Форми аналітичного забезпечення прийняття управлінських рішень в підприємницькій діяльності

У статті розглянуто основні компоненти, що впливають на формування та передавання якісної аналітичної інформації в системі управління сучасним підприємством. Запропоновано систематику форм аналітичного забезпечення прийняття управлінських рішень в підприємницькій діяльності за перспективами збалансованої системи показників (BSC).В статье рассмотрены основные компоненты, которые влияют на формирование и передачу качественной аналитической информации в системе управления современным предприятием. Предложена систематика форм аналитического обеспечения принятия управленческих решений в предпринимательской деятельности по перспективам сбалансированной системы показателей (BSC).In the article basic components which influence on forming and transfer of quality analytical information in management system of modern enterprise is considered. Systematization of forms of the analytical providing of acceptance of administrative decisions in entrepreneurial activity is offered on the prospects of the Balanced Scorecard (BSC)

Систематизація видів аналітичного забезпечення управління суб’єктами підприємницької діяльності

У статті узагальнено підходи до класифікації видів економічного аналізу, що наводяться сучасними науковцями. Запропоновано новий підхід до класифікації аналітичного забезпечення управління суб’єктами підприємницької діяльності, який ґрунтується на діалектичних закономірностях розвитку економічних процесів. За такого підходу систематизовано види аналітичного забезпечення лише за трьома класифікаційними ознаками: часова, просторова і топологічна.В статье обобщены подходы к классификации видов экономического анализа, которые представлены современными учеными. Предложен новый подход к классификации аналитического обеспечения управления субъектами предпринимательской деятельности, который основывается на диалектических закономерностях развития экономических процессов. При таком подходе систематизированы виды аналитического обеспечения лишь по трем классификационным признакам: временной, пространственный и топологический.This paper summarizes the approaches to the classification of types of economic analysis, which are presented by modern scholars. This paper proposes a new approach to the classification of analytical support of management business entities, which is based on the dialectical laws of development of economic processes. In this approach several types of analytical assurance are systematized; they are systematized only by three classification criteria: the temporal, spatial and topological

Spin exchange dynamics in 4H SiC monocrystals with different nitrogen donor concentrations

4H silicon carbide (SiC) polytype is preferred over other SiC polytypes for high-power, high-voltage, and high-frequency applications due to its superior electrical, thermal, and structural characteristics. In this manuscript, we provide a comprehensive study of the spin coupling dynamic between conduction electrons and nitrogen (N) donors in monocrystalline 4H SiC with various concentrations of uncompensated N donors from 10^17 cm^-3 to 5x10^19 cm^-3 by continuous wave, pulsed EPR, and microwave perturbation techniques at T=4.2-300 K. At low temperatures two triplets due to N donors in cubic (Nk) hexagonal (Nh) positions and triplet arisen from spin-interaction between Nh and Nk were observed in 4H SiC having Nd-Na=10^17 cm^-3. A single S-line (S=1/2) dominates the EPR spectra in all investigated 4H SiC monocrystals at high temperatures. It was established that this line occurs due to the exchange coupling of localized electrons (dominate at low temperatures) and non-localized electrons (dominate at high temperatures). The localized electrons were attributed to Nh for Nd-Na=10^17 cm^-3 and Nk donors for Nd-Na>=5x10^18 cm^-3. We have concluded that the conduction electrons in 4H SiC monocrystals are characterized by gpar=2.0053(3) gper=2.0011(3) for Nd-Na<=5x10^18 cm^-3 and gpar=2.0057(3) and gper=2.0019(3) for Nd-Na=5x10^19 cm^-3. Using the theoretical fitting of the temperature variation of S-line EPR linewidth in 4H SiC having Nd-Na<5x10^18 cm-^3, the energy levels of 57-65 meV that correlate with the valley-orbit splitting values for Nk donors in 4H SiC monocrystals were obtained