Precision electron beam exposure system, EB52

A precision electron beam exposure system, EB52, has been developed for mask making and direct wafer exposure for less than 2 μm minimum pattern size. This paper describes the system control method and performance of the system components which are designed considering positioning error factors, and an example of chrome mask fabrication by the system, in which overlay accuracy of ± 0.2 μm has been achieved with deflection distortion correction and beam shift correction using a standard mark on the X-Y stage

Precision electron beam exposure system, EB52

A precision electron beam exposure system, EB52, has been developed for mask making and direct wafer exposure for less than 2 μm minimum pattern size. This paper describes the system control method and performance of the system components which are designed considering positioning error factors, and an example of chrome mask fabrication by the system, in which overlay accuracy of ± 0.2 μm has been achieved with deflection distortion correction and beam shift correction using a standard mark on the X-Y stage.Un système d'exposition de rayon électronique précis, EB52, est développé pour masquer et aussi pour l'exposition directe de cachet pour la pointure minimum de configuration moins que 2 μm. On présente la méthode de contrôle du système et le fonctionnement de composant du système qui est projeté considérant le facteur d'erreur de position. On présente aussi un exemple de la fabrication du masque chrome par EB52, dans lequel l'exactitude au-dessus ± 0,2 μm est réalisée avec la correction distortion détournée et la correction de rayon rusé employant la marque standard sur l'étape X-Y