3 research outputs found

    Le masquage electronique et la gravure ionique reactive appliques a la fabrication de Mosfets submicroniques

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    Published in summary form onlyAvailable from CEN Saclay, Service de Documentation, 91191 - Gif-sur-Yvette Cedex (France) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

    Etude de résines négatives sensibles aux électrons utilisées dans les procédés de microlithographie

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    Les poly(parachlorométhylstyrène) et poly(parabromostyrène) présentent des propriétés lithographiques intéressantes sous irradiation électronique. Une sensibilité élevée, associée à de bonnes propriétés de résistance à la gravure plasma ainsi qu'à une bonne résolution en font des matériaux de choix dans le cadre de la microlithographie à haute performance

    Etude de résines négatives sensibles aux électrons utilisées dans les procédés de microlithographie

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    Poly(parachloromethylstyrene) and poly(parabromostyrene) are shown to have a desirable combination of properties, inducting high sensitivity, high dry etch resistance, and high resolution. As a consequence, there are very attractive candidates for high performance electron beam lithography.Les poly(parachlorométhylstyrène) et poly(parabromostyrène) présentent des propriétés lithographiques intéressantes sous irradiation électronique. Une sensibilité élevée, associée à de bonnes propriétés de résistance à la gravure plasma ainsi qu'à une bonne résolution en font des matériaux de choix dans le cadre de la microlithographie à haute performance
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