Investigation of structure of mesoporous silicon

Методом электрохимического анодирования сильнолегированных кремниевых подложек электронного типа проводимости в растворе фтористоводородной кислоты получены пленки мезопористого кремния. Методом сканирующей электронной микроскопии исследованы такие структурные параметры пористого материала, как средний диаметр пор, среднее расстояние между порами, концентрация пор на поверхности. Полученные данные можно использовать для построения компьютерной модели структуры мезопористого кремния для теоретической разработки процессов осаждения металлов, а также полупроводниковых соединений на поверхность пористого материала и вглубь каналов пор для формирования различных сенсорных, оптических и оптоэлектронных приборов