REAL-SPACE TRANSFER IN HETEROJUNCTION FET's : MONTE-CARLO SIMULATION AND ANALYTICAL MODEL

Nous analysons les résultats d'une simulation Monte-Carlo du NERFET, dispositif à effet de champ où le transfert spatial des électrons du canal au dessus d'une hétérojonction permet d'obtenir un effet de résistance différentielle négative (RDN) sur le courant de drain. Sur la base de cette simulation, nous établissons une expression analytique du courant de transfert spatial. Les résultats obtenus sont en bon accord avec les résultats de la simulation Monte-Carlo sans qu'il soit nécessaire d'introduire de paramètre ajustable.We present the results of a Monte-Carlo simulation of the NERFET, a field effect transistor where the real-space transfer of channel electrons over a heterojunction barrier gives rise to a negative differential resistance (NDR) effect on drain current. An analytical expression of the real-space current is built upon our simulation results. By this way, we construct an analytical model of the NERFET which shows good agreement with Monte-Carlo results without the need of adjusting any parameter

HOT ELECTRON RELIABILITY OF DEEP SUBMICRON MOS TRANSISTORS

Nous étudions la dégradation des performances des transistors MOS ultra-courts (0.3 µm - 0.6 µm) engendrée par l'injection de porteurs chauds. Ces dispositifs ont un canal N, une structure conventionnelle (non LDD) et ont été optimisés pour fonctionner à 3 V. Plusieurs types de contraintes out été analysés. Un suivi systématique des paramètres importants a été réalisé en cours de vieillissement, la dégradation étant ensuite évaluée par des méthodes de caractérisation fine. L'influence des tensions d'alimentation sur la durée de vie des dispositifs est étudiée. Ces résultats sont interprétés en tenant compte de l'extension de la zone de défauts et du taux de génération locale d'états d'interface.The hot electron induced degradation of fully optimized N-channel MOSFET's, having channel lengths in the range 0.3 µm - 0.6 µm, is systematically investigated. The created defects and their influence on the device performance are evaluated with very sensitive techniques and explained using 2D modelling. The device lifetime is analysed as a function of the biasing conditions. These results are interpreted by taking into consideration the extension of the defective region as well as the local generation rate of interface states

Realization of GaInP/Si Dual-Junction Solar Cells With 29.8% 1-Sun Efficiency

Combining a Si solar cell with a high-bandgap top cell reduces the thermalization losses in the short wavelength and enables theoretical 1-sun efficiencies far over 30%. We have investigated the fabrication and optimization of Si-based tandem solar cells with 1.8-eV rear-heterojunction GaInP top cells. The III-V and Si heterojunction subcells were fabricated separately and joined by mechanical stacking using electrically insulating optically transparent interlayers. Our GaInP/Si dual-junction solar cells have achieved a certified cumulative 1-sun efficiency of 29.8% +/- 0.6% (AM1.5g) in four-terminal operation conditions, which exceeds the record 1-sun efficiencies achieved with both III-V and Si single-junction solar cells. The effect of luminescent coupling between the subcells has been investigated, and optical losses in the solar cell structure have been addressed