THE OXIDATION OF CERIUM : A SXAPS STUDY

The valence transition of trivalent γ-Ce to tetravalent cerium with oxidation has been studied with Soft X-ray Appearance Potential Spectroscopy (SXAPS). The spectra are discussed within the framework of the Gunnarsson-Schönhammer-model. The inclusion of multiplet effects allows the determination of the 4f-count of cerium in CeO2

MIS-Inversionsschicht-Solarzelle mit dotiertem Sol-Gel-Dielektrikum Schlussbericht

It was the aim of the present work to be make available a novel and inexpensive fabrication process for MIS-inversion layer solar cells with doped sol-gel dielectric. The high potential of silicate based sol-gel materials (SiO_2-SOG) for the development of thin dielectric SiO_2-layers was demonstrated. The appropriate process conditions, i.e. spin-on speed and baking parameters, for different Cs"+ doped Sol-Gel materials are investigated. The electrical and optical properties of the SiO_2-layers and the quality of the SiO_2/Si interface have been characterized. Furthermore different metal-oxide dielectrics (Ta_2O_5; TiO_2) have been studied with consideration to their applicability as highly efficient antireflection coating (ARC) for MIS-inversion layer solar cells. MIS-inversion layer solar cells with a double layer system (SiO_2/Ta_2O_5) consisting of a thin SiO_2 layer and a Ta_sO_5 antireflection coating on top of it have been successfully and reproducibly fabricated on 3'' wafer size. Efficiencies over 15% have been achieved on monocrystalline silicon, already these values are comparable to other optimized MIS-inversion layer solar cells. The fillfactor amounts to 76,5% and the open-circut voltage V_#propor to# is 630 mV. With a optimized double layer system (SiO_2/Ta_2O_5) higher efficiencies may be achieved. (orig.)Ziel des Forschungsprojektes war es, ein neues und kostenguenstiges Herstellungsverfahren fuer MIS-Inversionsschicht-Solarzellen mit dotiertem Sol-Gel-Dielektrikum zur Verfuegung zu stellen. Im Rahmen dieser Arbeit wird das hervorragende Entwicklungspotential fuer silikatartige Sol-Gel-Materialien (SOG) zur Herstellung dielektrischer Siliziumdioxidschichten aufgezeigt. Fuer verschiedene mit Cs"+-Ionen dotierte SOG-Materialien sind die Beschichtungsparameter fuer das Spin-on Verfahren und die anschliessenden notwendigen Temperprozesse bestimmt worden. Die elektrischen und optischen Eigenschaften der erzeugten SiO_2 Schichten sowie die Beschaffenheit und Qualitaet der SiO_2/Si Phasengrenze sind charakterisiert worden. Desweiteren sind unterschiedliche Metalloxid-Dielektrika (Ta_2O_5; TiO_2) auf ihre Eignung und Einsatzmoeglichkeit als hocheffiziente Antireflexionsbeschichtung (AR-Coating) untersucht worden. Erfolgreich konnten MIS-Inversionsschichten-Solarzellen mit einem Doppelschichtsystem (SiO_2/Ta_2O_5) reproduzierbar hergestellt werden. Die Charakterisierung der Solarzellen im eigenen Labor lieferte Wirkungsgrade oberhalb von 15%; schon jetzt sind die erreichten Werte mit anderen optimierten MIS Solarzellen vergleichbar. Die Fuellfaktoren betrugen 76,5% und die Leerlaufspannungen lagen bei 630 mV. Eine weitere Optimierung des Doppelschichtsystems (SiO_2/Ta_2O_5) bietet die Moeglichkeit, hoehere Wirkungsgrade zu erzielen. (orig.)SIGLEAvailable from TIB Hannover: F96B1337+a / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekBundesministerium fuer Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie, Bonn (Germany)DEGerman