Strukturna i elektronska svojstva bbc selena pod visokim tlakom

Full-potential linearized augmented plane-wave method (FP-LAPW) within the density functional theory is applied to study the structural and electronic properties of selenium in the bcc phase at high pressures. We used local density approximation with and without generalized gradient correction based on exchange-correlation energy optimization. We have determined the full set of first-order elastic constants, which have not been established earlier experimentally or theoretically. The elastic moduli show linear dependence on pressure. The calculated energy allowed us to investigate several structural properties such as lattice parameter, bulk modulus and its pressure derivative. Our calculated lattice parameter is found to be in reasonable agreement with experimental result. The electronic band structure and the density of states at various pressures are also calculated to show that there is a possibility for these compounds to become metallic at high pressures. Further, we have calculated the electronic specific heat coefficient, which decreases with the increase of pressure.Primjenom metode lineariziranih proširenih ravnih valova s potpunim potencijalom, u okviru teorije funkcionala gustoće, proučavali smo strukturna i elektronska svojstva selena u bcc fazi na visokim tlakovima. Primijenili smo približenje lokalne gustoće sa i bez poopćene gradijentne popravke primjenom optimizacije energije korelacije i izmjene. Odredili smo potpun skup elestičnih konstanti prvog reda koje ranije nisu bile određene ni eksperimentalno ni teorijski. Moduli eleastičnosti pokazuju linearnu ovisnost o tlaku. Na osnovi izračunatih energija mogli smo istražiti više strukturnih svojstava, kao što su parametar rešetke, volumni modul stlačivosti i njegova derivacija po tlaku. Naš izračunat parametar rešetke je u dobrom slaganju s eksperimentalnim rezultatom. Također smo izračunali strukturu elekronskih vrpci i gustoće stanja da bismo ukazali na mogućnost da na visokim tlakovima selen u fazi bcc može postati metal. Nadalje, izračunali smo koeficijent elektronske specifične topline koji se smanjuje s porastom tlaka

Strukturna i elektronska svojstva bbc selena pod visokim tlakom

Full-potential linearized augmented plane-wave method (FP-LAPW) within the density functional theory is applied to study the structural and electronic properties of selenium in the bcc phase at high pressures. We used local density approximation with and without generalized gradient correction based on exchange-correlation energy optimization. We have determined the full set of first-order elastic constants, which have not been established earlier experimentally or theoretically. The elastic moduli show linear dependence on pressure. The calculated energy allowed us to investigate several structural properties such as lattice parameter, bulk modulus and its pressure derivative. Our calculated lattice parameter is found to be in reasonable agreement with experimental result. The electronic band structure and the density of states at various pressures are also calculated to show that there is a possibility for these compounds to become metallic at high pressures. Further, we have calculated the electronic specific heat coefficient, which decreases with the increase of pressure.Primjenom metode lineariziranih proširenih ravnih valova s potpunim potencijalom, u okviru teorije funkcionala gustoće, proučavali smo strukturna i elektronska svojstva selena u bcc fazi na visokim tlakovima. Primijenili smo približenje lokalne gustoće sa i bez poopćene gradijentne popravke primjenom optimizacije energije korelacije i izmjene. Odredili smo potpun skup elestičnih konstanti prvog reda koje ranije nisu bile određene ni eksperimentalno ni teorijski. Moduli eleastičnosti pokazuju linearnu ovisnost o tlaku. Na osnovi izračunatih energija mogli smo istražiti više strukturnih svojstava, kao što su parametar rešetke, volumni modul stlačivosti i njegova derivacija po tlaku. Naš izračunat parametar rešetke je u dobrom slaganju s eksperimentalnim rezultatom. Također smo izračunali strukturu elekronskih vrpci i gustoće stanja da bismo ukazali na mogućnost da na visokim tlakovima selen u fazi bcc može postati metal. Nadalje, izračunali smo koeficijent elektronske specifične topline koji se smanjuje s porastom tlaka

Détermination rapide de la conductivité thermique d'échantillons fortement résistifs. Application au ditellurure de molybdène

Nous proposons une méthode originale de mesure de conductivité thermique, basée sur l'étude du phénomène de résistance négative observé sur des échantillons de type semi-conducteur. Cette méthode est utilisée sur des échantillons de dichalcogénures de molybdène stoechiométrique ou non. Les résultats obtenus sont confrontés aux valeurs trouvées par une mesure classique et les écarts entre ces mesures n'excèdent jamais 7 %. La variation de la conductivité thermique en fonction de l'écart à la stoechiométrie présente une anomalie analogue à celle déjà observée sur les courbes de conductivité électrique et du P. T. E

Détermination de la structure de bande de MoTe2-x à partir de l'étude de phénomènes de transport

Thermoelectric power and electrical resistivity measurements have been performed over a wide temperature range on bulk MoTe2-x compounds. The experimental results are analysed on the basis of parallel conduction in extended and localized states. The agreement between theoretical and experimental results is quite good : The samples are found to be n type in the low temperature range and p type in the intrinsic domain. A schematic representation of the band structure is given.Des mesures de pouvoir thermoélectrique et de résistivité électrique ont été effectuées dans un domaine étendu de température sur des échantillons massifs MoTe2-x. Les résultats expérimentaux sont analysés en terme de conduction parallèle dans des états étendus et localisés. L'accord entre résultats théoriques et expérimentaux est très satisfaisant. Les composés étudiés sont de type n à basse température et de type p dans le domaine intrinsèque. Une représentation schématique de la structure de bande des échantillons est déduite des résultats théoriques

Appareil de mesure d'effet Hall en alternatif. Application MoTe 2 monocristallin

A double AC method for measuring the Hall voltage is described. A single pilot oscillator is used to produce the electric current and the magnetic field. The sample is placed in an electromagnet built inside the cryostat. Hall voltage of some 10 nV can be detected. Measurements performed on MoTe 2 show good linearity between the AC current and the magnetic field and put into evidence that MoTe2 behaves as a p type semiconductor.Un appareil de mesure d'effet Hall par la méthode double alternative a été réalisé au laboratoire. Le montage utilise un oscillateur pilote commun aux sources produisant, d'une part le courant électrique et, d'autre part, le champ magnétique dans un électro-aimant placé à l'intérieur du cryostat On obtient une résolution élevée (de l'ordre de 10 nV) sur des échantillons fortement résistifs. Des mesures sur MoTe2 monocristallin montrent une bonne linéarité courant-champ et mettent en évidence le type p du semi-conducteur

Traitement des conditions aux limites intérieures et extérieures pour la simulation numérique unidimensionnelle de l'écoulement de l'eau dans les canaux à surface libre

Dans ce papier, on décrit le traitement des conditions aux limites intérieures et extérieures couplé avec la méthode explicite aux différences finies de Roe pour le développement d'une modélisation unidimensionnelle qui sert à résoudre les équations de Saint-Venant décrivant l'écoulement de l'eau à surface libre. Les deux méthodes les plus utilisées pour trouver la solution aux nœuds intérieurs et extérieurs définissant les conditions aux limites intérieures et extérieures d'un schéma numérique sont décrites et comparées dans deux exemples : Le premier traite le problème du ressaut hydraulique et le second décrit l'écoulement de l'eau au dessus des seuils. Deux types de discrétisation du terme source, pointwise et upwind, sont considérés et comparés aussi. Les résultats obtenus et comparés avec la solution analytique dans le cas du ressaut, et avec les résultats numériques déjà publiés dans le cas des seuils, montrent l'avantage de la méthode des caractéristiques sur la méthode de l'extrapolation pour les conditions aux limites, et la discrétisation upwind du terme source sur la discrétisation pointwise

Influence of the stoichiometry deviation on the electrical properties of MoTe2-x

Transport coefficient measurements (electrical conductivity, Hall effect, thermoelectric power) have been performed on single crystals of MoTe 2-x (x = 0.01 and 0.015) in a wide range of temperatures. The samples were prepared by a based Te flux method and the deviation from stoichiometry was obtained by a thermal treatment. Experimental results are interpreted on the basis of a compensated p-type semiconductor model. The lacunar origin of the two impurity levels is clearly shown. For a weak departure from stoichiometry, the carriers are scattered in two ways : ionized impurities and thermal lattice modes. For a larger departure, the donor and acceptor levels broaden in two narrow energy bands. At low temperatures, the conduction mechanisms are mainly governed by a thermal hopping of small polarons in these bands. At higher temperatures, the contribution of the extended states must be taken into account. It is shown that the presence of Te-lacunar-sites leads to a greater polarization of the material and a much higher interaction between the valence and the acceptor energy bands. The model adopted here is in agreement with the band structure of the group VI transition metal dichalcogenides which have a trigonal prism coordination.Les mesures des coefficients de transport (conductivité électrique, effet Hall, pouvoir thermoélectrique) ont été effectuées sur des monocristaux de MoTe2-x (x = 0,01 et 0,015) dans une gamme étendue de température. Les échantillons ont été préparés par une méthode à base de flux de tellure et l'écart à la stoechiométrie a été obtenu par un traitement thermique. Les écarts expérimentaux sont interprétés sur la base d'un modèle de semiconducteur de type p compensé. L'origine lacunaire des deux niveaux d'impuretés est clairement mise en évidence. Pour un écart faible à la stœchiométrie, les porteurs de charge sont diffusés de deux façons différentes: impuretés ionisées et modes de réseau thermiques. Pour un plus grand écart, les niveaux donneurs et accepteurs s'élargissent en deux bandes étroites d'énergie. A basse température, les mécanismes de conduction sont principalement gouvernés par des sauts activés thermiquement de petits polarons dans ces bandes. A plus haute température, la contribution des états étendus doit être prise en compte. Il est également montré que la présence de sites lacunaires de tellure conduit à une plus grande polarisation du matériau et à une interaction beaucoup plus importante entre la bande de valence et la bande d'acceptcurs. Le modèle adopté ici est de manière générale en accord avec la structure de bande des dichalcogénures des métaux de transition du groupe VI à coordination trigonale prismatique

Modélisation mathématique et simulation numérique de l'écoulement de l'eau à surface libre sur une pente à fond mobile

Les équations de Saint-Venant modélisant l'écoulement de l'eau à surface libre sont applicables lorsque le fond du lit du canal est fixe. Dans un écoulement sur une pente à fond mobile, la cote (niveau) du fond varie selon la relation d'Exner qui est une équation de continuité pour la phase solide. Cette équation doit être couplée avec les équations de Saint-Venant qui décrivent l'écoulement de la phase liquide. Dans ce papier, le schéma de MacCormack qui est de type différence finie explicite est utilisé pour trouver une solution numérique du système couplé de Saint-Venant Exner, ce schéma qui est du second ordre est un schéma robuste pouvant capter les chocs et les discontinuités dans la solution sans aucun traitement spécial. Ce schéma est appliqué à deux processus où il y a une évolution du fond : la dégradation et l'aggradation dans les canaux alluviaux

Transport mechanisms in MoTe2−x\mathsf{MoTe_{2-x}} single crystals

Transport coefficient measurements (electrical conductivity, thermoelectric power, Hall effect) have been performed on single crystals of MoTe$_{2-x}~(x=$ 0.040 and 0.045). Experimental results are interpreted on the basis of a compensated p-type semiconductor model where donor and acceptor lacunar levels broaden in two energy bands. At low temperatures, the conduction mechanisms are mainly governed by a thermal hopping of carriers in these bands. At higher temperatures, the contribution of the extended states must be taken into account. MoTe$_{1,960}$ and MoTe$_{1,955}$ exhibit a quasi metallic behaviour which reflects the high delocalization of the electronic states in the broadened levels.Les mesures des coefficients de transport (conductivité électrique, pouvoir thermoélectrique, effet Hall ont été effectuées sur des monocristaux de dans une gamme étendue de température. Les résultats expérimentaux sont interprétés sur la base d'un modèle de semi-conducteur compensé de type p à niveaux élargis d'origine lacunaire. A basse température les mécanismes de conduction sont principalement gouvernés par des sauts activés thermiquement des porteurs dans le niveau accepteur élargi. A plus haute température, la contribution des états étendus doit être prise en compte. MoTe$_{1,960}$ et MoTe$_{1,955}$ présentent un comportement de type quasi métallique associé à la délocalisation élevée des états électroniques dans les niveaux élargis

Analysis and Simulation of Functional Stress Degradation on VDOMS Power Transistors

The use of VDMOS transistor under certain functional stress conditions produces a modification of its physical and electrical properties. This paper explores the physical analysis and SPICE simulation of the degradation effects related to the component micronic structure, and points out the degraded parameters following this stress