Формирование матриц регулярных отверстий в Si подложках для селективного синтеза тринитридных наноструктур

Для получения качественных пленок нитрида галлия на кремниевых подложках необходимо использовать промежуточные буферные слои, назначение которых состоит в компенсации механических напряжении, обусловленных рассогласованием решеток и разницей ТКР. Темплетно- буферные слои предлагается формировать путем вытравливания отверстий в поверхностном слое кремниевых подложек через тонкие маскиич пористого анодного оксида алюминия (ПАОА) и последующим заполнением отверстий наноразмерными столбиками нитридов соединений III группы (GaN, AIN, IhN). В настоящей работе исследованы особенности формирования отверстий на поверхности кремниевых подложек требуемых размеров и глубины методом плазмохимического травления через маски ПАОА