TIME RESOLVED RAMAN SPECTROSCOPY OF OPTICALLY GENERATED PHONONS IN III-V SEMICONDUCTORS

Grâce à un laser sub-picoseconde et à un système de diffusion Raman muni d'1 détecteur multicanaux ultra-sensible, nous avons obtenu des spectres de diffusion Raman résolus en temps à l'échelle de la sub-picoseconde et mesuré ainsi la dynamique des phonons LO hors d'équilibre dans GaAs et InAs. La dépendance en temps de la population de phonons en excès les variations du spectre avec le temps et le niveau d'excitation ont été étudiés.A sub-picosecond laser and a highly sensitive multichannel detector Raman scattering system have been combined to perform sub-picosecond, time resolved Raman scattering experiments on the dynamics of non-equilibrium LO phonons in GaAs and InAs. The time dependence of the excess phonon population and the changes in the spectral content with both time and excitation level have been studied