Foreign Capital, Political Instability and Financial Performance of Pakistan

Political Instability is one of the most important factor in the development of the country. To check the development of the country one must check the political instability of that country. I defined political instability is somehow the “the prosperity of government clash”. While going through different literature done on the political instability. Study showed that political instability and growth goes hand in hand. They both affect each other respectively. This study showed that investors are attracted only when there is stable environment for the business market. One variable is directed for future research that is corruption. In concluding the article it is concluded that political inability leads towards low growth of the country and similarly vice versa

Dobutamine stress echo has marginal utility and is context-dependent for assessing myocardial ischemia

A clinical appraisal and clinical application of Marcovitz PA, Armstrong WF. Accuracy of dobutamine stress echocardiography in detecting coronary artery disease. Am J Cardiol. 1992;69:1269-127

Dirigisme, politique industrielle et rhétorique industrialiste

Le dirigisme économique français relève de ces évidences peu discutées aussi bien par les acteurs que dans la littérature. Pourtant, une étude empirique systématique des politiques publiques industrielles montre que, hors le cas des « grands projets » où sont mobilisés par un Etat de passe-droit la commande, la recherche, le financement et l'entreprise publics au service d'objectifs de souveraineté, les politiques industrielles relèvent en fait de l'accompagnement de stratégies d'entreprises ou de la recherche de la paix civile. La mise en perspective historique n'infirme pas ce résultat, elle révèle des configurations contrastées de relations Etat-Industrie où l'administration économique agit davantage sur l'environnement de l'entreprise qu'elle ne pèse sur les orientations sectorielles des acteurs. Dès lors, la logique partiellement autonome de la rhétorique industrialiste devient objet d'étude

Petit manuel de stratégies de sortie de crise:Comment rebondir pour éviter l’enlisement ?

La crise amorcée en 2007 à partir d’un segment du marché hypothécaire américain s’est propagée à l’ensemble des marchés financiers, entraînant un risque systémique majeur du système financier international aux conséquences graves sur l’économie réelle. De financière, la crise s’est transformée en crise de l’économie réelle. Et de liquidité, la crise est devenue crise de solvabilité, nécessitant désormais un fort engagement des secteurs publics nationaux. En revenant sur les grandes crises financières qui ont marqué le 20e siècle, cet article établit une chronologie de ces crises à partir de plusieurs critères (contexte historique, déséquilibres économiques et financiers à la veille de la crise, facteurs déclencheurs de crise, stratégies de sortie) afin d’en tirer des recommandations sur les remèdes à mettre en œuvre pour mieux en sortir. La crise amorcée en 2007 à partir d’un segment du marché hypothécaire américain s’est propagée à l’ensemble des marchés financiers, entraînant un risque systémique majeur du système financier international aux conséquences graves sur l’économie réelle. De financière, la crise s’est transformée en crise de l’économie réelle. Et de liquidité, la crise est devenue crise de solvabilité, nécessitant désormais un fort engagement des secteurs publics nationaux. En revenant sur les grandes crises financières qui ont marqué le 20e siècle, cet article établit une chronologie de ces crises à partir de plusieurs critères (contexte historique, déséquilibres économiques et financiers à la veille de la crise, facteurs déclencheurs de crise, stratégies de sortie) afin d’en tirer des recommandations sur les remèdes à mettre en œuvre pour mieux en sortir. La crise de 1929 et la crise japonaise sont les références les plus fréquemment citées, l’une pour la violence du choc et la Grande Dépression qui a suivi l’autre pour sa sortie en déflation sur fonds d’absence de reprise durable. La crise des caisses d’épargne aux États-Unis pendant les années 1980 et des pays scandinaves au tournant des années 1990 sont également étudiées. De ces crises et des stratégies de sortie mises en oeuvre, plusieurs recommandations apparaissent : ■ donner la priorité à la stabilisation financière afin de retrouver un fonctionnement normal des marchés. Dans le cas d’une crise grave, l’ajustement par le marché est un leurre dont les conséquences ne font qu’aggraver la perte de confiance des agents, et donc le risque de faillites bancaires. Les pouvoirs publics doivent organiser les plans de sauvetage via la recapitalisation ou le cantonnement de créances douteuses dans des bad banks ; ■ mettre en place des politiques économiques destinées à faire face aux conséquences réelles de la crise : baisse des taux d’intérêt et mesures budgétaires temporaires et ciblées dans le cas d’une crise conjoncturelle, permanentes et larges dans le cas d’une crise structurelle ; ■ enfin, dans tous les cas, frapper vite et fort. Il n'existe pas de stratégie optimale de sortie de crise. La complexité de l'engagement des pouvoirs réside dans l'arbitrage entre, d'un côté, le risque imminent d'une crise systémique du système financier et, de l'autre, les coûts futurs liés à l'aléa moral et à la soutenabilité des finances publiques. Mais l'urgence devrait l'emporter

Optimizing the Performance of Data Warehouse by Query Cache Mechanism

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Broadband single-mode planar waveguides in monolithic 4H-SiC

Color-center defects in silicon carbide promise opto-electronic quantum applications in several fields, such as computing, sensing and communication. In order to scale down and combine these functionalities with the existing silicon device platforms, it is crucial to consider SiC integrated optics. In recent years many examples of SiC photonic platforms have been shown, like photonic crystal cavities, film-on-insulator waveguides and micro-ring resonators. However, all these examples rely on separating thin films of SiC from substrate wafers. This introduces significant surface roughness, strain and defects in the material, which greatly affects the homogeneity of the optical properties of color centers. Here we present and test a method for fabricating monolithic single-crystal integrated-photonic devices in SiC: tuning optical properties via charge carrier concentration. We fabricated monolithic SiC n-i-n and p-i-n junctions where the intrinsic layer acts as waveguide core, and demonstrate the waveguide functionality for these samples. The propagation losses are below 14 dB/cm. These waveguide types allow for addressing color-centers over a broad wavelength range with low strain-induced inhomogeneity of the optical-transition frequencies. Furthermore, we expect that our findings open the road to fabricating waveguides and devices based on p-i-n junctions, which will allow for integrated electrostatic and radio frequency (RF) control together with high-intensity optical control of defects in silicon carbide.Comment: This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing. This article appeared in Journal of Applied Physics 131, 025703 (2022) and may be found at https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.007716

Stark Tuning and Electrical Charge State Control of Single Divacancies in Silicon Carbide

Neutrally charged divacancies in silicon carbide (SiC) are paramagnetic color centers whose long coherence times and near-telecom operating wavelengths make them promising for scalable quantum communication technologies compatible with existing fiber optic networks. However, local strain inhomogeneity can randomly perturb their optical transition frequencies, which degrades the indistinguishability of photons emitted from separate defects, and hinders their coupling to optical cavities. Here we show that electric fields can be used to tune the optical transition frequencies of single neutral divacancy defects in 4H-SiC over a range of several GHz via the DC Stark effect. The same technique can also control the charge state of the defect on microsecond timescales, which we use to stabilize unstable or non-neutral divacancies into their neutral charge state. Using fluorescence-based charge state detection, we show both 975 nm and 1130 nm excitation can prepare its neutral charge state with near unity efficiency.Comment: 12 pages, 4 figure

Coherent electrical readout of defect spins in 4H-SiC by photo-ionization at ambient conditions

Quantum technology relies on proper hardware, enabling coherent quantum state control as well as efficient quantum state readout. In this regard, wide-bandgap semiconductors are an emerging material platform with scalable wafer fabrication methods, hosting several promising spin-active point defects. Conventional readout protocols for such defect spins rely on fluorescence detection and are limited by a low photon collection efficiency. Here, we demonstrate a photo-electrical detection technique for electron spins of silicon vacancy ensembles in the 4H polytype of silicon carbide (SiC). Further, we show coherent spin state control, proving that this electrical readout technique enables detection of coherent spin motion. Our readout works at ambient conditions, while other electrical readout approaches are often limited to low temperatures or high magnetic fields. Considering the excellent maturity of SiC electronics with the outstanding coherence properties of SiC defects the approach presented here holds promises for scalability of future SiC quantum devices

Infección con Sarcoptes scabiei (Acari: Sarcoptidae) en conejos (Oryctolagus cuniculus): estudio de caso.

A partir de una sospecha de sarna sarcóptica en tres de cinco conejos albinos europeos (Oryctolagus cuniculus), mantenidos con fines experimentales, se hizo un examen general que reveló áreas multifocales de alopecia alrededor de los ojos, las fosas nasales y los labios. Se procesaron cortes de piel y un análisis de PCR con el objeto de identificar los ácaros. La histopatología de los cortes de piel mostró epidermis erupcionada y estrato córneo con una infiltración de células inflamatorias. El raspado o frotis de piel reveló la presencia de ácaros tanto en adultos como en huevos. Al examen microscópico, los ácaros adultos fueron identificados como Sarcoptes (S.) scabiei (Acari: Sarcoptidae). El análisis de muestras de los tres casos por PCR reveló una banda de 311 pb confirmando la infestación de S. scabiei en los conejos. La infección en conejos con S. scabiei puede representar un problema de salud pública de transmisión indirecta debida a la manipulación de conejos infestados. Hasta la presente, este es el primer reporte de infección por S. scabiei en conejos de Pakistán