DIFFUSION ACCÉLÉRÉE PAR IRRADIATION DANS LE SILICIUM. ÉTUDE DE LA CINÉTIQUE ET DE LA DISTRIBUTION DES IMPURETÉS

L'étude de la diffusion accélérée des impuretés dans le silicium, sous l'effet d'un bombardement de protons, a été reprise. La détermination de la distribution des impuretés apparaît nécessaire afin de mieux comprendre le mécanisme de diffusion. Des résultats préliminaires sont présentés ici. Nous avons calculé le profil théorique et son évolution dans le modèle d'une diffusion lacunaire, avec une cinétique d'ordre 1, et nous les avons comparés avec les profils expérimentaux obtenus sur des échantillons bombardés par des protons de 5 à 600 keV. La théorie lacunaire simple ne peut pas rendre compte de l'ensemble des résultats expérimentaux : la longueur de diffusion des lacunes dépend de l'énergie d'irradiation, variant de 0,2 µm pour 30 keV à 5 µm pour 600 keV ; les profils expérimentaux, dans certains cas, sont très éloignés des profils calculés.We have started again the study of radiation enhanced diffusion of impurities in proton bombarded silicon. It appears necessary to have a better knowledge of the impurity distribution, to understand the basic mechanisms for enhanced diffusion. Only preliminary results are presented here. We have calculated the theoretical impurity profile and its evolution in a vacancy diffusion model, with first order kinetics, and we have made the comparison with experimental profiles, obtained on samples irradiated with 5 to 600 keV protons. The simple vacancy model cannot account for the experimental results : the vacancy diffusion length depends on the irradiation energy, ranging from 0.2 µm for 30 keV protons to 5 µm for 600 keV protons ; the experimental profiles, in some cases, are totally different from the calculated profiles