10 research outputs found
์ ๊ฒฝ๊ตฌ์กฐ์ ๋ฐ๋ฅธ ๋ฐ๋์ฒด์ ๊ทน์ ์์ฉ์ ํฉ์ฑ ์ฐ๊ตฌ
ํ์๋
ผ๋ฌธ(์์ฌ)--์์ธ๋ํ๊ต ๋ํ์ :์ ๊ธฐ๊ณตํ๋ถ,1999.Maste
Fabrication of Depth Probe Type Semiconductor Microelectrode Arrays for Neural Recording Using Both Dry and wet Etching of Silicon
๋๋ ํผ์ง์ ์ฝ์
ํ์ฌ ๊น์ด์ ๋ฐ๋ผ ์ ๊ฒฝ ์ ํธ๋ฅผ ๊ธฐ๋กํ๊ธฐ ์ํ ํ์นจํ ๋ฐ๋์ฒด ๋ฏธ์ธ์ ๊ทน ์ด๋ ์ด(depth-type silicon microelectrode array, ์ผ๋ช
SNU probe)๋ฅผ ์ ์ํ์๋ค. ๋ถ์๋ฅผ ํ์ฐ์์ผ ์์ฑ๋ ๊ณ ๋๋ p-type doping ๋ p+ ์์ญ์ ์ต์์๊ฐ ์ ์ง์ ์ผ๋ก ์ฌ์ฉํ๋ ๊ธฐ์กด์ ๋ฐฉ๋ฒ๊ณผ ๋ฌ๋ฆฌ ์ค๋ฆฌ์ฝ ์จ์ดํผ์ ์๋ฉด์ ๊ฑด์์๊ฐํ์ฌ ์ํ๋ ํ์นจ ๋๊ป๋งํผ์ ๊น์ด๋ก ํธ๋ ์น(trench)๋ฅผ ํ์ฑํ ํ ๋ท๋ฉด์ ์ต์์๊ฐํ๋ ๋ฐฉ๋ฒ์ผ๋ก ํ์นจํํ์ ๋ฏธ์ธ ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ๋ง๋ค์๋ค. ์ ์๋ ๋ฐ๋์ฒด ๋ฏธ์ธ์ ๊ทน ์ด๋ ์ด์ ํ์นจ ๋๊ป๋ 30um ์ด๋ฉฐ ์ค๋ฆฌ์ฝ ๊ฑด์์๊ฐ์ ์ํ ๋ง์คํฌ๋ก 6um ๋๊ป์ LTO(low teemperature oxide)๋ฅผ ์ฌ์ฉํ์๋ค. ํ์นจ์ ๋๊ป๋ ๊ฐ๋ฐ๋ ๋ณธ ๊ณต์ ์ ์ด์ฉํด์ 5~90um ๋ฒ์๊น์ง ์ฝ๊ฒ ์กฐ์ ํ ์ ์์๋ค. ํ์นจ์ ๋๊ป๋ฅผ ๋ณด๊ฐ ์ฝ๊ฒ ์กฐ์ ํ ์ ์๊ฒ ๋จ์ ๋ฐ๋ผ ์ฌ๋ฌ ์ ๊ฒฝ ์กฐ์ง์ ํ์ํ ๋ค์ํ ๊ตฌ์กฐ์ ๋ฐ๋์ฒด ๋ฏธ์ธ์ ๊ทน ์ด๋ ์ด๋ฅผ ๊ฐ๋ฐํ ์ ์๊ฒ ๋์๋ค. ๋ณธ ๊ณต์ ์ ์ด์ฉํด์ ๊ฐ๋ฐ๋ 4์ฑ๋ SNU probe๋ฅผ ์ฌ์ฉํ์ฌ ํฐ์ฅ์ ์ 1์ฐจ ์ฒด๊ฐ๊ฐ ํผ์ง์์ 4์ฑ๋ ์ ๊ฒฝ์ ํธ๋ฅผ ๋์์ ๊ธฐ๋กํ์์ผ๋ฉฐ, ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ๊ฒ์ฌ์์ ๊ธฐ์กด์ ํ์นจํ ๋ฐ๋์ฒด ๋ฏธ์ธ์ ๊ทน, ํ
์คํ
์ ๊ทน๊ณผ ๋๋ฑํ๊ฑฐ๋ ์ฐ์ํ ์ ํธ๋ ์ก์๋น(signal to noise ratio, SNR)ํน์ฑ์ ๊ฐ์ง์ ํ์ธํ์๋ค.๋ณธ ์ฐ๊ตฌ๋ 2000๋
๋ ๋ณด๊ฑด๋ณต์ง๋ถ ๋ณด๊ฑด์๋ฃ๊ธฐ์ ์งํฅ์ฌ์
์ฐ๊ตฌ(๊ณผ์ ๋ฒํธ:HMP-00-B-31400-00174)์ง์์ ์ํด ์ํ๋์