STUDY OF CHEMICAL COMPOSITION AND ELECTRONIC STRUCTURE OF HIGH-MELTING COMPOUNDS OF ZIRCONIUM BY ELECTRONIC AES

Les changements de composition et de structure électronique des couches superficielles de carbures ZrCx et des nitrures ZrNy dans les domaines d'existence (0,51 < x ≤ 1,0, 0,76 ≤ y ≤ l,0),produits par chauffage sous bombardement électronique dans une gamme de températures de 300 K ≤ Th ≤ 2300 K sont étudiés par spectrométrie d'électrons Auger.Changes in chemical composition and electronic structure of surface layers of ZrCx and ZrNy in areas of homogeneity (0.51 < x ≤ 1.0, 0.76 ≤ y ≤ 1.0) under the action of sample heating by electron bombardment within the temperature range 300 K ≤ Th ≤ 2300 K have been studied using layer-bylayer analysis of sample surface by AES

ELECTRONIC STRUCTURE OF AMORPHOUS Si3N4

On a effectué l'interprétation des états électroniques dans la bande de valence et la bande de conduction du Si3N4 amorphe et on a établi le diagramme des énergies d'après les spectres d'émission et le rendement quantique de SiK -, SiL2,3 -, NK en combinaison avec les données de la spectroscopie des photoélectrons de rayons X des couches internes et de la bande de valence.There is performed interpretation of electronic states in valence and conduction bands of amorphous Si3N4 and constructed an energy diagram of electronic levels using X-ray SiK -, SiL2.3 -, HK - emission and quantum yield spectra in combination with the XPS data of inner levels