ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ

Characteristics of crystal doping with electrically active impurities by the thermomigration method for two− and three−component liquid zones in comparison with diffusion alloying (for the example of silicon) have been analyzed.We have  found  that  the  concentration range of doping for the  two− component migration zone is much narrower than the range of diffusion doping. Introduction of a third component into the liquid phase allows extending the range of doping thermomigration to values  exceeding the diffusion doping range for the same impurity. For silicon crystals this technological advantage of thermomigration is achieved with the use of three zones, GaxAl1−xSi and SnxAl1−xSi.We show  that  the  speed of crystal  doping by the  thermomigration method in technologically relevant situations is by orders of magnitude higher  than that of diffusion alloying. Thermomigration doped layers with steadily moving liquid zones have higher structural perfection than diffusion doped layers.We show that the thermomigration alloying method can be used in the technology of semiconductor device  structures, provided that  their planar dimensions and thickness are tens  micrometers or more. Quantitative results obtained for the example of liquid zone migration in silicon, but the features of thermomigration as a doping method are true for other  semiconductor materials.Рассмотрены особенности легирования кристаллов электрически активными примесями методом термомиграции  (ТМ) двух− и трехкомпонентных жидких зон в сравнении с диффузионным легированием (на примере кремния).Установлено, что концентрационный диапазон легирования миграцией двухкомпонентной зоны значительно уже диапазона легирования диффузией. Введение в жидкую фазу  третьего компонента позволяет расширить диапазон легирования термомиграцией до значений, превышающих диапазон  легирования той же примесью методом диффузии. Применительно к кристаллам кремния указанная технологическая особенность метода ТМ обеспечивается при использовании трехкомпонентных зон GaxAl1−xSi и SnxAl1−xSi.Показано, что скорость легирования кристаллов методом ТМ в технологически значимых  ситуациях на порядки превышает скорость легирования диффузией. Слои, легированные термомиграцией стабильно движущихся жидких зон, структурно  более совершенны, чем диффузионные слои. Показано, что легирование методом ТМ может быть реализовано в технологии получения полупроводниковых приборных структур при условии, что их планарные размеры и толщины составляют десятки микрометров и более

ОТСЛЕЖИВАНИЕ ОБЪЕКТОВ НА ОСНОВЕ СРАВНЕНИЯ ГИСТОГРАММ ЦВЕТА

Three versions of a histogram algorithm for tracking objects on video sequences made by an unstable camera are presented. Local color 1D-histograms of pixels and local color 2D-histograms of pairs of adjacent pixels are used in all versions as region features. The histograms are compared by the Bhattacharia criterion. А parallel computing platform CUDA, developed to program GPUs, allows creation of real time or near-real time program realizations of the offered versions. Results of comparison of the versions with the known mean shift algorithm and correlation type algorithms are also presented. It is shown by experiments that the versions are more accurate and reliable than the mean shift algorithm, which estimates similarity of linear approximations of local histograms, and more robust with respect to the video quality than the correlation algorithms.Предлагаются три версии гистограммного алгоритма отслеживания объектов на видеопоследовательностях, снятых нестабилизированной камерой. Версии основываются на сравнении с помощью критерия Баттачариа гистограмм цвета областей кадров либо гистограмм цвета пар ближайших пикселов областей кадров, которые могут рассматриваться как частный случай матриц встречаемости. Использование технологии программирования видеокарты CUDA позволяет добиться выполнения версий в режиме реального времени. Проводится сравнение модифицированного алгоритма с хорошо известным алгоритмом среднего сдвига, основанным на линейном приближении критерия Баттачариа. На основе экспериментов показывается, что модификации алгоритма являются более точными и надежными по сравнению с алгоритмом среднего сдвига, хотя и требуют большего объема вычислений. Проводится сравнение предложенных версий с корреляционными алгоритмами

ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В РАСТВОРЕ ПОЛИАКРИЛОВОЙ КИСЛОТЫ НА ЕГО ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА

Porous silicon (por-Si) has a unique set of physic−chemical properties of characteristics — well-developed surface and consequently, a high sorption activity. In a dependence of the fabrication technique it is possible to form pores and clusters of nanometer size that makes this material rather prospective for elaborations in optoelectronics and sensors production. However, high surface activity stipulates porous silicon instability in the atmosphere. The work is concerned with the study of the influence of por-Si surface treatment in the aqueous solution of polyacrylic acid on the composition and photoluminescence of this material. It was found that this treatment can either enhance and stabilize PL of the material or change spectral position of PL band and also enhance its total intensity in a dependence of the fabrication technique.Пористый кремний обладает уникальным набором физико-химических характеристик — развитой поверхностью и, как следствие, существенной сорбционной активностью. В зависимости от технологии изготовления в нем можно сформировать поры и кластеры нанометровых размеров, что делает этот материал перспективным для разработок в области оптоэлектроники и сенсорики. Однако высокая активность поверхности обуславливает нестабильность пористого кремния при его контакте с атмосферой. Исследовано влияние обработки поверхности пористого кремния в водном растворе полиакриловой кислоты на состав и фотолюминесценцию материала. Установлено, что такая обработка, в зависимости от технологии получения пористого кремния, может усиливать и стабилизировать фотолюминесценцию этого материала или изменять положение полосы фотолюминесценции и значительно увеличивать ее интегральную интенсивность

OBJECT TRACKING VIA COMPARISON OF COLOR HISTOGRAMS

Three versions of a histogram algorithm for tracking objects on video sequences made by an unstable camera are presented. Local color 1D-histograms of pixels and local color 2D-histograms of pairs of adjacent pixels are used in all versions as region features. The histograms are compared by the Bhattacharia criterion. А parallel computing platform CUDA, developed to program GPUs, allows creation of real time or near-real time program realizations of the offered versions. Results of comparison of the versions with the known mean shift algorithm and correlation type algorithms are also presented. It is shown by experiments that the versions are more accurate and reliable than the mean shift algorithm, which estimates similarity of linear approximations of local histograms, and more robust with respect to the video quality than the correlation algorithms