고분자전해질 연료전지에서 환원전극 촉매에 따른 막-전극접합체의 성능분석 연구

Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :화학생물공학부, 2009.2.Docto

BROADBAND LIGHT GENERATING DEVICE INCLUDING LUMINESCENT MATERIAL, BROADBAND OPTICAL SOURCE USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

본 발명은 발광체가 포함된 광대역광 발생장치, 이를 이용한 광대역 광원 및 그 제조방법에 관한 것으로, 코어 및 상기 코어의 외주를 둘러싸는 클래드층으로 이루어진 적어도 1개의 광섬유와, 상기 코어의 외부면 또는 내부에 포함되어 이루어진 서로 다른 적어도 1개의 발광체가 포함됨으로서, 작은 세기의 펌핑용 광원에서도 다양하고 넓은 파장 대역의 빛을 발생시킬 수 있는 효과가 있다

세계적으로 친환경적이고 경제적인 소재의 필요성이 강조되면서, 독성과 제작의 복잡성으로 제한이 있는 Cd 계열의 콜로이드 양자점을 대체할 수 있는 새로운 발광 소재가 필요하게 된다. 이때 친환경적이고 경제적인 탄소 기반의 「그래핀 양자점」의 활용이 급속도로 증가하게 되어 다양한 광전 소자, 바이오 및 의료 분야에 응용하게 된다.

korCho, Yong-Hoon한국과학기술원 : 물리학

MICRO LIGHT EMITTING DIODE USING ACTIVE MATRIX SYSTEM

본 발명의 일 실시예에 따르는 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED는, 기판; 상기 기판상에 형성되는 n-형 반도체층; 상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 발광 구조체층; 상기 n-형 반도체층의 적어도 일부 영역과 전기적으로 연결되는 n-형 전극층; 상기 발광 구조체층 상에 상기 발광 구조체층의 전체 또는 일부가 내부에 묻히도록 형성되는 p-형 반도체층; 및 상기 p-형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 p-형 전극층;을 포함하는 발광부와 액티브 매트릭스 방식으로 구동하는 구동 회로부를 포함하고, 상기 발광 구조체층은, 각각 서로 다른 파장의 빛을 발하는 복수 개의 구분되는 영역들을 포함하고, 상기 구분되는 영역들 각각은 단일 또는 복수 개의 3차원 발광 구조체들을 포함하고, 액티브 매트릭스 방식으로 개별적으로 발광 여부의 제어가 가능한 것이다

Nano Structure having quantum structures, Method for manufacturing thereof and photon-emitting devices having the same

본 발명은 양자구조를 포함하는 나노구조체에 관한 것으로, 보다 구체적으로 원뿔 또는 다각형뿔 형상의 상단을 갖는 오벨리스크 나노구조체로서, 상기 오벨리스크 나노구조체의 적어도 일부분에 형성된 양자구조를 포함하는 나노구조체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 광자 방출 소자에 관한 것이다. 본 발명에 의한 양자구조를 포함하는 나노구조체는 높은 광추출 효율 및 발광 재결합 효율이 우수하고, 단일 양자구조의 위치 확인이 용이하여 고효율의 광자 방출 소자를 제공할 수 있다

Development of polariton-based PT symmetric laser that converts loss into gain

https://archives.kaist.ac.kr/eng/research.jsp?year=2021&view=view01정육각형 모양의 반도체 막대 구조 안에서 상호작용이 높은 양자 입자를 생성하여, 손실이 커질수록 발광 성능이 좋아지는 Parity-Time reversal Symmetry (PT 대칭성) 레이저를 개발하는데 성공하였다. 이를 위하여 빛과는 달리 상호작용이 높은 엑시톤-폴라리톤을 이용해 단 한 개의 정육각형 마이크로 공진기 안에 존재하는 서로 다른 모드 사이의 상호작용을 직접적으로 제어하였다. 육각 대칭성을 갖는 단일 공진기 내부에는 에너지가 동일하면서 정삼각형 및 역삼각형 형태의 경로를 갖는 두 개의 광학적 모드가 상호작용 없이 존재하게 되는데, 빛 대신 폴라리톤을 이용하면 엑시톤을 매개로 하여 두 개의 모드 사이에 직접적인 상호작용이 가능하다. 이 중 역삼각형 모드에 대해서만 손실 크기를 연속적으로 조절할 수 있도록 나비넥타이 모양으로 홈이 파여진 기판과 결합했는데, 이를 통해 손실이 증가할수록 작동에 필요한 에너지가 도리어 더 작아진다는 특이한 결과를 상온에서 관측하고 그 원인을 체계적으로 규명했다. 이는 일반적으로 손실이 클수록 작동에 필요한 에너지가 증가한다는 일반적인 직관과는 상반되는 결과로서, 기존에 빛을 이용한 PT 대칭성 시스템의 복잡성과 한계를 극복하고 단 하나의 반도체 마이크로 공진기를 이용해 폴라리톤 기반의 PT 대칭성 레이저를 최초로 구현하였다. 이번 연구를 통해 개발된 PT 대칭성 레이저는 향후 고효율의 레이저 소자부터 양자 광소자에 이르기까지 광범위하게 활용할 수 있을 것으로 기대된다.We have successfully developed a parity-time reversal symmetry (PT symmetry) laser using highly interactive quantum particles in a regular hexagonal semiconductor rod structure and found that mprovement of luminous performance as loss increases. To this end, the interaction between the different modes in a single hexagonal microcavity is directly controlled by using exciton-polaritons, which has a high interaction unlike light. In a single resonator with hexagonal symmetry, two optical modes with the same energy and paths in the form of upward and downward triangles exist without interaction. By using exciton-polaritons instead of light, however, direct interaction between the two modes is possible through excitons. Of these, only the downward triangular mode was combined with a substrate grooved in the shape of a bow tie so that the amount of loss could be continuously adjusted. Through this, the unusual result that the energy required for operation becomes smaller as the loss increases was observed at room temperature and the cause was systematically investigated. This is a counterintuitive result that the energy required for operation increases as the loss is greater. It overcomes the complexity and limitations of the existing PT symmetric system using light and uses only a single semiconductor microcavity to develop a PT symmetric laser based on polariton system for the first time. The PT symmetric laser developed through this research is expected to be widely used for high-efficiency laser devices and quantum optical devices.한국과학기술원 : 물리학

AlGaAsInGa(As)P 이종 구조의 band-offset 상관 관계와 anti-Stokes photoluminescence의 운반자 동력학에 관한 연구

Thesis (doctoral)--서울대학교 대학원 :물리학과,1997.Docto

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층을 가지는 반도체 발광소자에 있어서, 상기 활성층은 ZnO 기판 상에 성장되며, 우물 내의 In 조성물과 장벽 내의 Mg 조성물을 선택적으로 조절하여 제로(zero)의 내부전계를 가진 InxGa1-xN(0≤x≤1) 우물층과 MgyZn1-yO(0≤y≤1) 장벽층을 포함하는 양자우물(QW) 구조로 이루어짐으로써, 우물과 장벽 사이의 압전분극과 자발분극의 무효화로 인해 내부전계의 극성을 제거하여 광학적 매트릭스 요소가 크게 향상될 수 있는 효과가 있다