496 research outputs found

    Grain yield of mayze as a consequence of a crop rotation with a second crop, forage, green manure and lie fallow.

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    Among the numerous benefits of Crop-Livestock-Forest Integration are: the restoration of soil fertility, the establishment of pastures with low costs, the improvement in physical, chemical and biological properties of the soil, the control of pests, pathogens and weeds, the recycling of nutrients from the soil, the increase in grain yield. The Crop-Livestock-Forest systems can increase job opportunities, the efficiency in the use of machinery, equipment and manpower, and also productivity and profitability. Quantify these benefits should be role of the research to support public policy actions

    Produção, decomposição e ciclagem de nutrientes em resíduos de crotalária e milheto, cultivados solteiros e consorciados.

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    O objetivo deste trabalho foi avaliar a produção de fitomassa e as taxas de decomposição e liberação de macronutrientes e de silício, nos resíduos vegetais de crotalária (Crotalaria juncea) e milheto (Pennisetumglaucum), em cultivo solteiro e consorciado. Utilizou-se o delineamento em blocos ao acaso, com quatro repetições, em arranjo fatorial constituído por três tipos de cobertura vegetal ? milheto, crotalária e consórcio entre as espécies e seis épocas de coleta 0, 18, 32, 46, 74 e 91 dias após o manejo (DAM). O milheto apresenta maior produção de matéria seca e acumula mais N, P, K, Mg, S, C e Si, enquanto a crotalária acumula maior quantidade de Ca. A fitomassa do milheto apresenta as maiores taxas de decomposição e de liberação de nutrientes. Essas taxas são mais intensas entre 0 e 18 DAM. Com o transcorrer do tempo, as relações C/N, C/P e C/S aumentam e a relação C/Si, bem como a taxa de decomposição da fitomassa, diminui. O potássio é o nutriente de liberação mais rápida, e o silício apresenta a menor taxa de liberação

    Aplicação foliar de ácido silícico estabilizado na soja, feijão e amendoim.

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    A aplicação de silício (Si) é benéfica às plantas. Porém, existem dúvidas sobre a eficiência do seu fornecimento via foliar. Objetivou-se com este trabalho avaliar o efeito da aplicação de Si via foliar, na forma de ácido silícico estabilizado (fonte recém-desenvolvida), na nutrição e na produtividade das culturas da soja, feijão e amendoim. O delineamento experimental para cada cultura foi em blocos casualizados, com quatorze repetições. Os tratamentos foram: controle (sem aplicação de Si) e aplicação de Si via foliar, na dose de 2 L ha-1 do produto Silamol® (0,8% de Si solúvel como um concentrado estabilizado de ácido silícico). A dose de Si foi parcelada em quatro aplicações. A aplicação via foliar elevou os teores de Si, proporcionando aumento do número de vagens e da produtividade de grãos das três culturas. O incremento foi da ordem de 14; 15 e 9,6%, respectivamente, para as culturas da soja, feijão e amendoim

    Improved Likelihood Inference in Birnbaum-Saunders Regressions

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    The Birnbaum-Saunders regression model is commonly used in reliability studies. We address the issue of performing inference in this class of models when the number of observations is small. We show that the likelihood ratio test tends to be liberal when the sample size is small, and we obtain a correction factor which reduces the size distortion of the test. The correction makes the error rate of he test vanish faster as the sample size increases. The numerical results show that the modified test is more reliable in finite samples than the usual likelihood ratio test. We also present an empirical application.Comment: 17 pages, 1 figur

    Terahertz imaging and spectroscopy of large-area single-layer graphene

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    We demonstrate terahertz (THz) imaging and spectroscopy of a 15x15-mm^2 single-layer graphene film on Si using broadband THz pulses. The THz images clearly map out the THz carrier dynamics of the graphene-on-Si sample, allowing us to measure sheet conductivity with sub-mm resolution without fabricating electrodes. The THz carrier dynamics are dominated by intraband transitions and the THz-induced electron motion is characterized by a flat spectral response. A theoretical analysis based on the Fresnel coefficients for a metallic thin film shows that the local sheet conductivity varies across the sample from {\sigma}s = 1.7x10^-3 to 2.4x10^-3 {\Omega}^-1 (sheet resistance, {\rho}s = 420 - 590 {\Omega}/sq).Comment: 6 pages, 5 figure

    Surface energy engineering of graphene

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    Contact angle goniometry is conducted for epitaxial graphene on SiC. Although only a single layer of epitaxial graphene exists on SiC, the contact angle drastically changes from 69{\deg} on SiC substrates to 92{\deg} with graphene. It is found that there is no thickness dependence of the contact angle from the measurements of single, bi, and multi layer graphene and highly ordered pyrolytic graphite (HOPG). After graphene is treated with oxygen plasma, the level of damage is investigated by Raman spectroscopy and correlation between the level of disorder and wettability is reported. By using low power oxygen plasma treatment, the wettability of graphene is improved without additional damage, which can solve the adhesion issues involved in the fabrication of graphene devices

    Thickness Estimation of Epitaxial Graphene on SiC using Attenuation of Substrate Raman Intensity

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    A simple, non-invasive method using Raman spectroscopy for the estimation of the thickness of graphene layers grown epitaxially on silicon carbide (SiC) is presented, enabling simultaneous determination of thickness, grain size and disorder using the spectra. The attenuation of the substrate Raman signal due to the graphene overlayer is found to be dependent on the graphene film thickness deduced from X-ray photoelectron spectroscopy and transmission electron microscopy of the surfaces. We explain this dependence using an absorbing overlayer model. This method can be used for mapping graphene thickness over a region and is capable of estimating thickness of multilayer graphene films beyond that possible by XPS and Auger electron spectroscopy (AES).Comment: 14 pages, 9 figure

    Gessagem no sistema plantio direto.

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    No sistema plantio direto praticamente não há revolvimento do solo e o consequente acúmulo de resíduos vegetais e fertilizantes na superfície aceleram o processo de acidificação, contínuo e acentuado que ocorre naturalmente em solo de regiões úmidas, onde, geralmente, é observada baixa disponibilidade de nutrientes e elevados teores de H + Al. Assim, da mesma forma que no sistema de cultivo convencional, no sistema plantio direto também existe a necessidade de aplicação de insumos, especialmente, materiais corretivos de acidez. Entretanto, a ação dos corretivos de acidez geralmente é restrita as camadas superficiais, portanto, são necessárias a identificação de alternativas que possibilitem a correção em profundidade no sistema plantio direto, partindo de uma aplicação superficial, sem incorporação, viabilizando a permanência e o sucesso desse sistema. Deste modo a aplicação de gesso agrícola em superfície é apontada como uma alternativa para a melhoria do ambiente radicular, compensando o reduzido efeito do calcário no subsolo, nos primeiros anos de cultivo, sem necessidade de incorporação prévia do calcário. Objetivou-se com esta revisão bibliográfica mostrar o estado da arte envolvendo a aplicação de gesso no sistema plantio direto

    Intrinsic response time of graphene photodetectors

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    Graphene-based photodetectors are promising new devices for high-speed optoelectronic applications. However, despite recent efforts, it is not clear what determines the ultimate speed limit of these devices. Here, we present measurements of the intrinsic response time of metal-graphene-metal photodetectors with monolayer graphene using an optical correlation technique with ultrashort laser pulses. We obtain a response time of 2.1 ps that is mainly given by the short lifetime of the photogenerated carriers. This time translates into a bandwidth of ~262 GHz. Moreover, we investigate the dependence of the response time on gate voltage and illumination laser power
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