3 research outputs found
Le masquage electronique et la gravure ionique reactive appliques a la fabrication de Mosfets submicroniques
Published in summary form onlyAvailable from CEN Saclay, Service de Documentation, 91191 - Gif-sur-Yvette Cedex (France) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc
Etude de résines négatives sensibles aux électrons utilisées dans les procédés de microlithographie
Les poly(parachlorométhylstyrène) et poly(parabromostyrène) présentent des propriétés lithographiques intéressantes sous irradiation électronique. Une sensibilité élevée, associée à de bonnes propriétés de résistance à la gravure plasma ainsi qu'à une bonne résolution en font des matériaux de choix dans le cadre de la microlithographie à haute performance
Etude de résines négatives sensibles aux électrons utilisées dans les procédés de microlithographie
Poly(parachloromethylstyrene) and poly(parabromostyrene) are shown to have a desirable combination of properties, inducting high sensitivity, high dry etch resistance, and high resolution. As a consequence, there are very attractive candidates for high performance electron beam lithography.Les poly(parachlorométhylstyrène) et poly(parabromostyrène) présentent des propriétés lithographiques intéressantes sous irradiation électronique. Une sensibilité élevée, associée à de bonnes propriétés de résistance à la gravure plasma ainsi qu'à une bonne résolution en font des matériaux de choix dans le cadre de la microlithographie à haute performance