Etude par microanalyse ionique de films de poly(paraphénylène) et des phénomènes induits par implantation ionique

L'étude par microanalyse ionique de films de polyparaphénylène nous a permis de mettre en évidence la présence d'atomes d'azote et d'oxygène ; à partir de l'implantation préliminaire d'isotopes 15N et 18O nous avons pu évaluer les concentrations atomiques en azote et oxygène qui sont respectivement inférieures à 1 % et de l'ordre de 4 %. Ces atomes d'impuretés sont localisés dans une zone de défauts, située à l'arrière de la couche implantée et dont l'importance croît avec la valeur des paramètres d'implantation

Correlation between D.C. bulk conductivity and impurities in undoped poly (p-phenylene)

The D.C. conductivity of non doped poly(p-phenylene) prepared by Kovacic's method fits an Arrhenius law above room temperature. We have correlated the drop of the conductivity during the steps of washing and annealing with the elimination of copper in the material, and we have measured on the purer poly(p-phenylene) a low conductivity of 10-17 (Ω.cm)-1 at 80 °C associated with an activation energy of 1.1 eV.La conductivité continue du poly(p-phénylène) non dopé préparé selon la méthode de Kovacic suit approximativement une loi d'Arrhenius au-dessus de l'ambiante. Nous avons corrélé la chute de conductivité lors des étapes de lavage et de recuit au départ de cuivre, et mesuré sur le produit le plus pur une faible conductivité de 10-17 (Ω.cm)-1 à 80 °C, associée à une énergie d'activation de 1,1 eV

Couches de haute résistivité dans InP obtenues par implantation ionique

Various ions (H+, B+, O+, Ne+, A+, Fe+) have been implanted in n-type InP for studying the conditions to obtain high resistivity layers. For unannealed samples, the shape of the resistivity variation versus the ion dose is independent of the ion nature. The compensation efficiency of the ions is shown to be dependent of the ion mass. The defects responsible of the high resistivity are totally annealed at 650 °C. Oxygen and boron ions seem inactive in InP after annealing of high temperature. Iron implantations entrain a formation of high resistivity layers (e ≳ 107 Ω cm) after an anneal at high temperature, but this high resistivity should not be due, solely, to the iron impurity.Des ions de différentes natures (H+, B+, O+ , Ne+, A+, Fe+) ont été implantés dans l'InP de type n pour étudier les conditions d'obtention de couches de haute résistivité. Quel que soit l'ion incident, et pour de l'InP recuit, la résistivité varie de la même manière en fonction de la concentration d'ions implantés. L'efficacité de compensation des ions est montrée être dépendante de leur masse. Une température de recuit de 650 °C est nécessaire pour recuire les défauts d'implantation responsables de la compensation. Les ions d'oxygène et bore semblent inactifs dans le matériau InP après recuit à haute température. Par contre, l'implantation de fer entraîne la formation de couches de haute résistivité (e ≳ 107 Ω cm) après recuit à haute température, mais cette haute résistivité ne serait pas uniquement due à l'impureté fer

APPLICATION OF CESIUM PRIMARY BEAM TO THE CHARACTERIZATION OF III.V SEMICONDUCTORS BY SIMS

Ce travail décrit, d'une part, les profils en profondeur des éléments : C, Si, O, S, Se, dans du phosphure d'indium non recuit, d'autre part le comportement après recuit, des dopants résiduels : Fe, Zn, dans des substrats implantés Si, Se, ou diffusés zinc. L'utilisation d'un faisceau d'ions césium permet d'obtenir une description précise des profils pour les éléments ayant une grande affinité électronique.This paper reports depth profiles of unannealed C, Si, O, S, Se implants in indium phosphide, and describes the comportment of bulk dopants (Zn, Fe) in Si, Se-implanted, or Zn - diffused layers. The use of cesium primary beams allows to obtain well depicted profiles for these elements having a strong electron affinity

Implantation ionique dans le parasexiphényle : effet des paramètres d’implantation sur les propriétés du matériau déposé en couches minces

L’implantation ionique du parasexiphényle avec deux ions alcalins très différents en grosseur a permis de mettre en lumière le rôle de la taille de l’ion sur les propriétés du matériau après implantation. Le césium provoque des dégradations plus importantes, c’est-à-dire que la dose plafond est atteinte des 1014 ions/cm2. Il y a réarrangement après rupture des liaisons C-H vers un matériau comportant du carbone graphite, voire diamantique et incorporation d’oxygène et d’azote lors de la remise des échantillons à l’atmosphère

Préparation et caractérisation de couches minces d'oxynitrure de phosphore destinées à la passivation d'InP

We present three techniques to prepare stable, homogeneous and moisture insensitive phosphorus oxinitride insulating films. They were fabricated directly from PON solid sample. The deposited films were characterized by optical absorption in UV-visible, X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS). The optical band gap value for the best films is 4 eV. X-ray photoelectron spectroscopy showed that the layers deposited on substrates maintained at temperature $T_{\rm s}<350~^{\circ}$C are PO$_{x}$N$_{y}$ - type and those deposited at temperature $T_{\rm s}\ge350~^{\circ}$C are PO$_{x}$N$_{y}$In$_{z}$ - type. The resistivity and breakdown strength of the films are of the order of 10$^{11}\Omega$ cm and 10$^{16}$ V cm$^{-1}$ respectively.Nous présentons trois méthodes permettant de préparer des couches minces isolantes stables, insensibles à l'humidité et homogènes, à base de phosphore, d'azote et d'oxygène. Ces couches ont été obtenues à partir de l'évaporation de l'oxynitrure de phosphore (PON) massif. Les films déposés ont été caractérisés par absorption optique dans le visible-UV, par XPS et par SIMS. Le gap optique pour les meilleurs films est de l'ordre de 4 eV. L'analyse XPS a montré que les films déposés sur substrats maintenus à des températures $T_{\rm s}<350~^{\circ}$C sont de type PO$_{x}$N$_{y}$ tandis que ceux déposés à des températures $T_{\rm s}\ge350~^{\circ}$C sont de type PO$_{x}$N$_{y}$In$_{z}$. La résistivité et le champ de claquage des films obtenus sont de l'ordre de 10$^{11}\,\Omega$ cm et 10$^{16}$ V cm$^{-1}$ respectivement