Stability of densities for perturbed Diffusions and Markov Chains

We are interested in studying the sensitivity of diffusion processes or their approximations by Markov Chains with respect to a perturbation of the coefficients.Comment: 26 page

Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si

© (2016) Trans Tech Publications, Switzerland. We report a detailed study of electron longitudinal and transverse spin relaxation times for Li donors in monoisotopic 28Si over the temperature range 4–20 K using continuous wave and pulsed electron paramagnetic resonance. Comparison of the obtained spin-lattice relaxation times for the states of the isolated donor center and lithium complex LiO showed that due to the presence of orbital degeneracy, relaxation is faster for single lithium than for the LiO complexes with the nondegenerate ground state. For the isolated lithium center in silicon the relaxation is well described by Blume-Orbach process, with the parameters of the spin-orbit coupling ~ 1·10-6 meV compare to Orbach process for LiO complex with spin-orbit coupling parameter ~ 1.5·10-2 meV

Влияние осаждения частиц кобальта на квантовые поправки к проводимости Друде в твистированном CVD графене

The use of graphene in electronics requires both an experimental study of the formation of high-quality low-resistance contacts and a deeper understanding of the mechanisms of electron carrier transport in graphene sheets and in the vicinity of metal / graphene interface. In this work, we studied the charge carrier transport in twisted CVD graphene, which was decorated with electrochemically deposited Co particles forming an ohmic contact with the graphene sheet. The temperature and magnetic field dependences of the sheet resistance R(T,B) in the pristine and decorated twisted graphene on silicon oxide substrate are compared. The coexistence of the negative (at magnetic fields with induction B below 1 T) and positive (B higher than 1 T) contributions to the magnetoresistive effect in both types of samples is shown. The R(T,B) dependences are analyzed in fraimwork of the theory of two-dimensional interference quantum corrections to Drude conductivity, taking into account the competition of the contribution from the hopping conduction mechanism. It has been shown that in the studied temperatures range (2-300 K) and magnetic fields (up to 8 T), when describing the transport of charge carriers in the studied samples, it is necessary to take into account at least three interference contributions to the conductivity: from weak localization, intervalley scattering, and breaking of pseudospin chirality, as well as warping of graphene due to thermal fluctuations.Использование графена в электронике требует как экспериментального исследования процесса формирования высококачественных низкоомных контактов, так и углубления понимания механизмов электронного переноса в окрестности контакта металл/графен. В работе исследован транспорт носителей заряда в твистированном CVD графене, который декорирован электрохимически осажденными частицами Co, образующими омический контакт с графеновым слоем. Сопоставляются температурные и магнетополевые зависимости слоевого сопротивления R(T,B) исходного и декорированного  твистированного графена на подложке из оксида кремния. Показано сосуществование отрицательного (при индукции магнитного поля ниже 1 Тл) и положительного (индукция выше 1 Тл) вкладов в магниторезистивный эффект в обоих типах образцов. Зависимости R(T,B) анализируются на основе теории двумерных интерференционных квантовых поправок к проводимости Друде с учетом конкуренции вклада от прыжкового механизма проводимости. Показано, что в изученной области температур (2–300 К) и магнитных полей (до 8 Тл) при описании транспорта носителей заряда в исследованном графене необходимо учитывать не менее трех интерференционных вкладов в проводимость: от слабой локализации, междолинного рассеяния и нарушения хиральности псевдоспина, а также короблением графена вследствие тепловых флуктуаций