Potentiometric Responses of Polymeric Liquid Membranes Based on Hydrophobic Chelating Agents to Metal lons

液膜イオンセンサーの感応物質として用いる各種キレート試薬の疎水性が、金属イオンに対する電位応答に及ぼす効果について調べた。キレート試薬として、オキシン、ジチゾン、ビリジルアゾナフトール及びそれらの長鎖アルキル誘導体、ならびに一連のN-アルキルカルボニル-N-フェニルヒドロキシルアミン類を用いた。疎水性の高いキレート試薬を含む膜でZn2+,Ni2+などに対し大きな電位応答が得られた。一方、疎水性が低い試薬では、有意な電位応答は得られなかった。電位応答挙動、界面張力測定などの結果から、膜電位発生モデルを提案した。キレート試薬の高い疎水性は、試薬陰イオンが膜/溶液界面にとどまることを可能とする。試薬陰イオンによる金属イオンの選択的取り込みによって界面での電荷分離が達成され、結果として電位応答が生起する

Determination of Trace Impurities in High Purity Gallium by ICP-MS after Bis(1,1,3,3-tetramethylbutyl)dithiophosphinic Acid Extractive Separation

The extraction behaviors of bis(1,1,3,3-tetramethylbutyl)dithiophosphinic acid (HDTP) to gallium(III), indium(III), zinc(II), cadmium(II), cobalt(II), nickel(II), cupper(II) and lead(II) were investigated for separation of trace impurities from high purity gallium. The extraction mechanism was proposed by the so-called log-log plot analysis, and verified by elementary analysis, FT-IR, and ESI-MS studies. The impurities in high purity gallium ( ≥ 99.999%) was separated by HDTP extraction and determined by ICP-MS. Such a method can be applied to purification of high purity gallium

Potentiometric Responses of Polymeric Liquid Membranes Based on Hydrophobic Chelating Agents to Metal lons

液膜イオンセンサーの感応物質として用いる各種キレート試薬の疎水性が、金属イオンに対する電位応答に及ぼす効果について調べた。キレート試薬として、オキシン、ジチゾン、ビリジルアゾナフトール及びそれらの長鎖アルキル誘導体、ならびに一連のN-アルキルカルボニル-N-フェニルヒドロキシルアミン類を用いた。疎水性の高いキレート試薬を含む膜でZn2+,Ni2+などに対し大きな電位応答が得られた。一方、疎水性が低い試薬では、有意な電位応答は得られなかった。電位応答挙動、界面張力測定などの結果から、膜電位発生モデルを提案した。キレート試薬の高い疎水性は、試薬陰イオンが膜/溶液界面にとどまることを可能とする。試薬陰イオンによる金属イオンの選択的取り込みによって界面での電荷分離が達成され、結果として電位応答が生起する