Electrical detection of spin accumulation in a p-type GaAs quantum well

We report on experiments in which a spin-polarized current is injected from a $GaMnAs$ ferromagnetic electrode into a $GaAs$ quantum well through an AlAs barrier. The resulting spin polarization in the GaAs well is detected by measuring how the current, tunneling to a second $GaMnAs$ ferromagnetic electrode, depends on the orientation of its magnetization. Our results can be accounted for the non-relaxed spin splitting of the chemical potential, that is spin accumulation, in the $GaAs$ well. We discuss the conditions on the hole spin relaxation time in GaAs that are required to obtain the large effects we observe.Comment: 4 pages - 2 figues; one added note; some numbers corrected on page

Matrix valued Brownian motion and a paper by Polya

We give a geometric description of the motion of eigenvalues of a Brownian motion with values in some matrix spaces. In the second part we consider a paper by Polya where he introduced a function close to the Riemann zeta function, which satisfies Riemann hypothesis. We show that each of these two functions can be related to Brownian motion on a symmetric space

Transiting exoplanets from the CoRoT space mission. VIII. CoRoT-7b: the first super-Earth with measured radius

Copyright © The European Southern Observatory (ESO)Aims. We report the discovery of very shallow (ΔF/F ≈ 3.4×10−4), periodic dips in the light curve of an active V = 11.7 G9V star observed by the CoRoT satellite, which we interpret as caused by a transiting companion. We describe the 3-colour CoRoT data and complementary ground-based observations that support the planetary nature of the companion. Methods. We used CoRoT colours information, good angular resolution ground-based photometric observations in- and out- of transit, adaptive optics imaging, near-infrared spectroscopy, and preliminary results from radial velocity measurements, to test the diluted eclipsing binary scenarios. The parameters of the host star were derived from optical spectra, which were then combined with the CoRoT light curve to derive parameters of the companion. Results. We examined all conceivable cases of false positives carefully, and all the tests support the planetary hypothesis. Blends with separation >0.40'' or triple systems are almost excluded with a 8 × 10−4 risk left. We conclude that, inasmuch we have been exhaustive, we have discovered a planetary companion, named CoRoT-7b, for which we derive a period of 0.853 59 ± 3 × 10−5 day and a radius of Rp = 1.68 ± 0.09 REarth. Analysis of preliminary radial velocity data yields an upper limit of 21 MEarth for the companion mass, supporting the finding. Conclusions. CoRoT-7b is very likely the first Super-Earth with a measured radius. This object illustrates what will probably become a common situation with missions such as Kepler, namely the need to establish the planetary origin of transits in the absence of a firm radial velocity detection and mass measurement. The composition of CoRoT-7b remains loosely constrained without a precise mass. A very high surface temperature on its irradiated face, ≈1800–2600 K at the substellar point, and a very low one, ≈50 K, on its dark face assuming no atmosphere, have been derived

α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs

In a MBE 2300 Riber set up, we carried out Rh and As codepositions onto oxidized silicon and (100) GaAs substrates at temperatures ranging from 0 °C to 330°C. We show that it is possible to obtain polycrystalline thin films of α Rh2As, a metallic compound which exhibits the same crystalline structure like GaAs. These layers, which have no preferential orientation on an amorphous substrate, are highly textured on a GaAs substrate ( [100 ] Rh2As//[100] GaAs) and exhibit a low resistivity (~ 25 μΩcm), which is consistent with microelectronic device applications. For GaAs substrates, at temperatures higher than 200 °C the rhodium directly interacts with the substrate and leads to the formation of the RhAs compound.Dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires Riber 2300, nous avons réalisé des codépôts de Rh et d'As sur des substrats de silicium passivé et de GaAs (100) maintenus à des températures variant de 0°C à 330°C. Nous montrons qu'il est possible de réaliser des couches minces polycristallines de α Rh2As, composé métallique de structure cristalline très proche de celle de GaAs. Ces couches qui ne présentent pas d'orientation préférentielle sur un substrat amorphe, sont fortement texturées sur GaAs ( [100 ] Rh 2As// [100] GaAs). Leur faible résistivité (~ 25 μΩcm) est compatible avec une utilisation en micro-électronique. Lorsque les substrats de GaAs sont maintenus à une température supérieure à 200 °C lors du codépôt, l'interaction directe du Rh avec le substrat conduit à la formation du composé RhAs

α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs

Dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires Riber 2300, nous avons réalisé des codépôts de Rh et d'As sur des substrats de silicium passivé et de GaAs (100) maintenus à des températures variant de 0°C à 330°C. Nous montrons qu'il est possible de réaliser des couches minces polycristallines de α Rh2As, composé métallique de structure cristalline très proche de celle de GaAs. Ces couches qui ne présentent pas d'orientation préférentielle sur un substrat amorphe, sont fortement texturées sur GaAs ( [100 ] Rh 2As// [100] GaAs). Leur faible résistivité (~ 25 μΩcm) est compatible avec une utilisation en micro-électronique. Lorsque les substrats de GaAs sont maintenus à une température supérieure à 200 °C lors du codépôt, l'interaction directe du Rh avec le substrat conduit à la formation du composé RhAs

Les communautés virtuelles de santé contribuentelles à façonner la relation patient-médecin ?

International audienc

Composés métalliques de nickel et gallium sur GaAs par codéposition en ultravide

Nous avons étudié la codéposition de couches minces de nickel et de gallium sur des substrats de GaAs (001) et GaAs (111) dans la perspective d'une épitaxie d'un composé métallique, si possible thermodynamiquement stable. Les codépôts ont été réalisés à température ambiante dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires équipé d'un canon à électrons pour l'évaporation du nickel. Quatre techniques ont été mises en oeuvre pour contrôler la composition ; deux ex situ : la rétrodiffusion d'ions He+ de 2 MeV (RBS), qui nous a servi de référence, et l'analyse X dans un microscope électronique à balayage ; et deux in situ : les spectroscopies de photo-émission électronique X et UV (XPS et UPS). En UPS nous avons utilisé d'une part l'évolution de la forme de la bande de valence en fonction de la composition, d'autre part le déplacement chimique du doublet Ga3d par rapport au niveau de Fermi dû au transfert de charge entre Ni et Ga. Les couches déposées ont été caractérisées par diffraction X sur goniomètre à poudre θ-2θ équipé d'un monochromateur arrière. Les caractérisations électriques ( R□) et par canalisation d'ions He+ (χ min) montrent que la résistivité est minimale et la canalisation maximale pour les couches les mieux texturées, correspondant aux composés définis NiGa et Ni2Ga3. Ces composés ont des conductivités du même ordre de grandeur que les siliciures de métaux de transition