ÉVIDENCE D'UN DÉSORDRE A MOYENNE DISTANCE DANS LES SOLIDES. INTERPRÉTATION DES PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES DES SEMICONDUCTEURS DÉSORDONNÉS

On montre la nécessité de considérer l'existence d'un désordre à moyenne distance dans les semiconducteurs désordonnés. Il provoque la localisation d'une partie des porteurs dans les puits de potentiel, et explique quantitativement les variations de la mobilité d'entraînement et de la conductivité électrique avec la température et la fréquence.The necessity of considering a medium range disorder in disordered semiconductors is shown. This disorder is responsible for the localization, in potential wells, of a part of the total carriers density, and explains quantitatively the variations of drift mobility and electrical conductivity versus temperature and frequency