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ÉVIDENCE D'UN DÉSORDRE A MOYENNE DISTANCE DANS LES SOLIDES. INTERPRÉTATION DES PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES DES SEMICONDUCTEURS DÉSORDONNÉS
On montre la nécessité de considérer l'existence d'un désordre à moyenne distance dans les semiconducteurs désordonnés. Il provoque la localisation d'une partie des porteurs dans les puits de potentiel, et explique quantitativement les variations de la mobilité d'entraînement et de la conductivité électrique avec la température et la fréquence.The necessity of considering a medium range disorder in disordered semiconductors is shown. This disorder is responsible for the localization, in potential wells, of a part of the total carriers density, and explains quantitatively the variations of drift mobility and electrical conductivity versus temperature and frequency
The evaluation of boron purity by means of electrical measurements
International audienceFrom measurements performed on boron samples thoroughly characterized with respect to their crystalline nature and impurity content, a correlation between electrical properties and purity is pointed out. In particular, the conditions under which room temperature resistivity measurements can be considered as a criterion of purity are discussed