Товщинні залежності термоелектричних параметрів тонких плівок на основі сполук LAST

The thermoelectric properties of thin films based on compounds PbSnAgTe, obtained by condensation of vapor on the high vacuum on mica substrate are researched. Based on a two-layer model Petrits are founded electrical parameters of surface layers. It is shown that condensates thickness d < 500 nm are characterized by improved thermoelectric properties.Досліджено термоелектричні властивості тонких плівок на основі сполук PbSnAgTe, осаджених на підкладках зі слюди. На основі двошарової моделі Петріца знайдено електричні параметри приповерхневих шарів. Отримані результати інтерпретуються процесами адсорбції кисню на поверхні та його дифузії в глиб конденсату. Встановлено, що конденсати товщиною d < 500 нм характеризуються покращеними термоелектричними властивостями

Автоматизація вимірювань фотоелектричних параметрів високоімпедансних напівпровідникових плівок

A method of measuring electrical conductivity and photoconductivity of semiconductor films with high electrical resistance has been described. The electric circuit has been presented and the computer program has been developed. That provides automation of measurements, registration and primary processing of data with possibility of plotting time dependences for preliminary analysis of experimental data during measurement.Описано методику вимірювання електропровідності та фотопровідності напівпровідникових плівок з високим електричним опором. Представлена електрична схема та розроблена комп’ютерна програма, що забезпечує автоматизацію вимірювань, реєстрацією і первинною обробку даних, з можливість побудови графіків часових залежностей для попереднього аналізу експериментальних даних вже в процесі вимірюванн

The Influence of Surface on Scattering of Carriers and Kinetic Effects in n-PBTE Films

The influence of mechanisms of surface reflection of electrons on the ex-perimental electrical transport and thermoelectric properties of n-PbTe films on various substrates are considered based on the Fuchs–Sondheimer and Mayer models. The thickness dependence of conductivity, Hall coeffi-cient, and Seebeck coefficient of films based on PbTe are investigated. As shown, for the films on glassceramic substrates, mechanism of completely diffuse scattering of carriers (p ≈ 0) are implemented, and for the films obtained on fresh mica chips, mixed mechanism of specular–diffuse scat-tering of carriers is realized (scattering coefficient p ≈ 0.4).Вивчено вплив механізмів поверхневого відбивання електронів на експериментальне електроперенесення та термоелектричні властивості плівок n-PbTe на різних підкладинках на основі моделів Фукса–Сондхаймера та Маєра. Досліджено залежність від товщини провідности, Голлового коефіцієнта і Зеєбекового коефіцієнта плівок на основі PbTe. Показано, що для плівок на ситалових підкладинках реалізується механізм повністю дифузного розсіяння носіїв заряду (p ≈ 0), а для плівок, одержаних на свіжоприготовлених лоснякових кристаликах, — мішаний дзеркально-дифузний механізм розсіяння носіїв (коефіцієнт розсіяння p ≈ 0,4).Изучено влияние механизмов поверхностного отражения электронов на экспериментальный электроперенос и термоэлектрические свойства плёнок n-PbTe на различных подложках на основе моделей Фукса–Сондхаймера и Майера. Исследована зависимость от толщины прово-димости, коэффициента Холла и коэффициента Зеебека плёнок на ос-нове PbTe. Показано, что для плёнок на ситалловых подложках реали-зуется механизм полностью диффузного рассеяния носителей заряда (p ≈ 0), а для плёнок, полученных на свежеприготовленных слюдяных кристалликах, — смешанный зеркально-диффузный механизм рассея-ния носителей (коэффициент рассеяния p ≈ 0,4)

Електричні властивості тонких плівок кадмій телуриду легованих кальцієм та літієм

The technique of obtaining thin layers of cadmium telluride of p-type conductivity by chemical doping of the surface of cadmium telluride crystals by calcium or lithium is described.The dependences of the electrical properties of the obtained films on the technological factors of their production are investigated. The conductivity of the doped layer, velocity and depth of diffusion are determinedОписано методику отримання тонких шарів кадмій телурид p-типу провідності шляхом хімічного легування поверхні кристалів кадмій телуриду кальцієм або літієм.Досліджено залежності електричних властивостей одержаних плівок від технологічних факторів їх отримання. Визначено провідність легованого шару, швидкість та глибину дифузії

Hardware and software for automated examination of defects of hard tissues of teeth after endodontic intervention for fatigue and destruction

The work developed circuit engineering, design and software of the loading machine for automated examination of dental hard tissue defects after endodontics intervention for fatigue and destruction. The advantage of this development is the combination as cyclic loading methods simulating chewing movements and force effects on compression in a compact small-sized case, with low power consumption and small noise level. Thanks to the use of a screw transmission and a stepper motor in combination with a sensitive tensoresistive force sensor, it was possible to achieve high accuracy and resolution of 0.1 microns. A series of tests was conducted on real samples of endodontically treated teeth restored using fiberglass pins and cast metal stump inserts. It is shown that methods of restoring incisors and premolars of the upper jaw with the help of fiberglass pins have an advantage when the residual structure of the tooth is lacking due to a more uniform distribution of deformation stresses, since their elastic modulus is close to the elastic modulus of dentin

Електричні властивості тонких шарів CdTe

The technique of obtaining thin layers of cadmium telluride of p-type conductivity by chemical doping of the surface of cadmium telluride crystals by calcium is described. The dependences of the electrical properties of the obtained films on the technological factors of their production are investigated. The conductivity of the doped layer, velocity and depth of diffusion are determined.Описано методику отримання тонких шарів кадмій телуриду p-типу провідності шляхом хімічного легування поверхні кристалів кадмій телуриду кальцієм. Досліджено залежності електричних властивостей одержаних плівок від технологічних факторів їх отримання. Визначено провідність легованого шару, швидкість та глибину дифузії

Механические и электрические свойства ферритов Ni[x]Co[1-x]Fe[2]O[4]

Ni-Co ферити одержано за технологією золь-гель за участі автогоріння та відпалено за температури 1573 К в атмосфері повітря. Вивчено вплив додавання йонів Ni2+ на мікроструктуру та електричні властивості феритів NixCo1 – xFe2O4. Присутність йонів Ni2+ значно впливає на формування пор та розмір зерен феритів. За допомогою легування йонами нікелю пористість зменшується і утворюється щільний матеріал. Значення мікротвердості збільшується зі збільшенням вмісту нікелю з 5,16 ГПа до 8,59 ГПа. Встановлено коефіцієнт Холла, тип провідності, концентрацію носіїв заряду та питому провідність. У Ni-Co феритах холлівська рухливість знаходиться в межах від 7.04·10 – 1 см2/В·с до 4.38 см2/В·с.Ni-Cо ферриты получено по технологии золь-гель с участием автогорения и отожженно при температуре 1573 К в атмосфере воздуха. Изучено эффекты добавления ионов Ni2+ на микроструктуру и электрические свойства ферритов NixCo1 – xFe2O4. Присутствие ионов Ni2+ существенно влияет на образование пор и размер зерен ферритов. При легировании ионами никеля пористость уменьшается и получается плотный материал. Значение микротвердости увеличивается с увеличением содержания никеля с 5,16 ГПа до 8,59 ГПа. Установлено коэффициент Холла, тип проводимости, концентрацию носителей заряда и удельную проводимость. В Ni-Co ферритах холловская подвижность находится в пределах от 7.04·10 – 1 см2/В·с до 4.38 см2/В·с.The Ni-Co ferrites were prepared by the technology sol-gel with participation of auto-combustion and sintered at temperature 1573 K in air. The effects of Ni2+ ions addition on the microstructure and electric properties of NixCo1 – xFe2O4 ferrites were systematically studied. The added of Ni2+ ions significantly affects the formation of pores and grain size of ferrites. By doping with nickel ions the pores decreased and a dense material are obtained. The micro-hardness values increases from 5,16 GPa to 8,59 GPa with increasing nickel contents. The Hall coefficient, conductivity type, concentration of charge carriers and specific conductivity were found. In Ni-Co ferrites Hall mobility is within the limits from 7.04·10 – 1 cm2/V·s to 4.38 cm2/V·s

Кінетичні явища та термоелектричні властивості полікристалічних тонких плівок на основі сполук PbSnAgTe

Thin polycrystalline films based on PbSnAgTe (LATT) compounds on mica-muscovite substrates are obtained. The dependences of conductivity, mobility of current carriers and specific thermoelectric power on temperature for these condensates are investigated. It is established that the mechanisms of transport of carriers on the intergrain boundaries dominate at low temperatures, and at higher temperatures the charge transport is determined by the volume of grain. The predominant scattering mechanism at higher temperatures is scattering on acoustic phonons.В работе получены тонкие поликристаллические пленки на основе соединений PbSnAgTe (LATT) на подложках из слюды-мусковит. Исследована зависимость проводимости, подвижности носителей тока и удельной термоэлектрической мощности от температуры данных конденсатов. Установлено, что механизмы переноса носителей тока на межзеренних границах доминируют при низких темпера- турах, а при более высоких темперетурах перенос заряда определяется объемом зерна. Преобладаю- щим механизмом рассеяния при высоких температурах является рассеяние на акустических фононах.В роботі отримано тонкі полікристалічні плівки на основі сполук PbSnAgTe (LATT) на підкладках зі слюди-мусковіт. Досліджено залежність провідності, рухливості носіїв струму та питомої термоелек- тричної потужності від температури для даних конденсатів. Встановлено, що механізми перенесення носіїв струму на міжзеренних межах домінують при низьких температурах, а при вищих температу- рах перенесення заряду визначається об’ємом зерна. Переважаючим механізмом розсіяння при ви- щих температурах є розсіяння на акустичних фононах