Amorphe Mischhalbleiter auf der Basis von Silizium fuer Tandemsolarzellen Zwischenbericht

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Duennschichtsolarzellen auf der Basis von amorphem Silizium Schlussbericht

The conversion efficiency, and predominantly the stability with respect to light-induced degradation of amorphous silicon (a-Si:H) based solar cells can considerably be improved by the use of a tandem or triple junction structure. The variation of the optical band-gap of a-Si:H can easily be accomplished by the additional incorporation of germanium or carbon into the amporphous network. However, the density of defect states of such alloys, both at mid-gap and in the band-tails, is strongly enhanced, and thus their optoelectronic properties correspondingly deteriorate with respect to pure a-Si:H. a-Si:H, a-Ge:H and amorphous alloy semiconductors (a-SiGe:H, a-SiC:H) with band-gaps of 1.1...2.1 eV were deposited by various methods, and optimized for the application in pin solar cells. Beyond these accomplishments, pin solar cells were fabricated on a laboratory scale, interface phenomena which substantially influence the device performance were investigated, a description of metastability on thermodynamic grounds was given, and a novel macroscopic grooving of the substrate was tested within first attempts to enhance the stabilized conversion efficiency of amorphous solar cellsDer Wirkungsgrad und vor allem die Stabilitaet gegenueber lichtinduzierter Degradation von Solarzellen auf der Basis amorphen Siliziums (a-Si:H) laesst sich mit Mehrbarrierensystemen, die Absorber mit abgestuften Bandabstaenden verwenden, erheblich verbessern. Die Variation des optischen Bandabstandes von a-Si:H gelingt sehr einfach durch zusAetzlich Einbau von Germanium oder Kohlenstoff, allerdings weisen solche Legierungen erhoehte Zustandsdichten in der Mitte der Quasibandluecke sowie den Bandauslaeufern auf und zeigen entsprechend schlechtere optoelektronische Eigenschaften als amorphes Silizium selbst. a-Si:H, a-Ge:H und amorphe Mischhalbleiter (a-SiGe:H, a-SiC:H) mit Bandabstaenden von (1,1-2,1) eV wurden mit verschiedenen Verfahren hergestellt und fuer die Anwendung in pin-Solarzellen optimiert. Darueber hinaus wurden pin-Solarzellen hergestellt, Grenzflaechenphaenomene untersucht, die deren Wirkungsgrad massgeblich beeinflussen, eine thermodynamisch begruendete Beschreibung der Metastabilitaet der untersuchten Halbleiter gegeben und eine neuartige makroskopische Strukturierung zur Erhhung der stabilisierten Wirkungsgrade amorpher Solarzellen erprobtSIGLEAvailable from TIB Hannover: F94B1214+a / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekBundesministerium fuer Forschung und Technologie (BMFT), Bonn (Germany)DEGerman

Amorphe Mischhalbleiter auf der Basis von Silizium fuer Tandemsolarzellen Schlussbericht

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Duennschichtsolarzellen: Einsatz des CVD-Verfahrens zur Herstellung von a-Si:H-Solarzellen Schlussbericht

SIGLETIB Hannover: FR 2242+a / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekDEGerman

Concordance between two linear orders: The Spearman and Kendall coefficients revisited

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