Политическая культура учащихся в современном российском обществе

The article concerns conceptual bases of students' political culture which reflect its essence, functions and peculiarities of the formation process.В статье рассматриваются концептуальные основы политической культуры учащихся, отражающие ее сущность, функции, особенности процесса формирования

Фотолюмінесценція стекол 70Ga2S3 – 30La2S3 легованих Ербієм

Glasses of the composition (70–X) mol.% Ga2S3 - 30 mol.% La2S3 - X Er2S3 (at X = 0, 1, 3) were synthesized  and the optical absorption spectra at room temperature were studied. Photoluminescence spectra in the 2.53 - 0.73eV range at 300 and 80K were investigated. Intense PL maxima at 2.25, 1.88, 1.45, 1.26, 1.13, 0.81 eV were found which correspond to transitions in the f-shell of erbium ions. The redistribution of the intensity of PL peaks with temperature was analyzed based on the energy transition diagram of erbium ions.Синтезовано стекла (70-X) mol % Ga2S3 - 30 mol % La2S3 - X Er2S3 (при Х = 0, 1, 3) та досліджено спектри оптичного поглинання за кімнатної температури. Проаналізовано спектри фотолюмінесценції в діапазоні 2,53 - 0,73 еВ при температурі 300 та 80 К. Встановлено інтенсивні ФЛ максимуми 2,25, 1,88, 1,45, 1,26, 1,13, 0,81 еВ, що відповідають переходам в f-оболонці іонів Ербію. На основі діаграми енергетичних переходів в іонах Ербію проаналізовано перерозподіл інтенсивності між максимумами ФЛ при зміні температури

General slavic terminology: main trends of study

The paper attempts to analyze main paradigm, aspectual, cross-paradigm, cross-aspectual and cross-disciplinary trends of study of the general Slavic terminology development in the late XX – early XXI centuries. Fundamental papers of Russian, Ukrainian, Belorussian, Polish, Czech, Bulgarian, Slovakian and Slovenian scholars are systematized according to the existing trends in the field of terminology.Зроблено спробу проаналізувати основні парадигмальні, аспектуальні, кроспарадигмальні, крос-аспектуальні та крос-дисциплінарні дослідницькі напрями розвитку загального слов’янського термінознавства кінця ХХ – початку ХХІ століття. Відповідно до напрямів систематизовано фундаментальні праці російських, українських, білоруських, польських, чеських, болгарських, словацьких, словенських дослідників у царині термінознавства

Застосування колапсотерапевтичних методів у комплексному лікуванні хворих на деструктивний хіміорезистентний туберкульоз легень

Objective — to determine the effectiveness of using collapsotherapeutic methods in the complex treatment of patients with destructive tuberculosis of the lungs.Materials and methods. The analysis of the results of treatment of 28 patients with common destructive chemoresistant pulmonary tuberculosis, in which were used colapse-therapy methods in a complex of therapeutic measures. Results and discussion. Artificial pneumoperitoneum was used in 17 (60.7 %), artificial pneumo-thorax — in 11 (39.3 %) patients, including those with video-assisted thoracoscopic pneumolysis — in 5 (17.9 %). Collapse of the lung was maintained for 8 to 12 months. Clinical and radiological positive dynamics (improvement of state of health, normalization of body temperature, reduction of sputum excretion to < 10 mL/day, resorption of infiltration and closure of cavities of destruction) was observed in 84 % of patients, the negative result of sputum microscopy was observed in more than half of the subjects 6 months after beginning treatment. Closure of cavities of destruction by scarification was achieved in 7 patients, in 4 cases cavities of decay were formed in tuberculomas. In 5 patients, the outcome of the tuberculous process was observed in cirrhosis.Conclussions. The use of collapsotherapy in the complex treatment of patients with destructive chemoresistant tuberculosis allowed achieving satisfactory results in 24 (85.7 %) cases. The cure was achieved in 19 (67.9 %) patients, of whom 3 (10.7 %) did not need surgical treatment. Complications of collapse therapy were observed in 8 (28.6 %) patients, however, additional measures (drainage of the pleural cavity with constant aspiration) required only 2 patients.Цель работы — определить эффективность применения коллапсотерапевтических методов в комплексном лечении больных деструктивным химиорезистентным туберкулезом легких. Материалы и методы. Проведен анализ результатов лечения 28 больных распространенным деструктивным химиорезистентным туберкулезом легких, у которых в комплексе лечебных мероприятий применялись коллапсотерапевтические методы. Результаты и обсуждение. Искусственный пневмоперитонеум был применен у 17 (60,7 %), искусственный пневмоторакс — у 11 (39,3 %) больных, в том числе с видеоторакоскопическим пневмолизом — у 5 (17,9 %). Коллапс легкого поддерживался в течение 8—12 мес. Клинико-рентгенологическая позитивная динамика (улучшение самочувствия, нормализация температуры тела, уменьшение выделения мокроты до < 10 мл/день, рассасывание инфильтрации и закрытие полостей деструкции) наблюдали у 84 % больных, результат микроскопии мокроты был негативным более чем у половины обследованных через 6 мес от начала лечения. Закрытие полостей распада путем рубцевания достигнуто у 7 больных, у 4 — на месте полостей распада сформировались туберкуломы. У 5 пациентов наблюдался исход туберкулезного процесса в цирроз. Выводы. Применение коллапсотерапевтических мероприятий в комплексном лечении больных деструктивным химиорезистентным туберкулезом позволило достичь удовлетворительных результатов у 24 (85,7%) пациентов. Излечение достигнуто у 19 (67,9 %) пациентов, из числа которых в 3 (10,7%) применение оперативного лечения не понадобилось. Осложнения коллапсотерапевтического лечения наблюдались у 8 (28,6 %) больных, однако в дополнительных вмешательствах (дренирование плевральной полости с постоянной аспирацией) нуждались толька 2 пациента.Мета роботи — визначити ефективність застосування колапсотерапевтичних методів у комплекс­ному лікуванні хворих на деструктивний хіміорезистентний туберкульоз легень.Матеріали та методи. Проведено аналіз результатів лікування 28 хворих на поширений деструктивний хіміорезистентний туберкульоз легень, у яких у комплексі лікувальних заходів застосовувалися колапсотерапевтичні методи. Результати та обговорення. Штучний пневмоперитонеум був застосований у 17 (60,7 %), штучний пневмоторакс — у 11 (39,3 %) хворих, у тому числі з відеоторакоскопічним пневмолізом — у 5 (17,9 %). Колапс легені підтримувався протягом 8—12 міс. Клініко-рентгенологічна позитивна динаміка (поліпшення самопочуття, нормалізація температури тіла, зменшення виділення харкотиння до < 10 мл/день, розсмоктування інфільтрації та закриття порожнин деструкції) спостерігали у 84 % хворих, результат мікроскопії харкотиння був негативний більш ніж у половини обстежених через 6 міс від початку лікування. Закриття порожнин розпаду шляхом рубцювання досягнуто у 7 хворих, у 4 — на місці порожнин розпаду сформувалися туберкуломи. У 5 хворих спостерігався вихід туберкульозного процесу у цироз. Висновки. Застосування колапсотерапевтичних заходів у комплексному лікуванні хворих на деструктивний хіміорезистентний туберкульоз дало змогу досягти задовільних результатів у 24 (85,7 %) спостереженнях. Вилікування досягнуто у 19 (67,9 %) пацієнтів, з яких у 3 (10,7 %) застосування оперативного лікування не знадобилося. Ускладнення колапсотерапевтичного лікування спостерігалися у 8 (28,6 %) хворих, однак додаткових заходів (дренування плевральної порожнини з постійною аспіра­цією) потребували тільки 2 пацієнти

Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції

The investigation of the properties of novel multicomponent chalcogenide single crystals is one of the principal directions of modern semiconductor optoelectronics. Particular attention is paid to the study of the photoluminescence properties of rare earth-doped chalcogenide semiconductors in the visible and near infrared range. This is due to the use of these materials in telecommunication devices, laser and sensor technology. We describe here the growth technique of the single crystal (Ga69.5La29.5Er)2S300 composition by solution-melt method. X-ray diffraction methods confirm its crystallization in the space group Pna21. Optical absorption spectrum of the single crystal in the visible and near infrared range was studied . Using the functional dependence of 2 on h for direct transitions, the bandgap energy of the semiconductor was determined as 1.99 ± 0.01 eV. The increase in the dopant concentration from 0.2 to 0.4 at. % Er does not significantly change the band structure of the single crystal, therefore the bandgap energy is unchanged as well. Narrow absorption bands were recorded that are related to the transitions 4I15/2 → 4I11/2, 4I15/2 → 4I9/2, 4I15/2 → 4F9/2 in the f-shell of erbium ions. High concentration of energy levels in the band gap associated with the structure defects of the crystal results in the high value of the optical absorption coefficient. Photoluminescence excitation was achieved by a 532 nm (2.33 eV) laser at 150 mW. Intense Stokes photoluminescence bands were recorded at 1.53 and 0.805 eV, as well as lower-intensity maxima at 1.45, 1.27, 1.88 eV. These emission bands correspond to the transitions 4I9/2→4I15/2, 4I13/2→4I15/2, 4S3/2→4I13/2, 4I11/2→4I15/2, 4F9/2→4I15/2 in Er3+ ions, respectively. An energy transition diagram for the f-shell of Er3+ ions in the (Ga69.5La29.5Er)2S300 single crystal was plotted. The emission mechanism and the important role of the cross-relaxation processes between the ground and excited states of Er3+ ions were established. As a result of the influence of the local crystalline field on erbium ions, the Stark splitting of the 4I13/2, 4I15/2 levels and the widening of the photoluminescence band with the maximum at 0.805 eV is observed. Intense infrared bands of the photoluminescence (1.53 and 0.805 eV) create prerequisites for using the (Ga69.5La29.5Er)2S300 single crystal in sensor technology and optoelectronic devices.Дослідження властивостей нових багатокомпонентних халькогенідних монокристалів є одним із основних напрямків сучасної напівпровідникової оптоелектроніки. Особлива увага приділяється вивченню фотолюмінесцентних властивостей халкогенідних напівпровідників у видимому та близькому інфрачервоному діапазонах, які леговані рідкісноземельними металами. Це пов’язано із використанням цих матеріалів в телекомунікаційних пристроях, лазерній та сенсорній техніці. В роботі описано методику вирощування монокристалу складу (Ga69.5La29.5Er)2S300 розчин-розплавним методом. Методом рентгенофазового аналізу підтверджена його кристалізація у просторовій групі Pna21. Досліджено спектр оптичного поглинання монокристалу у видимому та близькому інфра-червоному діапазоні. На основі функціональної залежності 2 від h для прямих переходів визначено ширину забороненої зони напівпровідника, яка становить 1,99 ± 0.01 еВ. Збільшення концентрації легуючої домішки (з 0,2 до 0,4 ат. % Er) не вносить значних змін в зонну структуру монокристалу, тому не змінює ширину забороненої зони напівпровідника. Зафіксовано вузькі смуги поглинання, які пов’язані з переходами (4I15/2 → 4I11/2, 4I15/2 → 4I9/2, 4I15/2 → 4F9/2) в f-оболонці іонів ербію. Велика концентрація енергетичних рівнів в забороненій зоні, що пов’язані із структурними дефектами кристалу, обумовлюють високе значення коефіцієнта оптичного поглинання. Збудження фотолюмінесценції здійснено лазером із довжиною хвилі 532 нм (2.33 еВ) потужністю 150 мВт. Зафіксовано інтенсивні смуги стоксівської фотолюмінесценції: 1.53, 0.805 еВ, а також максимуми меншої інтенсивності: 1,45, 1,27, 1,88 еВ. Ці смуги випромінювання відповідають переходам 4I9/2→4I15/2, 4I13/2→4I15/2, 4S3/2→4I13/2, 4I11/2→4I15/2, 4F9/2→4I15/2 в Er3+ іонах відповідно. Побудовано діаграму енергетичних переходів в f-оболонці іонів Er3+ для монокристалу (Ga69,5La29,5Er)2S300. Встановлено механізм випромінювання та важливу роль процесів кросрелаксації між основним та збудженими станами іонів Er3+. Внаслідок впливу локального кристалічного поля на іони ербію відбувається штарківське розщепленням рівнів 4I13/2, 4I15/2 і розширення смуги фотолюмінесценції із максимумом 0,805 еВ. Інтенсивні інфрачервоні смуги випромінювання (1,53 та 0,805 еВ) створюють передумови для використання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 в сенсорній техніці та оптоелектронних приладах