Novel Levy based Particle Swarm Optimization algorithm for electrical power grid

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Design of Metaheuristic based on Machine Learning: a unified approach. Application on image denoising

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Métaheuristics for intelligent electrical networks, Computer engineering series

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Modélisation bidimensionnelle dynamique du transistor à effet de champ MESFET : application à la conception de profils optimisés pour fonctionnement en faible bruit

Un modèle de simulation numérique de transistor à effet de champ basé sur une résolution bidimensionnelle des équations des semiconducteurs est présenté. Il inclut les effets de dynamique non stationnaire et permet l'étude du comportement des composants tant en régime statique que dynamique (petit et grand signal, impulsionnel). Il est montré comment on peut accéder aux paramètres caractéristiques du régime petit signal, grâce à l'utilisation d'une transformation de Fourier rapide. Ce modèle est utilisé pour étudier l'influence du profil de dopage sur les éléments caractéristiques du comportement des composants et sur leurs performances potentielles. Il permet de mettre en évidence l'intérêt des composants à canal enterré tant pour l'amplification de puissance que pour l'amplification faible bruit, ce qui est clairement confirmé par les premiers résultats de l'étude expérimentale

Modélisation bidimensionnelle dynamique du transistor à effet de champ MESFET : application à la conception de profils optimisés pour fonctionnement en faible bruit

A GaAs MESFET model, based on the two dimensional resolution of the semiconductor hydrodynamic equations, is presented. It includes a carrier energy relaxation equation, allowing to account for non stationary electron dynamic effects. It is shown that it is possible to obtain an accurate determination of the main equivalent circuit elements by using transient response and fast Fourier transform. This model is systematically used to study the influence of doping profile on device characteristics and the expected performances. The potential interest of burried channel devices is clearly shown under large signal and low noise conditions respectively. These conclusions are confirmed by experiment.Un modèle de simulation numérique de transistor à effet de champ basé sur une résolution bidimensionnelle des équations des semiconducteurs est présenté. Il inclut les effets de dynamique non stationnaire et permet l'étude du comportement des composants tant en régime statique que dynamique (petit et grand signal, impulsionnel). Il est montré comment on peut accéder aux paramètres caractéristiques du régime petit signal, grâce à l'utilisation d'une transformation de Fourier rapide. Ce modèle est utilisé pour étudier l'influence du profil de dopage sur les éléments caractéristiques du comportement des composants et sur leurs performances potentielles. Il permet de mettre en évidence l'intérêt des composants à canal enterré tant pour l'amplification de puissance que pour l'amplification faible bruit, ce qui est clairement confirmé par les premiers résultats de l'étude expérimentale

Optimal Location and Sizing of FACTS using Bi-Level Levy Based PSO

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The Electric Power Rationing: An optimization Problem?

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Estimation of Self Similarity Properties on Power Grid Outages using Particle Swarm Optimization

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Non-Parametric Estimation of Apha-Stable Distributions through Metaheuristics: Particle Swarm Optimization Approach applied to a Power Grid

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