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Optical and Electrical Properties of SnO 2
Get PDFTin oxide films were deposited on glass substrates by reactive and non reactive r.f. sputtering using
different types of targets corresponding to various Sn/F atomic ratio: hot pressed Sn–SnF2 or
SnO2–SnF2 mixtures, ceramics obtained by casting either an aqueous SnO2–SnF2 slurry or a suspension
of tin oxide in molten tin fluoride. The samples were prepared in oxygen-argon gas mixtures in which
the oxygen concentration was varied from 0 mole % up to 30 mole% depending on the target. The
optical and electrical properties of the obtained thin films have been studied and compared to those of
the films obtained by spray technique
Observation comparative du déplacement ionique dans les couches minces de PbF2 β et de CaF2 par diffusion Rutherford
No full textDes couches minces de PbF2 β et de CaF2, dont les conductivités ioniques sont très différentes, ont été analysées par rétro-diffusion de particules α. On a pu observer, dans le cas de PbF2, une variation importante du rapport des concentrations fluor/plomb dans l'épaisseur de la couche, correspondant à une accumulation de fluor du côté du faisceau incident. Cet effet est atténué dans les couches de CaF2. L'interprétation des résultats est basée sur l'existence d'un nombre important de défauts créés par le faisceau, et sur leur déplacement sous l'effet de la charge superficielle due à l'émission secondaire d'électrons
Influence of Thermal Treatment on The Electronic Properties of ITO Thin Films Obtained by RF Cathodic Pulverization. Study of Solar Cells Based on Silicon/(RF Sputtered) ITO Junctions
Get PDFITO (Indium Tin Oxide) thin films obtained by R.F cathodic sputtering have been studied. The influence
of thermal treatment on the electronic properties of the films has been particularly investigated. Electrical
measurements were performed between 95 and 600 K. Free carriers concentration in the film were
measured by Hall effect coefficient. Optical indices were determined by computer drawing of charts
allowing to simplify Manifacier method
Élaboration par CVD de WSe
No full textNous présentons les premiers résultats de l’étude des conditions de préparation, par CVD, de WSe2 en couches minces. Nous avons utilisé un appareillage classique de CVD (à parois chaudes) fonctionnant à pression atmosphérique et utilisant WF6 et H2Se comme agents vecteurs de W et de Se. les couches déposées sur des substrats de nature différente (Quartz, silice, alumine, mica et différents métaux), dans un intervalle de température allant de 300°C à 700°C, ont été caractérisées par différentes techniques: RBS, RX, EDAX, microscopie optique et électronique à balayage. Ces analyses montrent qu’on peut obtenir dans certaines conditions, des couches stoechiométriques (NSe/NW = 2) présentant une cristallisation préférentielle marquée. Les spectres d’absorption optique obtenus avec ces couches sont semblables à ceux des monocristaux et leur stabilité photoélectrochimique est très bonne
Dissipation processes of an oscillating microlever in non-contact resonant mode: a mechanical approach
No full textno abstrac
Transport properties of Ni-WS2 photoconductive thin films
No full textInternational audienceno abstrac
