Caractérisation structurale par XRD et RHEED de couches minces épitaxiées de GaN déposées sur Al2O3(0001) par ablation laser réactive

Des couches minces épitaxiées de GaN ont été déposées sur Al2O3(0001) par la technique d'ablation laser réactive en atmosphère d'azote. Une nitruration préalable du substrat s'est avérée indispensable pour obtenir des couches épitaxiées. L'état cristallin de ces couches minces a été caractérisé par diffraction de rayons X (XRD) et par diffraction d'électrons rasants (RHEED). On a établi une corrélation directe entre les figures RHEED observées et les profils de raies de diffraction X obtenus par la méthode de la rocking curve. Cette corrélation permet de suivre in-situ la croissance de la couche GaN et d'en contrôler la qualité cristalline.Thin epitaxial films of GaN have been deposited on Al2O3(0001) by reactive laser ablation. A nitruration of the substrate prior to deposition is mandatory in order to obtain epitaxial films. The state of crystallinity of the thin films has been characterized using X-rays and electron diffraction (XRD and RHEED). A clear correlation has been established between the observed RHEED images and the shape of the X-rays peaks measured by the rocking-curve method. This correlation allows to control in-situ the growth of the GaN film and therefore to control its crystalline quality

Caractérisation structurale et morphologique de couches minces épitaxiées de ZnSe déposées sur GaAs

Des couches minces épitaxiées de ZnSe ont été déposées par ablation laser sur des substrats monocristallins de GaAs. L'influence de la température du substrat ainsi que son état de surface sur la qualité structurale de ces couches a tout d'abord été étudiée par Diffraction de Rayons X (XRD). Une épitaxie complète de ZnSe a été obtenue pour des températures de substrat > 420°C. La morphologie de la surface libre de ZnSe a également été étudiée par Microscopie à Force Atomique (MM) et Microscopie Electronique à Balayage (MEB). La qualité structurale et morphologique de ces couches a été comparée à celle de couches minces de SnSe obtenues par Epitaxie en Phase Vapeur à partir d'organo-Métalliques (MOCVD) ou par Epitaxie par Jets Moléculaires (MBE). On a pu constater que l'ablation laser (PLA) est une technique de dépôt qui permet d'obtenir des couches épitaxiées de qualité comparable à celle de couches préparées par MOCVD et MBE.Thin epitaxial layers of ZnSe have been deposited on singlecrystalline GaAs substrate by Pulsed Laser Ablation (PLA). The influence of the substrate temperature and its surface state on the structural quality of these layers has-been first studied by X-ray diffraction (Xb). A full epitaxial growth of ZnSe has been obtained for substrate temperatures > 420°C. The surface morphoIogy of ZnSe has also been studied by Atomic Force Microscopy (AFM) and Scanning Electron Microscopy (SEM). The structural and morphological quality of these ZnSe epilayers on GaAs has been compared to these of epilayers produced by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) or by Molecular Beam Epitaxy (MBE). We can notice that the Pulsed Laser Ablation (PLA) is an alternative technique which allows to prepare ZnSe epilayers of a quality comparable to that of the layers obtained by MOCVD or MBE

Caractérisation structurale et morphologique de couches minces épitaxiées de Cd1-xZnxTe déposées sur GaAs(001) par ablation laser

Des couches minces épitaxiées de Cd1-xZnxTe ont été déposées sur des substrats orientés (001)GaAs par la technique d'ablation laser pulsé. Les cibles de Cd1-xZnxTe de composition x variable utilisées étaient soit des blocs polycristallins ou soit des pastilles pressées à froid obtenues à partir du mélange des poudres binaires CdTe et ZnTe. La qualité morphologique et structurale de ces films minces a été étudiée pour différentes composition x en zinc.Thin epilayers of Cd1-xZnxTe have been deposited on monocrystalline (001)GaAs substrates by a pulsed laser ablation technique. The Cd1-xZnxTe targets used were either commercial polycrystalline wafers or cold-pressed samples obtained by mixing the binary powders CdTe and ZnTe. The morphological and structural quality of these epilayers has been studied for different composition of the Zn content

OPTICAL CHARACTERIZATION OF PURE ZNSE EPILAYERS GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY

International audienceDifferent ZnSe/GaAs epilayers prepared by low-pressure metal organic vapour-phase epitaxy under the conditions given by Nurmikko and Gunshor (1993 Physica B 185 16) are studied through their low-temperature transmission, reflection and photoluminescence spectra. Several samples are etched out from their GaAs substrate and the properties of as-grown surfaces and etched surfaces are compared. The etched samples seem to be free of in-plane strain and to behave like bulk ZnSe. The free-exciton excited state (n = 2) is clearly observed in transmission, reflection and luminescence spectra. We also studied the thermal quenching of the photoluminescence in order to confirm the origin of some bound-exciton centres

Structural properties of cobalt ferrite thin films deposited by pulsed laser deposition: Effect of the reactive atmosphere

International audienc