Etude des semi-conducteurs en régime variable. I. Régime d'établissement d'un courant continu dans un semi-conducteur

L'article comprend une étude expérimentale, à l'aide d'un oscillographe cathodique, du régime d'établissement d'un courant continu dans un semi-conducteur. Les résultats sont expliqués en assimilant la surface de séparation d'un métal et d'un semi-conducteur à un condensateur shunté par une résistance de contact. On montre que les valeurs des capacités de contact peuvent se déduire des tracés de l'oscillographe. Une autre méthode pour la détermination de ces capacités, utilisant une tension alternative, sera exposée dans un deuxième article dans lequel on tirera les conclusions des résultats obtenus

Etude des radiations ionisantes émises par les décharges électriques dans l'air

L'auteur a fait l'étude, à la chambre d'ionisation, des radiations ionisantes très absorbables émises par les décharges électriques non condensées dans l'air (aigrettes, étincelles en tension alternative avec résistance électrique en série). Il est nécessaire de se mettre à l'abri des centres chargés qui diffusent au voisinage de la décharge; dans ce but, on peut interposer devant la chambre d'ionisation des pellicules très minces de celluloïd il est également possible, dans des conditions qui sont précisées, de faire des mesures correctes sans écran solide interposé. On a déterminé les coefficients d'absorption des « rayons de décharge » par l'air et divers solides : les valeurs obtenues semblent montrer que ces rayons se situent dans l'ultra-violet de Lyman

Etude des semi-conducteurs en régime variable (suite). II. Cas d'un courant alternatif. Conclusions

Dans un premier article, on a étudié le régime d'établissement d'un courant continu dans un semi-conducteur et on a expliqué les résultats en assimilant la surface de séparation d'un métal et d'un semi-conducteur à un condensateur shunté par une résistance de contact. Lorsqu'un semi-conducteur est soumis à une tension alternative, le courant, par suite de l'existence des capacités de contact, est en avance de phase d'un angle ϕ sur la tension. En déterminant expérimentalement l'angle ϕ (à l'aide d'un oscillographe cathodique), on a pu calculer les valeurs des capacités de contact ; les résultats concordent avec ceux obtenus en courant continu. La principale conclusion qui se dégage de ces déterminations est la suivante : la variation rapide du potentiel au contact métal, semi-conducteur s'étend dans la substance d'autant plus profondément que la résistivité est plus grande ; on en déduit que l'hypothèse, devenue classique, d'une couche isolante séparant les deux milieux (couche d'arrêt) ne peut interpréter convenablement les propriétés du contact

Modifications photoélectriques de l'oxyde mercurique au contact d'une électrode

Le dispositif utilisé comporte une masse d'oxyde mercurique serrée entre deux électrodes, dont l'une est transparente (cellophane traitée par l'acide sulfurique). La résistance au contact de l'électrode transparente est très élevée, mais elle diminue considérablement sous l'action d'un flux lumineux (lumière blanche ou ultraviolette); cette propriété permet de réaliser une cellule photoélectrique d'un type nouveau (cellule à résistance de contact). On peut aussi réaliser des couples photoélectriques à l'oxyde mercurique, fonctionnant sans tension auxiliaire, en mesurant la f.é.m. photoélectrique produite par l'éclairement de l'électrode transparente. Les phénomènes observés sont attribués à un effet secondaire de photoconductivité dans une couche mince d'oxyde mercurique au contact de l'électrode