de température très satisfaisantes. Nous donnons une description technique du dispositif en insistant sur ses améliorations par rapport à une cellule du commerce dont la nôtre est particulièrement inspirée. Nous l'appliquons dans le domaine de température indiqué ci-dessus, à l'étude de différents corps qui ont un point de solidification particulièrement bas

Effet d’une résine autodéveloppable sur la position du profil d’implantation dans des films de PPP

La microanalyse SIMS nous a permis de vérifier que l’on peut obtenir un élargissement et un déplacement vers la surface des couches implantées à une seule et même énergie, si les irradiations sont effectuées à travers une couche de résine autodéveloppable (par le faisceau d’ions)