Laser induced crystallization of a-Si : H thin films

Crystallization in amorphous silicon thin films can be induced by irradiation from a continuous Ar-ion laser. Comparison with the solution of the heat-flow equation shows that the maximum temperature during the crystallization is about 770 °C, well below the melting temperature of the material.La cristallisation des films amorphes de a-Si : H peut être induite par un faisceau Ar-ion laser continu. La comparaison des résultats de l'expérience avec la résolution de l'équation de la densité de flux thermique montre que le maximum de température au cours de la cristallisation est voisin de 770 °C, considérablement plus bas que le point de fusion du silicium amorphe