Comparison of near-interface traps in Al2_2O3_3/4H-SiC and Al2_2O3_3/SiO2_2/4H-SiC structures

Aluminum oxide (Al2O3) has been grown by atomic layer deposition on n-type 4H-SiC with and without a thin silicon dioxide (SiO2) intermediate layer. By means of Capacitance Voltage and Thermal Dielectric Relaxation Current measurements, the interface properties have been investigated. Whereas for the samples with an interfacial SiO2 layer the highest near-interface trap density is found at 0.3 eV below the conduction band edge, Ec, the samples with only the Al2O3 dielectric exhibit a nearly trap free region close to Ec. For the Al2O3/SiC interface, the highest trap density appears between 0.4 to 0.6 eV below Ec. The results indicate the possibility for SiC-based MOSFETs with Al2O3 as the gate dielectric layer in future high performance devices.Comment: 3 figures. Applied Physics Letters, accepted for publicatio

Avec Yves Bonnefoy. De la poésie

Le souci poétique de la présence au-delà de l’image anime de toutes parts l’œuvre d’Yves Bonnefoy, sous le double signe de la création et de la conscience critique. L’espace qu’il a ouvert en poète est celui où la présence vivante se trouve rendue à autrui ; où dans l’épreuve de l’autre la langue redevient parole. La distance alors se fait celle de l’être proche, de l’être avec, en ce lieu commun qu’est la conscience du langage et de l’oubli qu’il porte. C’est de ce lien, de cette communauté au sein de la parole, qu’ont voulu chacun à sa manière – lecteurs, traducteurs, poètes, critiques – rendre compte les auteurs du recueil. Deux textes inédits d’Yves Bonnefoy témoignent de cette présence de la poésie, et du rapport singulier qu’elle entretient avec l’image par le détour de la peinture