Etude par microanalyse ionique de films de poly(paraphénylène) et des phénomènes induits par implantation ionique

L'étude par microanalyse ionique de films de polyparaphénylène nous a permis de mettre en évidence la présence d'atomes d'azote et d'oxygène ; à partir de l'implantation préliminaire d'isotopes 15N et 18O nous avons pu évaluer les concentrations atomiques en azote et oxygène qui sont respectivement inférieures à 1 % et de l'ordre de 4 %. Ces atomes d'impuretés sont localisés dans une zone de défauts, située à l'arrière de la couche implantée et dont l'importance croît avec la valeur des paramètres d'implantation

Le Micro-usinage de dispositifs polymères à bande interdite photonique par faisceau d'ions

. L'augmentation du trafic de transmission de données impose des innovations. Une solution envisagée est le multiplexage en longueur d'onde (WDM). Les dispositifs à bande interdite photonique (BIP) se prêtent avantageusement à la mise en œuvre de cette technique, puisqu'ils ne nécessitent aucune consommation d'énergie. Leur fabrication en technologie polymère fait l'objet de cette étude. La première partie de ce travail fait le point sur les structures de bandes et les densités d'états électroniques dans la bande de valence des milieux organiques, dont il est fait usage pour les applications. La partie suivante est consacrée à la compréhension des phénomènes physiques liés à la notion de cristal photonique, selon les modèles de : Yablonovitch et John. Ensuite est développée la théorie des ondes planes, utilisée dans la mise au point du programme permettant de réaliser des simulations des structures BIP. La 4ème partie traite du calcul et de la fabrication d'une machine à faisceau d'ions focalisé, au diamètre minimum de 10nm, utilisée pour graver les polymères. La dernière partie expose les conditions de gravures de réseaux diffractifs 2D dans du PMMA ou du CR39 aux dimensions précédemment calculéesLIMOGES-BU Sciences (870852109) / SudocSudocFranceF

Le Transistor organique transparent (modélisation et premiers essais avec le pentacène)

The goal of this work is the fabrication of transparent organic thin film transistors, at the optical wavelengths, on an organic substratum, for ophthalmic applications. The beginning is a general presentation of physic an electronic properties of organic materials, a paragraph is dedicated to pentacene, the semi-conductor used in the experimental part. Then is studied the modelling of organic thin film transistor in the accumulation regime where the current are significant. The experimental part shows that it is possible to realized organic transparent transistors with classical mobility of 6.10-3 cm2.V-1 .s-1, but it requires low temperatures process.LIMOGES-BU Sciences (870852109) / SudocSudocFranceF

Propriétés diélectriques du nitrure d'aluminium compacté, fritté et dopé au chrome

The dielectric study of hot pressed AIN has shown that the dielectric losses which are particularly important at lower frequencies arise from two processes : - one is due to lattice defects of the « chemical imperfection » type and corresponds to the présence of AION and which is characterized by an interfacial polarizability in which the dipolar term results in the observed absorption peak ; - the other is a « physical imperfection » connected with lattice defects in which the charges are accumulated. The nature of the relation between the charge distribution and the defects is discussed. The conductivity resulting from this process can be increased, up to about 650 K, by « doping » with metallic chromium, which increases the number of charges attached to lattice defects.L'étude diélectrique de AlN fritté sous charge nous a montré que les pertes diélectriques, surtout importantes aux plus basses fréquences, proviennent de deux origines : — l'une est due à des défauts de réseau du type « imperfection chimique » et correspond à la présence de AION ; elle se traduit par une polarisabilité interfaciale dont le terme dipolaire produit un pic d'absorption visualisé aussi par l'expérience. — l'autre est de nature « imperfection physique » liée à des défauts de réseau dans lesquels s'accumulent des charges dont on a pu discuter la liaison avec les défauts. La conductivité de cette nature peut être accrue jusque vers 650 K par un « dopage » à l'aide de chrome métallique, qui augmente le nombre de charges liées aux défauts de réseau

Focused ion beam micromachining and computation of polymetric photonic.

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