Використання лікарських засобів на рослинній основі для профілактики ГРВІ. Препарати ехінацеї пурпурової

ГРВІ є найбільш поширеним захворюваннями, особливо у дітей. У періоди піку захворюваності на ГРВІ діагностують у 30% населення планети, респіраторні вірусні інфекції в рази перевершують за частотою виникнення решти інфекційних захворювань. Зростання захворюваності відзначається в холодну пору року, переважно у зимово-осінній період. Саме в цей період послаблюються захисні сили організму, оскільки виникає нестача у вітамінах, а особливо вітаміну D, який можна отримати в більшості від сонячних променів, і організм в процесі цих змін отримує значне ослаблення ЦНС, а це призводить до стресу, а потім і до зниження активності імунної системи. Для того, щоб перебудувати всі біоритми організму використовується дуже багато енергії і виникає виснаження організму

Використання лікарських засобів на рослинній основі для профілактики ГРВІ. Препарати ехінацеї пурпурової

ГРВІ є найбільш поширеним захворюваннями, особливо у дітей. У періоди піку захворюваності на ГРВІ діагностують у 30% населення планети, респіраторні вірусні інфекції в рази перевершують за частотою виникнення решти інфекційних захворювань. Зростання захворюваності відзначається в холодну пору року, переважно у зимово-осінній період. Саме в цей період послаблюються захисні сили організму, оскільки виникає нестача у вітамінах, а особливо вітаміну D, який можна отримати в більшості від сонячних променів, і організм в процесі цих змін отримує значне ослаблення ЦНС, а це призводить до стресу, а потім і до зниження активності імунної системи. Для того, щоб перебудувати всі біоритми організму використовується дуже багато енергії і виникає виснаження організму

Evolution of <I>Vibrio cholerae</I> El Tor and Detection of Their Gene-Variants in the Caucasus

, rstC genes), and 7 strains – to the genotype I. Genotypes I and II (genetically altered ones) are the hybrid variants of the El Tor biovar producing CT of the first type

ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ НАНОСЛОЕВ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» И ИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ИЗЛУЧЕНИЕМ НАНОМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА

Structures with strained and unstrained silicon layers were studied by ultrasoft X−ray emission spectroscopy and X−ray absorption near edge structure spectroscopy with the use of synchrotron radiation techniques the SOI (silicon−on−insulator). Analysis of X−ray data has shown a noticeable transformation of the electron energy spectrum and local partial density of states distribution in valence and conduc- tion bands in the strained silicon layer of the SOI structure. USXES Si L2,3 spectra analysis revealed a decrease of the distance between the L′2v и L1v points in the valence band of the strained silicon layer as well as a shift of the first two maxima of the XANES first derivation spectra to the higher energies with respect to conduction band bottom Ec. At the same time the X−ray standing waves of synchrotron radiation (λ ~ 12−20 nm) are formed in the silicon−on−insulator structure with and without strains of the silicon layer. Moreover the synchrotron radiation grazing angle θ changing by 2° leads to a change of the electromagnetic field phase to the opposite. Методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения с использованием синхротронного излучения исследованы структуры КНИ (кремний−на−изоляторе) с растянутым и нерастянутым слоями кремния. Выявлена заметная перестройку электронно−энергетического спектра и локальной парциальной плотности состояний как в валентной зоне, так и в зоне проводимости растянутого слоя кремния структуры КНИ. На основе анализа Si L2,3 спектров USXES показано уменьшение энергетического расстояния между точками L′2v и L1v  в валентной зоне растянутого слоя кремния, в котором наблюдался и сдвиг первых двух максимумов первой производной спектра XANES в сторону больших энергий относительно дна зоны проводимости Ес. Обнаружено, что при этом стоячие рентгеновские волны синхротронного излучения нанометрового диапазона длин волн  (λ ~ 12—20 нм) формируются в структурах кремний−на−изоляторе как с растянутым, так и с нерастянутым нанослоем кремния. Более того, установлено, что изменение угла скольжения синхротронного излучения θ на 2° приводит к смене фазы электромагнитного поля на противоположную.

Azimuthal anisotropy in S+Au reactions at 200 A GeV

Azimuthal correlations of photons produced at mid-rapidity in 200 A GeV S + Au collisions have been studied using a preshower photon multiplicity detector in the WA93 experiment. The Fourier expansion method has been employed to estimate the event plane via the anisotropy of the event as a function of centrality. The event plane correlation technique has been used to determine the true event anisotropy, beyond the anisotropy which arises due to finite multiplicity. The VENUS event generator with rescattering and proper simulation of the detector response can explain only a portion of the observed anisotropy. The residual anisotropy is found to be of the order of 5% for semi-central collisions. This suggests that directed collective flow of the produced particles is present at SPS energies. (C) 1997 Published by Elsevier Science B.V

Peculiarities of electronic structure of silicon-on-insulator structures and their interaction with synchrotron radiation

SOI (silicon-on-insulator) structures with strained and unstrained silicon layers were studied by ultrasoft X-ray emission spectroscopy and X-ray absorption near edge structure spectroscopy with the use of synchrotron radiation techniques. Analysis of X-ray data has shown a noticeable transformation of the electron energy spectrum and local partial density of states distribution in valence and conduction bands in the strained silicon layer of the SOI structure. USXES Si L2,3 spectra analysis revealed a decrease of the distance between the L2v′ и L1v points in the valence band of the strained silicon layer as well as a shift of the first two maxima of the XANES first derivation spectra to the higher energies with respect to conduction band bottom Ec. At the same time the X-ray standing waves of synchrotron radiation (λ~12–20 nm) are formed in the silicon-on-insulator structure with and without strains of the silicon layer. Moreover changing the synchrotron radiation grazing angle θ by 2° leads to a change of the electromagnetic field phase to the opposite