Study of the Electrode Effects on Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film

학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :공과대학 재료공학부,2020. 2. 황철성.Ferroelectricity of doped HfO2 was first reported in 2011 by NaMLab in Dresden, Germany. Ever since the discovery of the unprecedented ferroelectric orthorhombic Pca21 phase in doped HfO2, a number of research have been conducted. Unlike conventional ferroelectric perovskite materials, which show degraded ferroelectric property under certain critical thickness, fluorite structured-doped HfO2 maintains its property under few nm thickness, which is a high gain in terms of scaling and three dimensional structure. Its Si compatibility is another intriguing factor for manufacturing. Numerous studies have been conducted to find the origin of ferroelectric orthorhombic phase within doped HfO2, including effects from film thickness, dopant type, annealing condition, top electrode presence. A number of studies on the first principle calculation based on thermodynamics have been also conducted. However, very few research has been conducted on the kinetics and bottom electrode effect, on which this dissertation aims to emphasize. Finding the origin of the unprecedented ferroelectricity within doped HfO2 has suffered from a serious gap between its theoretical calculation, mostly based on thermodynamic approach. To fill the gap, the first part of the dissertation proposes to consider the kinetic energy, providing the evidence of the kinetic energy barrier upon a phase transformation from the tetragonal phase to the monoclinic phase affected by the TiN top electrode (capping layer). 10 nm thick Hf0.5Zr0.5O2 thin films were deposited and annealed with or without the TiN capping layer with subsequent annealing at different time and temperature. Arrhenius plot is constructed to obtain the activation energy for the tetragonal-to-monoclinic phase transformation by calculating the amount of the transformed phase using X-ray diffraction pattern. Johnson–Mehl–Avrami and nucleation-limited transformation models are utilized to describe the characteristic nucleation and growth time and calculate the activation energy for the monoclinic phase transformation of the Hf0.5Zr0.5O2 thin film. Both models demonstrate that the TiN capping layer provides a kinetic energy barrier for tetragonal-to-monoclinic phase transformation and enhances the ferroelectric property. The second part of the dissertation explains the bottom electrode effect, especially Ru electrode. Ru has been reported to be oxidized to RuO2 during initial atomic layer deposition process when using O3 for oxidant. This formation of RuO2 layer on Ru electrode is expected to act as a layer to hinder the growth of a non-ferroelectric monoclinic phase and promote the tetragonal phase formation, which can transform into a metastable ferroelectric orthorhombic phase. It turned out that Hf0.5Zr0.5O2 thin film is crystallized on Ru electrode aided by the formation of RuO2 layer at as-deposited condition without any further post-annealing process. As-deposited film, however, showed high leakage current and endurance problem, which required further annealing, which caused Ru diffusion into the dielectric layer and degraded the ferroelectric property. Without the post-annealing process, ~10 nm Hf0.5Zr0.5O2 thin film produced a large amount of orthorhombic phases which aided in high remnant polarization of ~17 μC/cm2 at 4 MV/cm with ~108 endurance cycling.2011년 독일 드레스덴에 있는 NaMLab 에서 강유전성을 보이는 HfO2 물질을 처음 발표 한 후로부터 많은 연구가 진행 되어 왔다. 강유전성을 나타내는 Pca21 상의 HfO2 는 두께가 감소됨에 따라서 특성이 열화되는 기존 페로브스카이트 물질과 다르게 몇 nm 수준에서도 강유전성 특징을 보이기 때문에 scaling 과 3차원 구조 측면에서 강점을 갖고 기존 Si 공정에 잘 부합함에 따라 차세대 메모리 물질로 꼽힌다. 두께, 도펀트, 열처리 조건, 상부 전극 효과 및 열역학에 기반 된 제1원리 계산 등 강유전성을 나타내는 HfO2 물질 거동의 원인에 대해서 많은 연구가 진행 되어 왔다. 하지만 동력학 측면에서는 많은 보고가 되어있지 않고 Ru 하부 전극을 사용한 실험 결과도 많이 보고 되어 오지 않았기 때문에 이 학위 논문에서는 위의 두 효과에 대해서 살펴보고자 한다. 열역학에 기반한 제1원리 계산 결과의 경우 계산 상수를 바꿔봐도 실험 결과와 일치하지 않는 한계점을 보인다. 이런 한계점을 극복하고자 동력학적인 측면에서 강유전성 발현 현상에 대해서 접근할 필요가 있다. 학위 논문 첫번째 파트에서는 Zr 도핑된 HfO2 박막에서 열처리를 진행 할 때 tetragonal 상에서 monoclinic 상으로 상전이가 일어나는데 상부 전극의 존재 유무에 따른 activation energy 변화값을 구할 수 있다. 본 실험에서는 10 nm 의 Hf0.5Zr0.5O2 박막을 증착하여 TiN 상부 전극 증착 및 열처리 시간과 온도 조건에 따라서 상전이가 일어나는 정도를 X-ray 회절 분석법을 통해 구하며 Arrhenius plot 을 통해 activation energy 를 계산 할 수 있다. 고전적인 Johnson-Mehl-Avrami 모델으로 다결정인 Hf0.5Zr0.5O2 박막의 nucleation and growth 거동을 분석할 경우 한계점을 보였으며 새로 제안하는 nucleation-limited-transformation 모델을 사용하여 Hf0.5Zr0.5O2 박막의 nucleation and growth 성장 거동을 잘 대변할 수 있다. 두번째 파트에서는 Ru 하부 전극이 Hf0.5Zr0.5O2 박막에 미치는 영향에 대해 고찰한다. Ru 하부 전극 위에서 오존을 산화제로 사용하여 Hf0.5Zr0.5O2 박막을 원자층 증착법으로 증착할 때 초기 성장에서 rutile 상의 RuO2 가 생기게 되는데 이는 tetragonal phase 와 lattice mismatch 가 크지 않아 local preferential 한 Hf0.5Zr0.5O2를 성장시키고 비강유전성인 monoclinic phase 를 억제 시킨다. 한 방향으로 결정화가 잘 된 Ru 전극이 in-situ 결정화를 유도 하였으며 결과적으로 Ru 하부 전극 위에 증착 된 Hf0.5Zr0.5O2 박막의 경우 후 열처리 없이 결정화가 되는 거동을 보이는데 이는 TiN 하부 전극 위에 증착한 뒤 열처리 한 박막과 비슷한 잔류 분극 값을 보였다. 하지만 후 열처리가 없는 Ru 위 박막의 경우 높은 누설 전류를 보였으며 Al2O3 를 삽입하여 누설 전류를 억제해도 fatigue 문제가 해결 되지 않았다. 이는 domain wall pinning 에 의한 결과이고 이에 대한 효과를 최소화 하고자 frequency 를 바꿔 측정 하였을 때 108 의 전계 사이클링에서 17μC/cm2 의 2Pr 을 얻었다.1. Introduction. 1 1.1. Ferroelectric Doped-HfO2 Thin Film. 1 1.2. Objective and Chapter Overview. 4 1.3. Bibliography 6 2. Literature.. 8 2.1. External Factors Affecting Ferroelectricity of Doped-HfO2. 8 2.2. Top Electrode Capping Effect. 12 2.3. Choice of Bottom Electrode. 18 2.4. Bibliography 22 3. Nucleation-limited Ferroelectric Orthorhombic Phase Formation in Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films. 24 3.1. Introduction 24 3.2. Experimental 29 3.3. Results and Discussions. 31 3.4. Conclusion... 59 3.5. Bibliography... 61 4. Ru Bottom Electrode Effects on the Ferroelectricity of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films 67 4.1. Introduction 67 4.2. Experimental 71 4.3. Results and Discussions. 72 4.4. Conclusion 113 4.5. Bibliography 115 5. Conclusion. 118 List of Publications 120 Abstract (in Korean) 125Docto

Estimation of DSGE model with or without filter

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 경제학부, 2012. 8. 김재영.경기변동을 설명하기 위한 DSGE 모형 추정에 있어 필터링 된 자료를 사용하는 것이 지금까지의 대부분의 연구들이 사용하는 방식이었다. 따라서 다양한 필터링 방법들이 경제학 연구에 도입이 되어왔다. 몇 가지 널리 사용되는 필터의 예를 들자면 Hodrick-Prescott 필터, band-pass filter, 그리고 Beveridge-Nelson filter를 들 수 있을 것이다. 이러한 방법론의 다양성은 사실 서로 다른 방법론적 대안간의 차이와, 필터링이 작동하는 방식에 대해 명확한 대답이 없이 모호한 상황이라면 단지 연구자의 혼란을 가중시키는 원인이 될 수 있다. 게다가 Fabio Canova(1998)에 따르면, 추정의 결과가 필터링 방법에 따라 다르게 나타난다는 것이 보고 되어 있다. 따라서 본 연구에서는 필터와 추정의 관계에 대해 분석하고자 한다. 특히 i) 널리 사용되고 있는 필터들이 하고 있는 암묵적 가정들을 명증하게 명문화하고, ii) 필터링이 추정에 미치는 영향을 찾아내고, iii) 필터를 사용하지 않는 추정방식을 제시하고자 한다.So far, various filtering techniques have been introduced to the field of economic studies since it has been conventional method to use pre-filtered data to estimate the DSGE model which is constructed to explain business cycle fluctuation. To name a few of widely used filter, Hodrick-Prescott filter, band-pass filter, and Beveridge-Nelson filter. Such diversity of methodological alternatives is a possible source of confusion if the detailed mechanisms of filtering methods and the differences between them are remained unanswered and ambiguous. Furthermore, as Fabio Canova(1998) points out, the results of estimation are not independent of filtering method. Therefore, in this study, the relationship between filter and estimation will be studied. Specifically, it will focus on i) clarify and codify the tacit assumptions on commonly used filtering method, ii) identify the effect of filtering on estimation, iii) propose the estimation method without filtering.1. Introduction 2. Preliminary 2.1 Setting 2.2 Data in frequency domain 2.3 Filter in frequency domain 3. Analysis 3.1 Distortion caused by pre-filtered data 3.2 Minimum mean squared error filtering 3.3 EM algorithm interpretation of filtering 4. Numerical example 4.1 Data generation 4.2 Likelihood function 5. Conclusion Figure ReferencesMaste

새로운 소결조제로서의 알칼리 토금속 탄산염의 소량첨가에 의한 MgAl2O4의 치밀화 거동

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 공과대학 재료공학부, 2017. 8. 강신후.Magnesium aluminate spinel, (MgAl2O4, MAS)내에 0.5mol%의 알칼리 토금속 산화물 및 탄산염을 소결조제로 첨가하여 소결성을 증진시키는 실험을 진행하였다. 산화물을 소결조제로 첨가하였을 시 MAS의 수축율이 고온에서 급격히 높아졌고, 미세조직의 결정립에서 부분적으로 비정상입성장이 일어난 것으로 보아 MAS와 산화물이 고온에서 공정반응을 하여 부분적으로 액상을 형성한 뒤 급격한 치밀화가 이뤄졌을 것이라 판단된다. 탄산염을 첨가한 MAS 역시 소결과정 중에 열분해를 거친 후 고온에서 산화물의 형태로 내부에 존재하게 되며 더욱 높은 온도에서 MAS와 공정반응을 일으키는 것으로 보였다. 이렇듯 지연된 공정반응은 더욱 높은 온도에서 액상을 형성하게 만들었고 이로 인해 얻어진 높은 유동성이 탄산염을 소결조제로 사용하였을 때 상대적으로 소결밀도가 더욱 높게 나타난 원인이 되었을 것이라 판단된다. 또한, 1550℃에서 1시간 유지하는 조건으로 1차 소결을 마친 뒤 소결체를 200MPa의 압력으로 1650℃에서 4시간 유지하는 조건을 가진 HIP으로 2차소결을 하여 투과도를 비교해보았다. CaO와 CaCO3를 소결조제로 사용하였을 경우 가시광선에서 낮은 투과도를 보였던 것에 반해 SrO와 SrCO3를 소결조제로 사용하였을 때 MAS는 가시광선에서 높은 투과도를 보였다. 본 실험을 통한 연구에서는 Sr에 비해 Ca가 MAS 내에 존재할 때 더욱 큰 비정상입성장을 보였으므로 주변 결정립과의 현저한 크기차이로 인해 Ca를 첨가한 MAS의 투과도가 낮게 나왔다고 판단되었다.제 1 장 서 론 1 제 1 절 연구의 배경 1 제 2 장 실험과정 5 제 1 절 원료분말 선정 및 실험과정 5 제 3 장 결과 및 토의 6 제 1 절 Effective concentration of oxide additives 6 제 2 절 Microstructure analysis of MAS with oxide additives 6 제 3 절 Dilatometry analysis of MAS with oxide additives 7 제 4 절 A doping element in MAS 7 제 5 절 Secondary phase in MAS 8 제 6 절 Phase diagram of diverse aluminate compounds 8 제 7 절 Density of MAS with carbonate additives 9 제 8 절 TGA results of MAS powders with carbonate additives 9 제 9 절 Thermal decomposition of carbonates 9 제 10 절 Microstructure analysis of MAS with carbonate additives 10 제 11 절 Dilatometry analysis of MAS with carbonate additives 11 제 12 절 Kinetics of thermal decomposition 11 제 13 절 Hot isostatic pressing 12 제 14 절 Microstructure analysis of MAS with different sintering additives after HIP 12 제 4 장 결론 14 참고문헌 52 Abstract 53 감사의 글 54Maste

A Study on the Design Optimization of Centrifugal Compressor considering the Efficiency and the Volume

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 기계항공공학부, 2014. 2. 강신형.원심압축기는 일반적으로 흡입된 유체에 회전운동으로 운동에너지를 가하는 임펠러와 고속의 운동에너지를 압력으로 변환하는 디퓨저, 그리고 디퓨저에서 나온 고압의 유체를 다른 장치로 전달하는 볼루트로 구성되어 있다. 원심압축기의 성능을 정확히 예측하기에 어려움이 있다. 따라서 원심압축기를 설계하고, 성능을 예측하는 방법에 대해서 많은 연구가 진행되었다(Colwill, 1979, Conrad, 1979, Oh, 1997, Came, 1998, Jang, 2009). 본 연구에서는 일차원적인 방법을 이용하여 압축기의 성능을 예측하고, 설계하는 방법에 대하여 연구하였다. 이를 위해서 적절한 계산 모델을 선택하였고, 필요한 몇 가지 변수들에 대해서는 CFD를 이용한 수치계산 결과를 바탕으로 적절하게 가정하였다. 본 연구의 설계변수로는 임펠러 입구 상대마하수, 출구 유동각과 날개각, 디퓨저의 반경비 그리고 볼루트 출구 마하수로 정하였다. 임펠러 입구의 상대마하수는 임펠러 회전속도와 관련이 깊으며, 출구 유동각과 날개각은 임펠러가 작동유체에 전달하는 일의 양과 관련이 깊다. 또한, 디퓨저의 반경비는 디퓨저 내부에서 손실과 압력회복에 영향을 주는 인자이며, 볼루트 출구의 마하수는 출구 면적을 결정하고 손실을 결정하는 역할을 한다. 임펠러는 Japikse(1996)가 제안한 두 영역 모델과 직렬 두 요소 모델을 이용하여 성능 예측 및 설계하였다. 디퓨저는 베인리스 디퓨저로 한정하였으며, 4차 Runge-Kutta 법을 이용하여 반경비에 따라 지배방정식(Dubitshy, 2008, Johnston, 1966)을 계산하여 성능을 얻었다. 볼루트의 성능은 반경방향 손실과 자오면방향 손실을 고려하는 Japikse(1996)가 제안한 방법을 이용하여 손실을 예측하였다. 임펠러 입구의 상대마하수가 커지면 임펠러의 회전수가 커져 작은 임펠러를 설계하게 되지만, 임펠러의 효율이 감소하면서 전체 원심압축기의 효율이 낮아지게 된다. 임펠러 출구의 유동각을 증가시킬 경우, 작동유체에 전달하는 일의 양이 커지게 되어 출구 반경이 작은 임펠러를 설계할 수 있다. 하지만 날개각을 증가시킬 경우, 일의 양이 작아져 출구 반경이 큰 임펠러를 설계하게 된다. 디퓨저 반경비를 크게 선택하는 경우, 압축기의 전체 크기는 커지지만 디퓨저에서 압력회복이 커지고, 볼루트에서 손실이 줄어들게 되어 전체 성능이 향상된다. 볼루트 출구의 마하수가 작아지면, 출구 면적이 넓어지고, 볼루트 입출구 사이의 면적비가 변하여 손실이 커지고 전체 성능이 낮아진다. 원심압축기 설계 결과, 압축기의 성능이 높아지는 설계와 크기가 작아지는 설계가 상반되는 결과를 가져오기도 하였다. 따라서 초기 설계에 있어 설계자의 역할이 중요하다. 어떠한 설계 변수에 가중치를 높게 평가하여 초기 설계를 결정하는가에 따라 원심압축기 설계 결과가 다르게 나타날 것이다. 따라서 초기 설계 단계에서부터 설계에 고려할만한 변수들에 대하여 객관적인 방법으로 설계할 필요성이 있다. 더욱이 원심압축기는 산업용으로 사용될 뿐만 아니라 항공우주, 군사 등의 특수한 분야에서부터 가전, 자동차 등의 생활과 밀접한 분야에까지 그 쓰임새가 확대되고 있기 때문에 전통적으로 강조되어왔던 효율뿐만 아니라 압축기의 크기 또한 설계 과정에서 고려해야한다. 본 연구에서는 원심압축기의 초기 설계 과정에 있어서 일차원적인 설계 결과를 바탕으로 효율과 크기를 고려한 최적설계를 제시하여 초기 설계 단계에서 객관적인 최적화 설계를 제시하였다. 원심압축기의 최적화에 대하여 많은 연구가 진행되어왔다(Lee, 2007, Ha, 2011,). 하지만 임펠러의 형상을 최적화하는데만 초점이 맞춰져있다. 따라서 본 연구에서는 원심압축기 전체의 일차원적인 형상에 대한 최적화를 진행하였다. 최적화의 변수로는 임펠러 입구 상대마하수, 출구 유동각과 날개각 그리고 디퓨저의 반경비로 정하였고, 최적화의 방법으로는 공간자료의 예측 방법인 크리깅을 활용하였다. 최적화에 필요한 표본은 실험설계법에 따라 결정하였고, 설계공간에서 목적함수를 최소로 가지는 위치를 찾기 위해서 패턴탐색법을 이용하였다. 효율과 크기에 대한 가중치를 다양하게 적용하여 고려하는 가중치에 따라 설계 변화를 관찰하였다. 효율을 고려할수록 임펠러의 회전 속도는 느려지고, 임펠러 출구 날개각이 커지는 것을 확인할 수 있었다. 디퓨저의 반경비는 대부분의 경우에서 1.8~1.9사이의 값으로 결정되는 것을 확인하였는데, 그 이유는 짧은 디퓨저의 경우에 볼루트 손실이 증가하기 때문으로 나타났다. 또한, 임펠러 출구 유동각은 상대마하수 변화에 의해 압축기 전체 효율에 미치는 영향력이 달라지는 것을 확인할 수 있었다.요 약 i 목 차 v List of Tables vii List of Figures viii Nomenclature xii 1. 서 론 1 1.1 연구 배경 1 1.2 연구 동기 및 목적 2 2. 원심압축기 설계 프로그램 3 2.1 프로그램 설명 3 2.2 임펠러 설계 및 성능 예측 방법 5 2.2.1 직렬 두 요소 모델(TEIS Model) 6 2.2.2 두 영역 모델(Two-Zone Model) 7 2.3 베인리스 디퓨저 성능 예측 방법 9 2.4 볼루트 성능 예측 방법 11 3. 설계 프로그램 검증 18 3.1 설계 프로그램 검증 방법 18 3.2 수치 해석 및 결과 18 3.3 설계 결과 검증 20 4. 설계 경향 분석 26 4.1 임펠러 입구 상대마하수 26 4.2 임펠러 출구 유동각 28 4.3 임펠러 출구 날개각 29 4.4 디퓨저 반경비 30 4.5 볼루트 출구 마하수 30 5. 최적 설계 44 5.1 최적 설계 방법 44 5.2 크리깅(Kriging) 46 5.2.1 베리오그램(Veriogram) 47 5.3 패턴탐색법(Pattern Search Method) 49 6. 최적 설계 결과 56 7. 결 론 61 참고문헌 63 부 록 67 Abstract 86Maste

RF 스퍼터 공법을 이용하여 증착한 Hf0.5Zr0.5O2 박막의 강유전성 확인 및 원인 분석

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2016. 8. 황철성.HfO2 물질의 강유전성을 이용한 다양한 device application 들이 있다. 긴 역사를 갖는 FeRAM 을 서두로 transistor에서 활용되는 FeFET 이나 capacitance boost 를 야기하는 Negative Capacitance Effect, 또는 터널링을 이용한 Ferrolectric Tunnel Junction 등이 있다. HfO2 물질에서 강유전성을 나타내는 요인으로 비대칭적인 orthorhombic phase (Pca21) 형성을 이유로 들 수 있다. 일반적으로 상유전체 상인 monoclinic, tetragonal, cubic phase 와는 달리 이런 orthorhombic phase 가 형성되기 위해서는 특정 조건이 갖추어져야 하는데 외부적인 요인, 즉 quenching 으로 인한 stress나 doping 이 가해질 때 tetragonal phase 에서 orthorhombic phase 로 상전이를 일으킬 수 있다. 박막에서 orthorhombic phase를 좀 더 안정화 시키는 요인으로는 여러 가지가 있는데 grain size 로 인한 surface energy effect, oxygen vacancy contribution, 그리고 물리적인 stress 등을 중요 변수로 생각 하였고 RF sputtering 공법을 이용하여 이런 변수들을 조절 할 수 있을 때 가장 이상적인 HfO2 박막을 만들 수 있을 것이다. 많은 dopant를 이용해 만든 박막에 대한 문헌들이 많이 있었지만 조성 범위가 넓은 Zr을 dopant로 사용하였고 박막 두께가 ~10nm 일 때 가장 좋은 특성을 보여준 문헌 연구를 토대로 실험하였다. RF sputter 사용 시 많은 공정 변수들이 있는데 크게 박막 증착 시 공정 변수와 열처리 시 공정 변수를 나누었다. 또한 각각의 변수를 크게 세 범위로 나눠 가장 좋은 증착 조건을 형성 하였다. 135W/190W = HfO2/ZrO2 의 높은 파워를 사용하여 공정 압력은 가장 낮은 1mtorr로 고정 시키고 산소 분압을 3.3%, 2.5%, 1.67%, 그리고 0%로 나누어 실험을 진행하였고 deposition rate 가 판이하게 달라서 grain size 에 영향을 주었다. 결과적으로 grain size 가 작을 때 surface energy effect 효과에 의해서 monoclinic phase 가 불안정하게 형성되고 이것이 Zr 이 도핑된 HfO2 박막의 강유전성 구현에 영향을 주었다. 또한 in-plane strain 을 계산한 결과 orthorhombic phase 형성에 영향을 미치지 않을 정도로 큰 strain 이 걸리는 것을 확인 하였고 산소 열처리 전 후 XPS 결과를 확인 해 본 결과 열처리 후 박막의 oxygen vacancy 양이 미미하게 있을지는 모르나 그 차이는 크지 않은 것으로 판단 하였다. 따라서 grain size로 인한 surface energy effect 및 stress가 가장 큰 영향을 준 변수로 생각이 되고 누설전류 특성을 고려 하였을 때 HfO2/ZrO2 파워 135/190W, 산소분압 1.67%, 공정압력 1mtorr, 그리고 산소 열처리를 600oC에서 1분동안 하였을 때 ~20μc/cm2 에 가까운 2Pr 값을 확보 하였다.HfO2 is a dielectric material with a high dielectric constant, which provides an opportunity to replace the conventional Si as a gate dielectric material. Unlike conventional ferroelectrics with a perovskite structure, HfO2 shows unprecedented ferroelectric behavior that arises from a non-symmetric orthorhombic lattice structure when doped by various dopants. Such behavior has been experimentally shown when deposited as a thin film by various deposition method, including atomic layer deposition, pulsed laser deposition, sol-gel method, to name a few. It is expected that only under certain condition does HfO2 show ferroelectricity, and thus it is necessary to compare different deposition mechanisms and utilize the difference and experimental results to fully understand the atomic scale behavior of ferroelectricity within HfO2. In this paper, HfO2 was deposited using a RF sputtering method with Zr as a dopant. RF sputtering method is more favorable than atomic layer deposition method in terms of the cost and the deposition time. Since sputtering imposes stress on the film upon deposition process which could likely act as a driving force for the realization of the non-symmetric lattice structure, it is expected to provide optimum condition for phase transition. Also, Zr possesses similar chemical characteristic with similar size as Hf, which could lead to a favorable electrical behavior. HfO2 and ZrO2 oxide targets were co-sputtered simultaneously to fully provide the proper stoichiometry with O2 reactive gas to avoid oxygen deficiency within the film. The deposition conditions were varied with respect to reactive gas flow amount, power, working pressure, and annealing temperature. Zr doped HfO2 showed different switching behavior and the deposition condition was optimized to result in the best ferroelectric behavior. To fully understand how such condition could affect the ferroelectric behavior, structural analysis and chemical analysis were conducted. As a result, the optimized condition for 10nm Zr doped HfO2 using RF sputtering method was 130W and 195W for ZrO2 and HfO2 target power, respectively, with 1.33% of O2 reactive gas and 600oC annealing temperature for 1 minute under O2 ambience. Different ferroelectric behavior is believed to result from grain size difference and oxygen vacancy concentration.1. Introduction 11 2. Literature 14 2.1. Sputter Deposition Technique 14 2.2. Conventional Ferroelectric Materials 18 2.3. Properties of doped HfO2 and (Hf:Zr)O2 21 2.4. Other Factors to Influence the Ferroelectricity 27 3. Experimental 34 3.1. Oxide targets co-sputtering of thin (Hf:Zr)O2 film 34 3.2. Electrical Measurement and Structural Analysis 36 4. Experimental Results and Discussions 37 4.1. Realization of Ferroelectricity of Sputtered HZO film 37 4.2. Structural Analysis 45 4.3. Electrical Property 53 4.4. Morphology 66 4.5. Chemical Analysis 75 5. Conclusion 81 Reference 83 List of publications 84 Abstract (in Korean) 86Maste

A Study on the vibration analysis of a multi-rotor system using modified transfer matrix method

학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :기계설계학과,1997.Docto

서울시 OPEN 시스템의 영향분석 : 공무원과 시민을 중심으로

학위논문(석사)--서울대학교 행정대학원 :행정학과 정책학전공,2002.Maste

A Study on the Establishment and Operations of Joint University : Focusing on Chinese Cases

최근 합작학교 설립에 대한 논의가 이루어지고 있다. 본 연구는 합작학교 설립과 운영 방식에 있어 쟁점 가운데 하나인 합작하는 두 교육기관간 차이를 어떻게 해결할지에 관하여 다룬다. 국경을 초월한 고등교육에 대한 이론적 논의에 근거한 현지화와 표준화 구분을 바탕으로 중국의 합작학교 사례를 분석한다. 특히, 기존 현지화와 표준화 논의에서 부족했던 합작학교의 구성요소들의 현지화가 표준화가 어떻게 이루어지고 있는지에 분석의 초점을 둔다. 중국은 2003년부터 다양한 형태의 합작학교를 설립운영하고 있으며 합작학교 설립 운영에 있어 성공적인 모델로 평가받고 있다. 중국 합작학교 사례에 대한 분석은 합작학교 도입의 시작단계에 있는 우리나라 고등교육기관과 교육당국에 유의미한 시사점을 준다.Recently in South Korea, a plenty of issues surrounding establishing joint university with foreign university have been actively discussed. This study deals with an important but ignored issue of how two universities reconcile their differences when participating in a joint university. Based on standardization and indigenization models regarding transnational education, the study analyzes the cases of joint universities in China. A particular focus is on whether each of various components related to joint universities would be standardized or indigenized. Establishing and operating joint universities in China have been regarded as a successful model. Analyzing the Chinese cases would provide useful insights for higher education institutions and government in South Korea.본 연구는 한성대학교 교내학술연구비 지원과제

아리스토텔레스의 시간론 연구

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :철학과 서양철학전공,1998.Maste

공공기관 정보시스템 아웃소싱의 거래비용에 관한 연구

학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :행정학과,2008.2.Docto