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Analyse XPS des surfaces de Si et SiO2 exposĂ©es aux plasmas de CHF3 et CHF3âC2F6. PolymĂ©risation et gravure
Des surfaces de Si et SiO2 exposĂ©es Ă des plasmas de CHF 3 et CHF3âC2F6 sont caractĂ©risĂ©es par spectroscopie de photoĂ©lectrons (XPS). Un dĂ©pĂŽt fluorocarbonĂ©, d'Ă©paisseur variable suivant la composition du gaz et le temps d'exposition, est observĂ© Ă la surface des matĂ©riaux ; les groupements CF3, CF2, CF, CâCFx x = 1 Ă 3 sont mis en Ă©vidence. La composition et la structure du polymĂšre sont discutĂ©es. L'interface polymĂšre-substrat est analysĂ©e en dĂ©tail ainsi que le rĂŽle des ions du plasma sur le mĂ©canisme d'initiation du polymĂšre. La compĂ©tition entre les processus de gravure et de polymĂ©risation est Ă©tudiĂ©e dans les mĂ©langes CHF3âC 2F6. Une corrĂ©lation est faite entre les rĂ©sultats d'analyse de surface et ceux d'analyse du plasma par spectromĂ©trie de masse. La gravure du polymĂšre en plasma d'oxygĂšne est enfin Ă©tudiĂ©e : la vitesse de gravure et la pression partielle du principal effluent de gravure COF2 sont Ă©tudiĂ©es en fonction du dĂ©bit ; les surfaces nettoyĂ©es sont caractĂ©risĂ©es