27 research outputs found

    다공성 폴리에틸렌 안와삽입물의 피복재료로서 다수의 큰 구멍을 뚫은 extended polytetrafluoroethylene(e-PTFE)의 이용에 관한 연구

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    학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :의학과 마취과학전공,2003.Maste

    경계층 와류가 복합분사각을 가지는 막냉각 성능에 미치는 영향

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    학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :기계항공공학부 기계공학과,2000.Maste

    公法·私法 區別과 行政法 : 獨逸에서의 歷史的 發展과 그 方法論的 意味를 中心으로

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    학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :법학과 행정법 전공,2001.Maste

    한국인에서 안구부속조직 점막기원 림프종의 유전자 메틸화 양상과 Chlamydia psittaci의 감염 및 임상소견과의 연관성

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    학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 의학과, 2011.2. 곽상인.Docto

    유기금속 화학 기상 증착법을 이용한 육방정 질화붕소 에피택셜 성장 및 메모리 소자 응용

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    DoctorThis dissertation presents wafer-scale and selective-area epitaxial growth of hexagonal boron nitride (h-BN) by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and explores the potential of h-BN as an active component in memory devices based on in-depth investigation of defects and interfacial charge transfer properties of h-BN. In the first part of this dissertation, wafer-scale epitaxial growth of high-quality h-BN film on Ni(111) template using MOCVD is demonstrated. Compared with inert sapphire substrate, the catalytic Ni(111) template facilitates a fast growth of high-quality h-BN film at the relatively low temperature of 1000 °C. Wafer-scale growth of a high-quality h-BN film with Raman E2g peak full width at half maximum (FWHM) of 18~24 cm−1 is achieved, which is to the extent of our knowledge the best reported for MOCVD. Systematic investigation of the microstructural and chemical characteristics of the MOCVD-grown h-BN films reveals a substantial difference in catalytic capability between the Ni(111) and sapphire surfaces that enables the selective-area growth of h-BN at pre-defined locations over a whole 2-inch wafer. These achievement and findings have advanced our understanding of the growth mechanism of h-BN by MOCVD and will contribute an important step toward scalable and controllable production of high-quality h-BN films for practical integrated two-dimensional (2D) materials-based systems and devices. The second part of this dissertation is devoted to the investigation of resistive switching (RS) behavior of few-layer h-BN mediated by defects and interfacial charge transfer to explore the potential of h-BN as an active component in 2D resistive random access memory (RRAM) applications. Few-layer h-BN is grown on sapphire by MOCVD and used as active RS medium in Ti/h-BN/Au structure, exhibiting clear bipolar RS characteristics without an initial electroforming process. Systematic investigation on microstructural and chemical characteristics of the h-BN reveals that there are structural defects such as homoelemental B−B bonds at grain boundaries and nitrogen vacancies, which can provide preferential pathways for the penetration of Tix+ ions through the h-BN film. In addition, the interfacial charge transfer from Ti to the h-BN is observed by in situ X-ray photoelectron spectroscopy. We suggest that the attractive Coulomb interaction between positively charged Tix+ ions and the negatively charged h-BN surface as a result of the interfacial charge transfer facilitates the migration of Tix+ ions at the Ti/h-BN interface, leading to facile formation of conductive filaments. We believe these findings can improve our understanding of the fundamental mechanisms involved in RS behavior of h-BN and contribute a significant step for the future development of h-BN-based nonvolatile memory applications

    공무원의 복종의무와 그 한계 -헌법 제7조와의 관계를 중심으로-

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    Comparisons of Isolation Performances for the SMA Mesh Washer Isolator with the Variation of Pre-compressed Displacement

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    이 연구는 한국연구재단을 통해 교육과학기술부 의 우주기초원천기술개발 사업(NSL, National Space Lab)으로부터 지원받아 수행되었습니다(과제번호 2009-0091934)

    Development of stiffness tunable mesh isolator based on shape memory alloy

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    학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 항공우주공학전공, 2014.2, [ xi, 122 p. ]진동의 제어 기술은 능동제어, 수동제어 및 반능동 제어로 나눌 수 있다. 능동제어 및 반능동제어는 PZT나 스마트 구조(smart structure) 등을 이용하여 외부의 가진에 대해 효율적으로 진동을 제어 할 수 있지만 복잡한 구조와 고전력의 소모라는 단점을 가지고 있어, 특정 구조에 간단히 적용시키기 어려워 상용화에 어려움이 있다. 수동제어는 간단하며 현재 고무 등의 탄성중합체를 이용한 진동 충격 저감용 절연계가 다양하게 상품화 되어 있다. 하지만 절연계의 강성변화가 기본적으로 불가능 하여, 특정 주파수 이상의 값에서만 진동을 절연할 수 있다. 비행기, 선박, 지상의 많은 기계장비 뿐아니라 발사체나 위성 역시 여러가지 목적에 의해 진동 및 충격에 대한 대비책으로 절연계를 사용하고 있는 실정이며, 이들의 진동현상 역시 특정 주파수로만 가진되지는 않는다. 진동, 충격 절연을 위한 절연계의 고유주파수가 가진 주파수와 일치할 경우 매우 큰 진동 증폭현상이 발생하게 되고, 특히 이러한 증폭현상이 저주파수 영역에 나타날 경우 구조물의 큰 진동변위를 유발시켜 구조 안정성을 떨어뜨리는 요인이 된다. 그러므로 특정 가진이 절연시스템의 고유주파수와 근접한 경우, 절연 부재의 강성을 변화 시킬 수 있다면 절연시스템의 고유주파수를 변화 시킬 수 있고, 이를 통해 진동의 증폭현상을 피하여 구조 안정성을 확보할 수 있다. 본 연구에서는 발사체의 파이로충격 성능을 확보함과 동시에 저주파 진동증폭을 피하기 위해 절연계의 강성 조정을 수행하였다. 특정 가진이 절연시스템의 고유주파수와 근접한 경우, 절연 부재의 강성을 변화 시킬 수 있다면 절연시스템의 고유주파수를 변화 시킬 수 있고, 이를 통해 진동의 증폭현상을 피하여 구조 안정성을 확보할 수 있다. 즉, 단분리, 페어링 분리 등의 파이로충격이 발생하는 이벤트에서는 절연계의 고유주파수를 낮추어 충격 저감 성능을 확보하고, 최대 동압구간에서는 고유주파수를 높여 저주파 진동 증폭 현상을 피해 구조 안정성을 확보하고자 한다.한국과학기술원 : 항공우주공학전공

    VIBRATION AND SHOCK ISOLATOR

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    진동 및 충격 절연계는 절연 부재 및 압축 부재를 포함한다. 절연 부재는 진동원과 절연 대상물을 연결한다. 압축 부재는 상기 진동원으로부터 상기 절연 부재로 인가되는 진동에 따라 상기 절연 부재에 압축 변위를 제공하여, 상기 절연 부재의 강성을 변화시킨다. 따라서, 형상기억 와이어를 이용하는 간단한 방식으로 특정값으로 설계된 절연계의 설계 주파수를 간단히 변화시킬 수 있어서, 간단한 방식으로 진동의 증폭 현상을 억제시킴으로써, 구조 안정성을 확보하고 효율적인 진동 절연을 구현할 수 있다. 또한, 시스템 구성이 매우 간단하여, 신뢰성 및 내구성이 높은 장점이 있다

    Frontalis Sling Operation by Fixation of Preserved Fascia Lata to Tarsus in Congenital Blepharoptosis Patients

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    목적 : 선천눈꺼풀처짐 환자에서 보존대퇴근막을 이용한 이마근걸기술을 시행할 때 근막의 눈꺼풀판 고정이 수술 결과를 호전시키는지 알아보고자 하였다. 대상과 방법 : 보존대퇴근막을 이용한 이마근걸기술을 시행받은 선천눈꺼풀처짐 환자들 중 근막을 눈꺼풀판에 직접 고정한 39 명과 눈꺼풀판 고정을 시행하지 않은 43명의 의무기록을 후향적으로 조사하여 추적기간에 따른 재발율을 생존분석을 통해 비교하였다. 결과 : 수술시 연령은 눈꺼풀판 고정을 같이 시행한 군에서 평균 59.3개월, 눈꺼풀판 고정을 시행하지 않은 군에서 평균 64.7개월이었다. 재발은 눈꺼풀판 고정을 같이 시행한 군에서는 13명(33.3%), 눈꺼풀판 고정을 시행하지 않은 군에서는 20명(46.5%)에서 있었다. 술후 재발하기까지의 median survival time은 눈꺼풀판 고정을 같이 시행한 군에서 28.4개월, 시행하지 않은 군에서 26.1개월로 두 군간에 통계학적으로 유의한 차이는 없었다(p=0.64). 결론 : 선천눈꺼풀처짐 환자에서 보존대퇴근막을 이용한 이마근걸기술을 시행할 때 근막의 눈꺼풀판 고정 여부는 술후 재발에 유의한 영향을 미치지 않았다. <한안지 47(1):1-6, 2006>N
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