343 research outputs found

    Spin accumulation in forward-biased MnAs/GaAs Schottky diodes

    Full text link
    We describe a new means for electrically creating spin polarization in semiconductors. In contrast to spin injection of electrons by tunneling through a reverse-biased Schottky barrier, we observe spin accumulation at the metal/semiconductor interface of forward-biased ferromagnetic Schottky diodes, which is consistent with a theory of spin-dependent reflection off the interface. Spatiotemporal Kerr microscopy is used to image the electron spin and the resulting dynamic nuclear polarization that arises from the non equilibrium carrier polarization.Comment: 13 pages, 4 figures, submitted for publicatio

    Scaling of transverse nuclear magnetic relaxation due to magnetic nanoparticle aggregation

    Get PDF
    The aggregation of superparamagnetic iron oxide (SPIO) nanoparticles decreases the transverse nuclear magnetic resonance (NMR) relaxation time T2 of adjacent water molecules measured by a Carr-Purcell-Meiboom-Gill (CPMG) pulse-echo sequence. This effect is commonly used to measure the concentrations of a variety of small molecules. We perform extensive Monte Carlo simulations of water diffusing around SPIO nanoparticle aggregates to determine the relationship between T2 and details of the aggregate. We find that in the motional averaging regime T2 scales as a power law with the number N of nanoparticles in an aggregate. The specific scaling is dependent on the fractal dimension d of the aggregates. We find T2 N^{-0.44} for aggregates with d=2.2, a value typical of diffusion limited aggregation. We also find that in two-nanoparticle systems, T2 is strongly dependent on the orientation of the two nanoparticles relative to the external magnetic field, which implies that it may be possible to sense the orientation of a two-nanoparticle aggregate. To optimize the sensitivity of SPIO nanoparticle sensors, we propose that it is best to have aggregates with few nanoparticles, close together, measured with long pulse-echo times.Comment: 20 pages, 3 figures, submitted to Journal of Magnetism and Magnetic Material

    Thermal conductivity factor for beef of NOR and DFD grades at the subcryoscopic temperatures

    Get PDF
    Thermal conductivity factor and specific isobaric heat capacity of food products are currently the most important parameters in the development of mathematical models for food freezing and thawing and in improving production technology. There is significant variance among the existing experimental data for the thermal conductivity factor in meat. Most of the modern calculated relationships are based on the nutritional approach, which favorably differs by the ability to calculate the thermophysical characteristics of any food products. However, the calculation error at the subcryoscopic temperatures may be 15% to 20%. The development of superchilling as a way of storing meat requires high accuracy of freezing time calculation, including vacuumpacked boneless meat. In the presented article, the authors investigated hydrogen index, cryoscopic temperature, frozen moisture proportion and thermal conductivity factor for beef M. longissimus dorsi samples of NOR and DFD grades. It was found that DFD beef is characterized by 10% to 12% higher values of thermal conductivity factor in comparison with NOR grade. Using the method of regression analysis, the authors developed empirical relationships for calculating the thermal conductivity factor of meat depending on its temperature and pH level. Unlike cryoscopic temperature and frozen moisture proportion, pH is easy to measure and may be easily used on a conveyor belt for more accurate assessment of meat thermophysical properties. With an increase in pH from 5.3 to 7, an increase in cryoscopic temperature is observed from minus 0.94 °C to minus 0.72 °C. It has been shown that one of the factors for the higher cryoscopic temperature and higher pH level of DFD beef is higher water-holding capacity with less strongly bound moisture

    Кримінологічні основи амністії

    Get PDF
    Березовський А. А. Кримінологічні основи амністії : автореф. дис. ... канд. юрид. наук : 12.00.08 / А. А. Березовський; кер. роботи В. М. Дрьомін; Нац. ун.-т "Одеська юридична академія". – Одеса, 2007. – 19 с.Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата юридичних наук за спеціальністю 12.00.08 – кримінальне право та кримінологія; кримінально-виконавче право. – Одеська національна юридична академія, Одеса, 2007. В дисертації здійснено дослідження генезису та соціально-кримінологічної обумовленості правового регулювання та застосування амністії в Україні і за кордоном. На основі нового напряму кримінологічних досліджень – „кримінології закону” – обґрунтовано та реалізовано ідею про дослідження амністії в системі кримінальної юстиції України: визначено концепти правового регулювання, підстави, місце, роль та основні функції амністії, встановлено зв’язки та фактори взаємовпливу між застосуванням амністії та злочинністю. Розроблено кримінологічно-обґрунтовані пропозиції щодо удосконалення інституту амністії, підвищення ефективності застосування амністії як одного із заходів кримінально-правового впливу на злочинність.Диссертация на соискание ученой степени кандидата юридических наук по специальности 12.00.08 – уголовное право и криминология; уголовно-исполнительное право. – Одесская национальная юридическая академия, Одесса, 2007. Диссертация является комплексным научным исследованием амнистии с позиций криминологии. В работе освещены вопросы, связанные с возникновением, становлением и развитием института амнистии в Украине и за рубежом. Выявлены факторы, обусловливающие применение амнистии, изменение ее форм и содержания в различные исторические периоды. Установлены системные связи между амнистией и иными социальными явлениями: религией, политикой, преступностью. Значительное внимание уделено проблемам определения законодательной дефиниции амнистии, концептуальным основам законодательного регулирования института амнистии, выявления места, роли и функций амнистии в системе уголовной юстиции Украины, выяснения влияния амнистии на процесс воспроизводства преступности. Делаются выводы о том, что злоупотребление правом амнистии, социально и криминологически не обусловленное применение амнистии приводит к негативным изменениям в общественной жизни, ухудшению криминальной ситуации. Своевременное, детерминированное объективными факторами, социально и криминологически обусловленное применение амнистии оказывает положительное воздействие на общество, содействует гуманнизации уголовной политики, обладает определенным антикриминогенным эффектом. Основополагающим фактором, обусловливающим применение амнистии в Украине, является превышение лимитов содержания в органах и учреждениях уголовно-исполнительной системы. Одной из главных функций амнистии в этой связи выступает разгрузочная функция. С помощью применения амнистии в Украине решалась также проблема соблюдения прав осужденных и лиц, к которым применена мера пресечения в виде заключения под стражу. Некоторые из амнистий имели политическую направленность. Разгрузочная и политическая функции не изменяют юридической и социальной сущности амнистии, так как амнистия является мерой гуманизма в отношении амнистируемых лиц. Под действие актов амнистии в Украине, в основном, подпадают несовершеннолетние лица, старики, участники Великой Отечественной войны, не лишенные родительских прав мужчины и женщины, имеющие несовершеннолетних детей и некоторые другие категории лиц, совершивших преступления небольшой и средней тяжести. Основания амнистии производны от оснований общих видов освобождения от уголовной ответственности, наказания и его отбывания, но, в силу исключительного характера амнистии, являются более широкими. В последнее время заданные в актах амнистии параметры амнистирования находят все меньшую, в количественном плане, реализацию. Преступность традиционно амнистируемых лиц становится более тяжкой, некоторые лица, в силу законодательных ограничений, не подлежат амнистии. Значительная реализация разгрузочной функции амнистии при сохранении основных детерминант преступности выступает в роли существенного криминогенного фактора, что обусловливает ограниченное применение амнистии к определенным категориям лиц. Применение амнистии к участникам организованных преступных формирований является ограниченным. В диссертации разработаны криминологически обоснованные рекомендации, направленные на усовершенствование правового регулирования и применения амнистии в Украине.Dissertation for the Candidate of Juridical Science Degree, specialty 12.00.08 – Criminal Law and Criminology; Penitentiary Law. – Odesa National Academy of Law, Odesa, 2007. The dissertation contains a comprehensive research of the genesis and the socio-criminological preconditions for the legal regulation and implementation of amnesty in Ukraine and abroad. Following the new trend of criminological research, i.e. “the Criminology of Law”, the author substantiates and implements the idea of studying amnesty within the frame of the Criminal Justice system of Ukraine. The dissertation defines the concepts of legal regulation, the grounds, place and role as well as the main functions of amnesty, determining the interrelation between amnesty and crime rate. The author identifies the ways in which these two phenomena affect each other. The dissertation contains elaborate criminology-based propositions aimed at making amnesty a more perfect and effective institution, since it is one of the means for exercising legal influence upon offenders

    Spin dynamics and level structure of quantum-dot quantum wells

    Full text link
    We have characterized CdS/CdSe/CdS quantum-dot quantum wells using time-resolved Faraday rotation (TRFR). The spin dynamics show that the electron g-factor varies as a function of quantum well width and the transverse spin lifetime of several nano-seconds is robust up to room temperature. As a function of probe energy, the amplitude of the TRFR signal shows pronounced resonances, which allow one to identify individual exciton transitions. While the TRFR data are inconsistent with the conduction and valence band level scheme of spherical quantum-dot quantum wells, a model in which broken spherical symmetry is taken into account captures the essential features.Comment: 5 pages, 3 figure

    Optically-patterned nuclear doughnuts in GaAs/MnAs heterostructures

    Full text link
    We demonstrate a scheme for optically patterning nuclear spin polarization in semiconductor/ferromagnet heterostructures. A scanning time-resolved Kerr rotation microscope is used to image the nuclear spin polarization that results when GaAs/MnAs epilayers are illuminated with a focused laser having a Gaussian profile. Rather than tracking the intensity profile of the laser spot, these images reveal that the nuclear polarization forms an annular lateral structure having circular symmetry with a dip rather than a peak at its center.Comment: 11 pages, 3 figure
    corecore