MODELING AND PERFORMANCE OF DOUBLE HETEROJUNCTION GaAlAs/GaAs INTEGRATED INJECTION LOGIC. FABRICATION AND DC CHARACTERIZATION OF THE BASIC CELL

This paper first presents a quantitative estimate of the potentialities of the GaAlAs/GaAs H.I2L which relies on an accurate modeling related to physical device parameters. The interdependence of the forward and reverse current gains of the DHBTs processed by MBE and Mg-ion implantation which is subsequently analysed provides a verification of the charge-control models used for this evaluation

Modèle analytique compact d'une hétérojonction isotype GaAlAs/GaAs

A charge-control type model, based on the macroscopic theory of the diffusion, and using the energy band diagram proposed by Anderson, is presented. This model accounts for the more or less gradual change of the gap at the junction and allows to present the current variation law with the applied voltage under a compact analytical form. The typical parameters of this model are given as a function of the technological and geometrical characteristics of the junction.Dans le cadre de la théorie macroscopique de la diffusion et à partir du diagramme des bandes d'énergie proposé par Anderson, un modèle « à contrôle de la charge » est établi. Celui-ci prend en compte le caractère plus ou moins graduel du changement de largeur de bande interdite à la jonction et permet de préciser la loi de variation du courant avec la tension appliquée par des relations analytiques compactes. Les paramètres de ce modèle sont exprimés en fonction des caractéristiques technologiques et géométriques de la jonction

Etude théorique des performances de l'inverseur ECL à base de transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs

Dans cet article, nous rappelons les propriétés essentielles de la logique à émetteur couplé (E.C.L.) à base de transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs. Nous présentons tout d'abord le modèle choisi pour simuler l'évolution du temps de propagation par porte en fonction de la puissance consommée. Une étude d'optimisation sur l'évolution du temps de propagation en fonction des valeurs typiques des principaux paramètres technologiques des transistors est ensuite effectuée. La simulation électrique d'un oscillateur en anneau a permis de calculer des temps de propagation par porte de 20 ps pour une puissance consommée de 4 mW. Une comparaison avec l'état de l'art est enfin illustrée ; la comparaison avec les performances des circuits silicium montre l'intérêt de la filière bipolaire sur GaAs

Etude théorique des performances de l'inverseur ECL à base de transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs

In this paper, we first report the emitter coupled logic (E.C.L.) characteristics with GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistors. Then, we present a theoretical study of the ECL potentialities, based on a ring oscillator simulation. The circuit behaviour sensitivity to the HBT's parameters variations is discussed. A propagation time of 20 ps for a 4 mW power dissipation have been obtained. At last, we confront our performances with the Si circuit's ones to show the interest of the GaAs bipolar branch.Dans cet article, nous rappelons les propriétés essentielles de la logique à émetteur couplé (E.C.L.) à base de transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs. Nous présentons tout d'abord le modèle choisi pour simuler l'évolution du temps de propagation par porte en fonction de la puissance consommée. Une étude d'optimisation sur l'évolution du temps de propagation en fonction des valeurs typiques des principaux paramètres technologiques des transistors est ensuite effectuée. La simulation électrique d'un oscillateur en anneau a permis de calculer des temps de propagation par porte de 20 ps pour une puissance consommée de 4 mW. Une comparaison avec l'état de l'art est enfin illustrée ; la comparaison avec les performances des circuits silicium montre l'intérêt de la filière bipolaire sur GaAs

BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques

L'intégration monolithique et verticale par E.P.L. d'un circuit optoélectronique associant une diode laser GaAlAs type VSIS et un phototransistor à hétérojonction GaAlAs/GaAs par E.P.L. est réalisée. Un couplage optique entre les deux composants, débouchant sur une fonction de « monostable optique » est mis en évidence et analysé

BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques

A GaAlAs VSIS laser diode has been monolithically integrated with a heterojunction Bipolar phototransistor on a P GaAs substrate by E.P.L. A switching function produced by the optical coupling between the two devices is obtained and studied.L'intégration monolithique et verticale par E.P.L. d'un circuit optoélectronique associant une diode laser GaAlAs type VSIS et un phototransistor à hétérojonction GaAlAs/GaAs par E.P.L. est réalisée. Un couplage optique entre les deux composants, débouchant sur une fonction de « monostable optique » est mis en évidence et analysé