Совершенствование технологии сооружения подводных переходов трубопроводов проложенных методом горизонтально-направленного бурения

Цель работы – разработка рекомендаций по применению технологии прокладки трубопроводов методом горизонтально-направленного бурения с применением защитного устройства. В процессе исследования проводились сравнительная характеристика существующих методов бестраншейной прокладки трубопроводов, расчет основных характеристик подводного перехода, подбор защитного устройства, исследование напряженно-деформированного состояния трубопровода с помощью конечно-элементного моделирования в программном комплексе Ansys. В результате исследования подобраны оптимальные параметры подводного перехода, методом конечно-элементного моделирования в программном комплексе Ansys определено напряженно-деформированнон состояние трубопровода с защитным устройством и без него.The purpose of the work is to develop recommendations for the application of pipeline laying technology by the method of horizontal directional drilling using a protective device. In the process of the research, the existing methods of trenchless pipeline laying, the calculation of the main characteristics of the underwater crossing, the selection of the protective device, the study of the stress-strain state of the pipeline using finite element modeling in the software complex Ansys were compared. As a result of the research, optimal parameters of the underwater transition were selected, the finite element method in the software complex Ansys determined the stress-strain state of the pipeline with the protective device and without it

First InGaN/GaN thin Film LED using SiCOI engineered substrate

InGaN / GaN multiple quantum well (MQW) light emitting diodes (LEDs) were deposited by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) onto SiCOI engineered substrates. SiCOI substrates are composed of SiC thin film transferred on a silicon substrate through silicon oxide layer by the Smart Cut (TM) technology. LEDs structures grown on SiCOI were characterized, then transferred onto Si substrates via a metallic bonding process and SiCOI substrates were removed. Three different metallic stacks were used for metallic bonding, including mirror and barrier diffusion. Vertical thin film LED obtained were characterized and showed a 2 to 3 times increase of external quantum efficiency. These results demonstrate the potential of SiCOI engineered substrates as an alternative to laser lift off for thin film LED fabrication