Utilisation de bronze quadratique de tungstène et de relaxors pour l'élaboration de compositions diélectriques et de condensateurs multicouches à forte constante diélectrique, de type I et de type II

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ETUDE DU MATERIAU DIELECTRIQUE CERAMIQUE (ZR,SN)TIO 4 POUR FILTRES HYPERFREQUENCES (OPTIMISATION DU MELANGE - BROYAGE PAR ATTRITION, REDUCTION DES PERTES DIELECTRIQUES)

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Réalisation de compositions diélectriques pour condensateurs de type I à base de titanate de magnésium MgTiO3 destinés à la fabrication de condensateurs multicouches à armatures de cuivre

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NOUVEAUX MATERIAUX DIELECTRIQUES A BASE DE PEROVSKITES AU PLOMB POUR CONDENSATEURS MULTICOUCHES DE TYPE II

La phase pyrochlore toujours observée à côté des pérovskites au plomb par synthèse directe à partir des oxydes, dans les diagrammes Pb(Mg1/3Nb2/3)O3- Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 et Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 a été éliminée. Il en résulte des constantes diélectriques plus élevées, supérieures à 15000 pour des températures de frittage de l'ordre de 1000 degrés. L'utilisation d'ajouts à base de sels alcalins permet d'augmenter encore ces constantes tout en abaissant notablement la température de frittage.The pyrochlore phase always observed besides the lead perovskites, by direct synthesis from the oxides, in the diagrams Pb(Mg1/3Nb2/3O3-Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 and Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 was eliminated. It results in higher dielectric constants greater than 15000 for sintering temperatures as low as 1000°C. The addition of alcaline salts in small amounts allows to increase the dielectric constants and to decrease the sintering temperature

EVOLUTION DE LA MICROSTRUCTURE DE BaTiO3 AU COURS DE SON FRITTAGE : EFFETS DE LA CINETIQUE

Nous avons effectué une exploration systématique d'observations au MEB sur fractures ou sur échantillons polis et attaqués de BaTiO3 obtenus par trempes effectuées à des valeurs du retrait prédéterminées lors de cycles de frittage à des cinétiques différentes. Nous avons pu ainsi vérifier l'incidence directe du paramètre cinétique sur l'évolution de la microstructure.We have purchased systematical SEM observations made on fractured or polished and etched BaTiO3 samples obtained by quenching at predetermined values of shrinkage. The aim of that work was to know the evolution of the microstructure of the ceramic during sintering cycles with different kinetics

Appareil permettant la caractérisation thermique de substrats et matériaux à forte conductibilité pour micro-électronique

The thermal characterization of aluminum nitride AIN substrates is an important task for microelectronics. The usual method, so called “laser-flash", can hardly been used for substrates, as it needs samples with a thickness higher than 3 mm. This method has been recently modified, but involves a heavy equipment to be used. We have developed in C.N.E.T. Lannion a method on the principle of the measurement of the thermal flux through a sample placed in a known thermal gradient. This method was first developed to characterize low thermal conductivity samples. We then adapted it to the new problem related to the characterization of high thermal conductivity substrates as AIN ones, the thermal conductivity of which being as high as 200 W/m.K. The apparatus we developed, that is now commercially available, allows to measure directly in some minutes the thermal conductivity of samples with an accuracy of 10% in a range values of 10 to 400 W/m.K.La caractérisation thermique des substrats en nitrure d'aluminium AIN est un problème actuel en micro-électronique. La méthode classique dite du “flash-laser”, est mal adaptée à ce type de matériau, car nécessitant des échantillons d'épaisseur supérieure à 3 mm. Cette méthode a été nouvellement adaptée mais au prix d'un investissement relativement lourd. Nous avons développé au C.N.E.T. Lannion une méthode de caractérisation basée sur le principe de la mesure du flux thermique traversant un échantillon soumis à un gradient thermique connu. Originellement conçue pour la caractérisation de substrats de faible conductivité, cette méthode a été adaptée au problème posé par l'apparition de substrats tel le nitrure d'aluminium AIN de conductivité thermique pouvant être supérieure à 200 W/m.K. L'appareil mis au point, maintenant commercialisé, permet la détermination directe de la conductibilité thermique en quelques minutes avec une précision de l'ordre de 10 % pour une gamme de valeur de 10 à 400 W/m.K