Caractérisation structurale et morphologique de couches minces épitaxiées de ZnSe déposées sur GaAs

Des couches minces épitaxiées de ZnSe ont été déposées par ablation laser sur des substrats monocristallins de GaAs. L'influence de la température du substrat ainsi que son état de surface sur la qualité structurale de ces couches a tout d'abord été étudiée par Diffraction de Rayons X (XRD). Une épitaxie complète de ZnSe a été obtenue pour des températures de substrat > 420°C. La morphologie de la surface libre de ZnSe a également été étudiée par Microscopie à Force Atomique (MM) et Microscopie Electronique à Balayage (MEB). La qualité structurale et morphologique de ces couches a été comparée à celle de couches minces de SnSe obtenues par Epitaxie en Phase Vapeur à partir d'organo-Métalliques (MOCVD) ou par Epitaxie par Jets Moléculaires (MBE). On a pu constater que l'ablation laser (PLA) est une technique de dépôt qui permet d'obtenir des couches épitaxiées de qualité comparable à celle de couches préparées par MOCVD et MBE.Thin epitaxial layers of ZnSe have been deposited on singlecrystalline GaAs substrate by Pulsed Laser Ablation (PLA). The influence of the substrate temperature and its surface state on the structural quality of these layers has-been first studied by X-ray diffraction (Xb). A full epitaxial growth of ZnSe has been obtained for substrate temperatures > 420°C. The surface morphoIogy of ZnSe has also been studied by Atomic Force Microscopy (AFM) and Scanning Electron Microscopy (SEM). The structural and morphological quality of these ZnSe epilayers on GaAs has been compared to these of epilayers produced by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) or by Molecular Beam Epitaxy (MBE). We can notice that the Pulsed Laser Ablation (PLA) is an alternative technique which allows to prepare ZnSe epilayers of a quality comparable to that of the layers obtained by MOCVD or MBE

Structural properties of cobalt ferrite thin films deposited by pulsed laser deposition: Effect of the reactive atmosphere

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