수소이온 전도체 SrCeO₃의 평형 전기적 특성

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :무기재료공학과,1998.Maste

다중 셀 셀룰러 네트워크 시스템에서 셀 간 부하 균형을 위한 사용자의 동적 할당 방식에 관한 연구

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 전기·컴퓨터공학부, 2012. 2. 김성철.Since the mobile device such as smartphone and tablet PC market has been growing rapidly over the past few years, the demand for mobile data traffic has increased explosively. However mobile service operator can offer limited data traffic because of the limited wireless resources such as bandwidth and transmit power, etc. This shortage of the available wireless resources gives rise to the network overload, low service quality and high probability of call block rate. This phenomenon will become worse when a large number of user is concentrated on one serving node. This paper focused on how to associate user with serving nodes in order to achieve improved fairness and efficiency for the cellular networks. We formulate this problem as a network-wide utility maximization problem and propose practical user handover algorithm. Each serving node transmit the information of the number user associating with them periodically. And each user calculate the difference of network-wide utility function if handover is occurred based on the reference signal(or pilot signal) power and the number of active user in each node. The proposed algorithm increase network-wide utility function value and lower 5% user's throughput. However in a point of view from the total network throughput, this algorithm make a loss. We prove the increase of fairness and efficiency using system-level simulation.최근 스마트 폰과 태블릿 PC등 모바일기기가 대중화 되면서 모바일 데이터 수요가 폭발적으로 증가하고 있다. 하지만 데이터 수요 증가에 비해 통신 사업자가 제공할 수 있는 트래픽에는 한계가 있기 때문에 망 과부하와 서비스 품질 저하 현상이 나타나고 있다. 특히 많은 사용자가 집중되어 있는 셀에서는 이러한 문제가 더욱 심각해지기 때문에 인접의 다른 셀로 사용자들을 넘겨주는 방법이 필요하다. 본 논문에서는 직교주파수분할 다중접속 방식을 사용하는 다중 셀 셀룰러 네트워크에서 셀 간 사용자의 수가 불균형을 이룰 때 네트워크 전체의 관점에서 효용함수의 합을 최대화 하는 알고리즘을 제시한다. 기지국은 특정 시간 주기 마다 현재 서비스 받고 있는 사용자의 수를 사용자들에게 전송하고 사용자는 이 정보를 바탕으로 다른 기지국과 연동을 할 것인지 결정하게 된다. 본 논문에서 제시한 알고리즘을 통하여 네트워크 전체의 총 전송률 측면에서는 손해를 보지만 하위 5%의 사용자의 전송률은 이익을 본다는 결론을 얻을 수 있었으며 또한 목표하였던 네트워크 전체의 관점에서 효용함수의 합을 최대화 할 수 있다는 점을 모의실험을 통하여 증명한다.Maste

「 존재와 시간 」 에 있어서의 역사성

Heidegger 철학 전반에 걸쳐 역사성(Geschitlichkeit) 또는 그것과 연결된 역운(Geschick), 운명(Schicksal), 전승(Uberlieferung), 반복(Wiederholung) 등의 개념 또는 개념성(Begrifflichkeit)이 대단히 중요한 위치를 차지하며, 역사에 대한 Heidegger의 '견해'가 매우 독특하여 주목할 만하다는 것은 비교적 잘 알려진 사실이다. 그러나 구체적으로 그의 역사성이 '무엇'을 의미하는지, 역사에 대한 그의 '견해'가 어떠한 것인지에 관해서는 잘 이해되어 있지 못하다는 것이 또한 사실이다. 이 글의 의도는 아직도 불명확한 채로 남아 있는 그러한 역사성의 의미를, 우선 「존재와 시간」에 나타난 대로만이라도 밝혀 보려는 것이다

다개체 로봇들의 동작 조율을 위한 매개 충돌영역 기술

학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 전기. 컴퓨터공학부, 2011.8. 이범희.Docto

Phase separation and crystalline quality in InGaAs and InAlAs layers grown on InP substrate by MBE

학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 재료공학과, 1997.2, [ vi, 132 p. ]본 논문에서 분자선 에피탁시로 성장된 $In_xGa_{1-x}As$와 $In_xAl_{1-x}As$에피층들에 대한 미세구조 관찰을 통하여 에피층에서 일어나는 상분리 현상의 특성과 에피층들의 결정학적 품위에 대하여 연구하였다. 성장온도가 $In_xGa_{1-x}As$ 에피층에서 일어나는 상분리에 미치는 영향에 대해 고찰하기 위해서 낮은 온도인 310℃와 500℃에서 성장된 $In_xGa_{1-x}As$ 에피층들의 미세구조를 관찰하였다. 310℃에서 성장된 $In_xGa_{1-x}As$ 에피층에서 상분리에 기인된 15nm 크기의 fine modulation이 형성되어 있음을 관찰하였다. 또 510℃에서 성장된 에피층에서 역시 15nm의 주기를 갖는 fine modulation이 형성되었음이 관찰되었다. fine modulation은 에피층 성장시 성장면에서 상분리에 의해 형성되는 것으로 알려져 있으며, 이에 따라 성장온도에 의존적일 것이라고 생각되었다. 그러나 본 연구에서는 190℃의 성장온도 차이에도 불구하고 성장온도의 영향이 없는 것으로 나타난다. 이는 성장온도에 따른 surface reconstruction에 기인하는 것으로 생각된다. 준 평형 성장 방법인 LPE나 VPE등으로 성장된 에피층에서 관찰되는 100nm~300nm 크기를 갖는 coarse modulation에 대해서는 많은 연구가 진행되어왔다. 그러나 비평형 성장 방법인 MBE로 성장된 에피층들에서 가끔 관찰되는 coarse modulation 형성에 대한 연구는 아직 미흡한 단계이다. MBE로 310℃에서 성장된 $In_{0.525}Ga_{0.475}$ As(t=0.95 ㎛) 에피층에서 coarse modulation형성 원인에 대해서 고찰하기 위해서 투과 전자현미경을 이용하여 기판 영역이 완전히 제거된 TEM 시편의 여러 에피층 표면부위를 관찰하였다. TEM 시편의 얇은 영역에서는 단지 15nm의 크기의 fine modulation만 관찰되었고, 비교적 두꺼운 영역에서는 fine modulation과 약 200nm 크기의 coarse modulation이 동시에 존재함을 알 수 있었다. 즉, coarse modulation 관찰 여부는 TEM 시편의 두께 의존함을 알 수 있었다. 또한 같은 성장온도에서 성장된 시편 $In_{0.525}Ga_{0.475}As$에서도 역시 coarse modulation 관찰 여부의 두께 의존성을 보여주고 있다. 이러한 coarse modulation 관찰의 두께 의존성으로부터 MBE로 성장된 에피층에서 관찰되는 coarse modulation은 성장시 상분리에 기인하여 형성된 fine modulation과 관계된 biaxial stress state를 수용하기 위해 일어나는 얇은 foil의 artifect임을 확인 할 수 있었다. 상분리된 미세구조의 열처리에 따른 거동을 고찰하기 위해서 310℃에서 성장된 $In_{0.525}Ga_{0.475}As$ 시편에 대해서 열역학적으로 예상되는 임계온도보다 낮은 400℃에서 3, 1000시간 열처리를 수행하였다. 3시간 열처리한 시편에서 as-grown InGaAs 에피층에서와 큰 변화 없이 15nm 크기의 fine modulation이 관찰되고 있으며, 회절패턴에서도 특이한 변화를 관찰하지 못하였다. 1000시간 열처리한 시편에서도 미세구조 관찰시 15nm의 주기를 갖는 fine modulation이 나타난다. 그러나, as-grown 시편에 비해서 modulation contrast가 희미해지며, 또한 회절 패턴에서도 fine modulation과 관계된 200과 020 spot들의 elongation이 감소함을 알 수 있었다. 이러한 열처리에 의한 fine modulation의 퇴화 경향으로부터 400℃에서 InGaAs 에피층에서 상분리된 미세구조가 ground state가 아님을 알 수 있었다. 또한 열처리 시간에 따라서 modulation의 주기는 변화가 없으며, 점점 modulation의 진폭이 감소하면서 사라짐을 알 수 있었다. MBE로한국과학기술원 : 재료공학과

Non-linear coupling of the tearing modes

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 1985.2, [ [iii], 50, [8] p. ]한국과학기술원 : 물리학과

A study on martensitic transformation in Fe-6.83wt.%Al-1.66wt.%C and orientation relationship between its precipitate K and α phase

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 재료공학과, 1991.2, [ [iii], 61 p. ]한국과학기술원 : 재료공학과