Rétrodiffusion d'ions de gaz rares de faible énergie par la surface d'un solide : mécanismes fondamentaux et application à la détermination des structures cristallines de surface

Interaction mechanisms of low energy (200 to 2 000 eV) noble gas ions ( 3He+, 4He+, 20Ne+ ) with a solid surface are described. It is shown that, in this energy range, only single and double collisions have to be considered. This allows a straight forward geometric interpretation of ionic trajectories and makes possible the determination of surface atome structures. The method is illustrated on the case of adsorbed layers on Ni (001).On décrit les mécanismes d'interaction d'ions de gaz rares (3He +, 4He+, 20Ne+) de faible énergie (200 à 2 000 eV) avec la surface d'un solide : section efficace de collision, probabilité de neutralisation, influence de la température, effets de masquage. Pour cette gamme d'énergie, un modèle classique de collisions binaires rend compte des résultats expérimentaux, ce qui permet une interprétation géométrique directe des trajectoires ioniques et rend possible la détermination de la structure cristalline de la surface. On illustre la méthode sur le cas des couches adsorbées sur Ni (001)

Appareillage et méthodologie d'étude des surfaces de GaAs en cours de croissance en épitaxie phase vapeur

La caractérisation, à l'échelle microscopique, de l'interface solide-vapeur au cours d'une réaction d'épitaxie en phase vapeur apporterait des éléments essentiels à la compréhension des mécanismes de croissance cristalline. On décrit ici un appareillage capable d'accéder à l'interface de croissance in vivo. Pour cela, un réacteur d'épitaxie vapeur a été aménagé pour permettre des mesures d'ellipsométrie. Pour compléter les informations obtenues, un système de sas permet un transfert direct dans un bâti ultra-vide où on examine la surface en diffraction électronique LEED et RHEED et en spectrométrie AUGER. On illustre le fonctionnement du système sur le cas de couches épitaxiales de GaAs (100) préparées dans le système H2-GaAs-AsCl 3

Appareillage pour étude par diffraction d'électrons lents à température variable dans la gamme 20 °K-150 °K

A low energy electron diffraction apparatus is described for experiments in the range 20 °K-150 °K, with the possibility of fast temperature variations in that range. The major difficulties of such an apparatus are pointed out. The corresponding solutions are presented and justified.On présente un appareillage permettant l'étude par diffraction d'électrons lents (DEL) de surface refroidis à des températures aussi basses que 20 °K et ajustables rapidement dans la gamme 20 °K-150 °K. On met en évidence les difficultés principales à surmonter dans une telle réalisation. On expose les solutions retenues

Appareillage pour étude par diffraction d'électrons lents à température variable dans la gamme 20 °K-150 °K

On présente un appareillage permettant l'étude par diffraction d'électrons lents (DEL) de surface refroidis à des températures aussi basses que 20 °K et ajustables rapidement dans la gamme 20 °K-150 °K. On met en évidence les difficultés principales à surmonter dans une telle réalisation. On expose les solutions retenues

Electroréflexion et ellipsométrie spectroscopique d'hétérostructures InGaAsP/InP et GaAlAs/GaAs

Two complementary, non destructive and sensitive optical technics (electroreflectance and spectroscopic ellipsometry) are used to analysed semiconductor multilayers. Ultra thin layer of InP is detected on InGaAsP quaternary alloy. On stacked heterostructures with ultra thin layers, chemical compositions, thicknesses, interfaces quality, mechanical stresses and the mains optical transitions are determined. Electronic levels of a GaAs double quantum well in a GaAlAs matrix are measured by electroreflectance.On utilise deux techniques optiques sensibles non destructives et complémentaires : l'électroréflexion et l'ellipsométrie spectroscopique pour analyser des structures semiconductrices multicouches. On montre, sur un alliage quaternaire de GaInAsP, qu'il existe une bi-couche d'InP. Sur des empilements d'hétérostructures contenant des couches ultra-minces, on détermine la composition chimique des couches, les épaisseurs, la qualité des interfaces, les contraintes mécaniques et les principales transitions optiques. On mesure par électroréflexion les niveaux électroniques d'un double puits quantique de GaAs dans une matrice de GaAlAs

Structures de guides optiques et modulateurs epitaxies sur GaAs

CNRS AR 11888 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

Analyse microscopique a haute resolution laterale de surface de GaAs a divers stades de traitement

SIGLECNRS AR 11206 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc