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Deep levels in p+-n junctions fabricated by rapid thermal annealing of Mg or Mg/P implanted InP
Full text linkAutoimmune hemolytic anemia in HCV/HIV coinfected patients during treatment with pegylated alpha-2a interferon plus ribavirin
Full text linkHealth communication in primary health care -A case study of ICT development for health promotion
Get PDFTecnologias energeticas e impacto ambiental. JEN-CIEMAT 1951-2001
No full textCentro de Informacion y Documentacion Cientifica (CINDOC). C/Joaquin Costa, 22. 28002 Madrid. SPAIN / CINDOC - Centro de Informaciòn y Documentaciòn CientìficaSIGLEESSpai
Contrôle de l'élaboration des thyristors par thermocapacitance : caractérisation de centres recombinants induits
No full textNous appliquons la thermocapacitance et la méthode des transitoires de capacité dans l'obscurité aux dispositifs de puissance au silicium. Nous utilisons ces méthodes pour caractériser les niveaux d'énergie profonds induits à chaque étape de la fabrication de thyristors. Nous trouvons trois niveaux à Ec — (160 ± 5) meV, Ec — (257 ± 4) meV et Ec — (542 ± 4) meV. Le second et le troisième niveau sont associés à des centres recombinants induits par la trempe (Quenched-in centers)
