Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair

ZnO và GaN là những vật liệu bán dẫn tiêu biểu và được ứng dụng nhiều trong các thiết bị quang điện tử. ZnO và GaN có cùng cấu trúc tinh thể wurtzite và có nhiều tính chất vật lý tương tự nhau. Do đó, khi kết hợp hai vật liệu này thành cấu trúc siêu mạng tạo ra một hệ vật liệu hứa hẹn có nhiều tính chất vật lý mới. Nghiên cứu này nghiên cứu tính chất điện tử của siêu mạng dựa trên ZnO/GaN biên armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) phân cực spin. Gần đúng gradient suy rộng (GGA) cho thế tương quan trao đổi với phiếm hàm Perdew-Burke-Ernzernhof (PBE) và một tập cơ sở sóng phẳng đã được thiết lập trong VASP. Kết quả nghiên cứu thể hiện rằng cấu trúc điện tử của một số cấu trúc tinh thể nghiên cứu có tồn tại hiệu ứng giam cầm lượng tử mạnh