Réalisation de circuits intégrés I2^\mathsf{2}L à base de transistors bipolaires a double hétérojonction GaAlAs/GaAs

GaAlAs/GaAs double heterojunction bipolar transistors (DHBT's) have a number of advantages for I$^2$L (integrated injection logic) high speed integrated circuits concerning the interchangeability between the emitter and the collector and a high design flexibility due to the use of two heterojunctions. We present the fabrication process of an I$^2$L integrated circuit including a frequency divider-by-two and a ring oscillator which presents a propagation delay time of 1.2 ns for a power consumption of 8 mW.Les transistors bipolaires à double hétérojonction GaAlAs/GaAs (TBDH) présentent de nombreux avantages pour leur application dans des circuits intégrés de logique I$^2$L (logique à injection intégrée), dont en particulier l'interchangeabilité entre émetteur et collecteur, et la liberté de conception résultant de l'utilisation de deux hétérojonctions. Dans ce cadre nous décrivons les principales étapes technologiques de fabrication d'un circuit intégré I$^2$L comportant un diviseur de fréquence par 2 et un oscillateur en anneau. Ce demier présente un temps de propagation de 1,2 ns pour une puissance dissipée de 8 mW