Declining Block Lengths in South Koreas New Town Designs - Based on Residential Development Project Data From 1977 to 2021

본 연구는 시간의 흐름에 따른 우리나라 신도시 블록 크기 변화와 그에 영향을 미치는 요인 및 변화를 분석하는 것을 목적으로 한다. 연구대상은 1977~2021년까지의 택지지구 전수를 포함하였다. 블록 크기에 영향을 요인으로는 위치, 지구지정연도, 계획밀도, 토지이용에 해당하는 요인을 설정하고 분산분석과 회귀분석을 사용하여 블록 크기의 평균 차이와 각 요인의 유의성을 검토하였다. 블록 크기는 시간이 지남에 따라 전체적으로 감소하였으며 1985년, 2005년, 2010년을 기점으로 블록 크기가 유의하게 감소한 것으로 나타났다. This study measures changes in block size over time in new town designs across South Korea and identifies factors influencing these changes. Blocks are defined as pedestrian-accessible areas bordered by arterial roads and infrastructure boundaries, with block length calculated as the square root of the block area. The analysis uses residential development district data from 1977 to 2021, considering four factors: district location, year of designation, planned density, and land use at the block level. ANOVA and multiple regression models are used to assess block length changes and contributing factors. The findings show a general decrease in block length over time, with significant reductions in 1985, 2005, and 2010. Blocks designated after 2011 typically range from 230-250m in length, compared to around 400m for blocks designated before 1985. Blocks in the Seoul metropolitan area and those planned for multi-family housing and infrastructure tend to have larger lengths than others.N

STRETCHABLE SUBSTRATE, APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE STRETCHABLE SUBSTRATE

본 발명의 일실시예는 신축성 기판, 그 신축성 기판의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명의 실시예는 PDMS 소재로 열경화된 기판 본체의 내부에 UV 경화성 소재로 UV 경화된 보강 부재를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 신축성 기판은 신축성과 함께 찢김 강도(tear strength)를 충분히 확보할 수 있어 외부 충격에 의한 신축성 기판의 찌어짐을 방지할 수 있다.PDMS 소재로 형성된 기판 본체; 및 상기 기판 본체의 강도를 보강하기 위하여 상기 기판 본체의 내부에 구비되고, 고분자 사슬 구조의 UV 경화성 소재로 형성된 보강 부재;를 포함하며, 상기 기판 본체와 상기 보강 부재는 일체로 사출 성형되고, 상기 PDMS 소재는 열경화되며, 상기 UV 경화성 소재는 UV 경화되는 신축성 기판.PDMS 소재로 형성된 기판 본체; 및 상기 기판 본체의 강도를 보강하기 위하여 상기 기판 본체의 내부에 구비되고, 고분자 사슬 구조의 UV 경화성 소재로 형성된 보강 부재;를 포함하며, 상기 기판 본체와 상기 보강 부재는 일체로 사출 성형되고, 상기 PDMS 소재는 열경화되며, 상기 UV 경화성 소재는 UV 경화되는 신축성 기판.PDMS 소재로 형성된 기판 본체; 및 상기 기판 본체의 강도를 보강하기 위하여 상기 기판 본체의 내부에 구비되고, 고분자 사슬 구조의 UV 경화성 소재로 형성된 보강 부재;를 포함하며, 상기 기판 본체와 상기 보강 부재는 일체로 사출 성형되고, 상기 PDMS 소재는 열경화되며, 상기 UV 경화성 소재는 UV 경화되는 신축성 기판.PDMS 소재로 형성된 기판 본체; 및 상기 기판 본체의 강도를 보강하기 위하여 상기 기판 본체의 내부에 구비되고, 고분자 사슬 구조의 UV 경화성 소재로 형성된 보강 부재;를 포함하며, 상기 기판 본체와 상기 보강 부재는 일체로 사출 성형되고, 상기 PDMS 소재는 열경화되며, 상기 UV 경화성 소재는 UV 경화되는 신축성 기판.PDMS 소재로 형성된 기판 본체; 및 상기 기판 본체의 강도를 보강하기 위하여 상기 기판 본체의 내부에 구비되고, 고분자 사슬 구조의 UV 경화성 소재로 형성된 보강 부재;를 포함하며, 상기 기판 본체와 상기 보강 부재는 일체로 사출 성형되고, 상기 PDMS 소재는 열경화되며, 상기 UV 경화성 소재는 UV 경화되는 신축성 기판.PDMS 소재로 형성된 기판 본체; 및 상기 기판 본체의 강도를 보강하기 위하여 상기 기판 본체의 내부에 구비되고, 고분자 사슬 구조의 UV 경화성 소재로 형성된 보강 부재;를 포함하며, 상기 기판 본체와 상기 보강 부재는 일체로 사출 성형되고, 상기 PDMS 소재는 열경화되며, 상기 UV 경화성 소재는 UV 경화되는 신축성 기판.PDMS 소재로 형성된 기판 본체; 및 상기 기판 본체의 강도를 보강하기 위하여 상기 기판 본체의 내부에 구비되고, 고분자 사슬 구조의 UV 경화성 소재로 형성된 보강 부재;를 포함하며, 상기 기판 본체와 상기 보강 부재는 일체로 사출 성형되고, 상기 PDMS 소재는 열경화되며, 상기 UV 경화성 소재는 UV 경화되는 신축성 기판.PDMS 소재로 형성된 기판 본체; 및 상기 기판 본체의 강도를 보강하기 위하여 상기 기판 본체의 내부에 구비되고, 고분자 사슬 구조의 UV 경화성 소재로 형성된 보강 부재;를 포함하며, 상기 기판 본체와 상기 보강 부재는 일체로 사출 성형되고, 상기 PDMS 소재는 열경화되며, 상기 UV 경화성 소재는 UV 경화되는 신축성 기판

Method of manufacturing of CZTS-based absorber layer using metal and compound thin film

본 발명은 금속 및 화합물 박막 전구체를 이용한 CZTS계 광흡수층을 제작하고, 화합물 박막에 포함되어 있는 황(S)의 양에 따라 밴드갭 변화 특성을 갖는 광흡수층을 형성하는 공정 방법에 관한 것이다. 본 발명은 금속 전구체 형성 및 황-셀렌화 열처리를 통한 CZTS계 박막 태양전지의 일반적인 제조 방법의 개선 효과를 보이는 것으로, 금속 물질을 대체하는 황화금속 물질을 이용하여 전구체를 제작하고 셀렌화 열처리함으로써 밴드갭 제어가 용이하고, 균일한 광흡수층 형성하는 CZTSSe 박막 태양전지를 구현할 수 있다. 또한, 본 발명은 셀렌화 열처리를 통한 CZTS계 박막 태양전지, 그 제조 방법에 대한 것으로, 상세하게는 황화금속 물질의 대체 정도에 따라 광흡수층의 밴드갭 에너지를 효과적으로 제어하기 위함이다

Method of manufacturimg of CZTS-based thin film solar cell and CZTS-based thin film solar cell thereby

본 발명은 CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지를 제공하며, 구체적으로는, 600 ℃ 내지 1100 ℃에서 견딜 수 있는 기판 상에 전극을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 전극 상에, 광흡수층을 위한 전구체층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 전구체층을 600 ℃ 내지 1100 ℃에서 황화 공정 또는 셀렌화 공정을 수행하여 광흡수층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하되, 상기 단계 2의 수행 전 또는 수행 후에 Na 첨가 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 CZTS 박막 태양전지의 제조방법에 따르면, 600 ℃ 이상의 고온에서 광흡수층을 형성하기 때문에, 결정성이 향상되고 이에 따라 결함이 제거되어 개방전압과 단락전류의 손실을 최소화할 수 있는 효과가 있다. 나아가, 고온의 공정을 수행함에 따라 소다라임기판을 사용하지 않는 대신 Na을 첨가하는 공정을 포함함으로써, 광흡수층의 특성 향상 효과를 나타낼 수 있다.600 ℃ 내지 1100 ℃에서 견딜 수 있는 기판 상에 전극을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 전극 상에, 광흡수층을 위한 전구체층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 전구체층을 670 ℃ 내지 1100 ℃에서 황화 공정 또는 셀렌화 공정을 수행하여 광흡수층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하되, 상기 단계 2의 수행 전 또는 수행 후에 Na 첨가 공정을 수행하고, 상기 Na 첨가 공정은, 전극이 형성된 기판 또는 전구체 박막 및 전극이 형성된 기판을 NaOH 용액에 40 ℃ 내지 60 ℃의 온도에서 5 분 내지 30분 동안 침지시킴으로써 수행되고, 상기 NaOH 용액은 탈이온수에 대해 0.5 중량% 내지 1.12 중량%의 NaOH가 첨가된 것을 특징으로 하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4) 박막 태양전지의 제조방법

Method of manufacturimg of CZTS-based thin film solar cell and CZTS-based thin film solar cell thereby

본 발명은 CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 상에 후면전극을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 후면전극 상에 에너지빔을 조사하여 후면전극을 재결정화하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 후면전극 상에 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4) 광흡수층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 CZTS 박막 태양전지의 제조방법에 따르면, 후면전극을 재결정화함으로써 후면전극과 CZTS 박막 사이에 발생할 수 있는 계면화합물을 억제할 수 있어, 후면 전극 장벽을 낮춰서 정공의 흐름을 향상시키고, 소자의 직렬 저항을 개선해서 충진률(Fill Factor)을 향상시켜 전체적인 소자의 효율이 향상되는 효과가 있다. 또한, 후면전극의 재결정화가 에너지빔을 통하여 저온에서 수행되므로, 소다석회유리와 같이 광흡수층의 특성을 향상시킬 수 있는 기판을 사용할 수 있는 장점이 있다.기판 상에 몰리브덴을 포함하는 후면전극을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 후면전극 상에 1 keV 내지 4 keV의 파워를 갖는 에너지빔을 60초 동안 조사하여 후면전극을 재결정화하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 후면전극 상에 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4) 광흡수층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 CZTS 박막 태양전지의 제조방법

A preparation method of solar cell using ZnS buffer layer

본 발명은 후면전극에 황화아연 버퍼층을 적용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 후면전극과 금속 전구체층 사이에 황화아연 버퍼층을 도입하여 광흡수층을 형성함으로써 후면전극과 광흡수층 사이의 계면 제어를 통해 광전환 효율 및 전지특성이 향상된 박막 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법은 후면전극과 금속 전구체층 사이에 황화아연 버퍼층을 형성시킴으로써 계면에 발생하는 공극(void)을 감소시켜 보다 균일하고 조밀한 박막을 가질 수 있으며, 광흡수층 금속 전구체의 구성 원소(Cu, Zn, Sn)와 VI족 원소(Se,S)가 몰리브덴 후면전극으로 확산하는 것을 억제함으로써 광흡수층과 후면전극의 전기적 접합을 향상시켜 광전환 효율이 우수한 이점을 갖는다.a) 기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;b) 상기 후면전극 상에 황화아연 버퍼층을 표면 전체에 고르게 증착시켜 완전한 박막으로 형성하는 단계; 및c) 상기 황화아연 버퍼층 상에 금속 전구체층으로 Cu, Zn 및 Sn 원소를 별도로 형성하고 VI족 원소 함유 기체 분위기 하에서 열처리 공정을 거쳐 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는, 박막 태양전지의 제조방법

A Processing Apparatus for Manufacturing Thin Film Solar Cell and Method for Thermal Processing using the same

본 발명은 화합물 박막 태양전지 제조 장치 및 이를 이용한 열처리 공정 방법에 관한 것이다. 금속/ 금속-화합물 물질로 구성하고 있는 전구체를 셀렌화 및 황화 열처리 제조 시스템를 통하여 4원계 이상 화합물 흡수층 제작 열처리 공정 방법에 관한 것이다. 본 발명의 태양전지 제조 장치는 가압 챔버, 밀폐된 가압 챔버 내부에 결합되는 셀렌화 및 황화 열처리 트레이 및 기판 트레이로 구성되어 있으며, 보다 효율 적으로 열전달 및 화합물 결정 성장을 위한 열전달 플랭크가 배치되었다. 상기 트레이는 보다 효율적으로 칼코젠 원소를 효율적으로 공급함으로써 셀렌/황화 원소 비율이 조절이 용이하고, 셀레늄 및 황 증기와 불활성 기체를 챔버 내부에서 가열하여 열처리 공정시 전구체의 박막 결정 형성을 극대화 할 수 있다.하부 트레이;상기 하부 트레이 내에 안착될 수 있는 상부 트레이로서, 처리될 기판을 수용할 수 있는 하나 이상의 기판 수용 요부가 상부에 형성되어 있는 상부 트레이;상기 상부 트레이의 상부에 배치되어 상기 기판 수용 요부를 밀폐시키는 플랭크를 포함하고;이때 상기 하부 트레이는 트레이 바닥 및 상기 트레이 바닥으로부터 상방으로 연장하는 트레이 벽을 구비하고, 상기 트레이 벽부에 하나 이상의 공극이 형성되며, 상기 하부 트레이의 내부는 상기 하나 이상의 공극을 통해 상기 트레이 외부 환경과 서로 유체가 소통될 수 있게 연결되며,상기 상부 트레이의 기판 수용 요부는 기판 수용 요부 바닥 및 기판 수용 요부 벽을 구비하고, 상기 요부 벽의 두께는 처리될 기판의 두께보다 크며, 상기 기판 수용 요부 바닥 및 기판 수용 요부 벽 모두에 하나 이상의 공극이 형성되되 상기 하부 트레이와 상기 기판 수용 요부가 상기 하나 이상의 공극에 의해 서로 유체가 소통될 수 있게 연결되어 있는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지 제조 장치의 칼코젠 열처리 내부 장치

THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

본 기재는 기판, 기판, 제 1 전극, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층, 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극과 광흡수층의 계면에 MxSy또는 MxSey의 화합물층(여기서, M은 금속이며, x 및 y는 자연수임)이 존재하며, 상기 MxSy또는 MxSey의 화합물층의 두께가 150 nm이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지에 관한 것이다.기판, 제 1 전극, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층, 제 2 전극을 포함하는 박막 태양전지로서, 상기 제 1 전극과 광흡수층의 계면에 MxSy또는 MxSey의 화합물층(여기서, M은 금속이며, x 및 y는 자연수임)이 존재하며, 상기 MxSy또는 MxSey의 화합물층의 두께가 150 nm이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지

A stretchable electronic device and a method of preparing the same

본 기재는 신축성 전극(400)을 포함하는 전기 소자를 제조하는 방법으로서, 전극 재료를 용매에 분산시켜 잉크 용액을 준비하는 단계; 잉크젯 프린팅 공정에 의해 상기 잉크 용액을 신축성 기판(100) 상에 분사하여 신축성 전극(400)을 형성하는 단계를 포함하는, 방법에 관한 것이다.신축성 전극(400)을 포함하는 전기 소자를 제조하는 방법으로서, 전극 재료를 용매에 분산시켜 잉크 용액을 준비하는 단계;3 차원 패턴을 가지는 기판(200) 상에 희생층(300) 또는 지지층(310)을 코팅하는 단계; 잉크젯 프린팅 공정에 의해 상기 잉크 용액을 기판(200) 상에 분사하여 신축성 전극(400)을 형성하는 단계;임의로 상기 희생층(300)을 식각하는 단계;상기 기판(200)의 역상 패턴을 가지는 스탬프(120)를 기판(200)과 접촉시키는 단계;상기 기판(200)으로부터 스탬프(120)를 리프팅하여 상기 전극을 스탬프(120)로 전사시키는 단계; 및상기 스탬프(120)를 신축성 기판(100)과 접촉시킨 뒤, 스탬프(120)를 리프팅하여 신축성 기판(100)에 전극을 전사하는 단계를 포함하는, 방법.신축성 전극(400)을 포함하는 전기 소자를 제조하는 방법으로서, 전극 재료를 용매에 분산시켜 잉크 용액을 준비하는 단계;3 차원 패턴을 가지는 기판(200) 상에 희생층(300) 또는 지지층(310)을 코팅하는 단계; 잉크젯 프린팅 공정에 의해 상기 잉크 용액을 기판(200) 상에 분사하여 신축성 전극(400)을 형성하는 단계;임의로 상기 희생층(300)을 식각하는 단계;상기 기판(200)의 역상 패턴을 가지는 스탬프(120)를 기판(200)과 접촉시키는 단계;상기 기판(200)으로부터 스탬프(120)를 리프팅하여 상기 전극을 스탬프(120)로 전사시키는 단계; 및상기 스탬프(120)를 신축성 기판(100)과 접촉시킨 뒤, 스탬프(120)를 리프팅하여 신축성 기판(100)에 전극을 전사하는 단계를 포함하는, 방법.신축성 전극(400)을 포함하는 전기 소자를 제조하는 방법으로서, 전극 재료를 용매에 분산시켜 잉크 용액을 준비하는 단계;3 차원 패턴을 가지는 기판(200) 상에 희생층(300) 또는 지지층(310)을 코팅하는 단계; 잉크젯 프린팅 공정에 의해 상기 잉크 용액을 기판(200) 상에 분사하여 신축성 전극(400)을 형성하는 단계;임의로 상기 희생층(300)을 식각하는 단계;상기 기판(200)의 역상 패턴을 가지는 스탬프(120)를 기판(200)과 접촉시키는 단계;상기 기판(200)으로부터 스탬프(120)를 리프팅하여 상기 전극을 스탬프(120)로 전사시키는 단계; 및상기 스탬프(120)를 신축성 기판(100)과 접촉시킨 뒤, 스탬프(120)를 리프팅하여 신축성 기판(100)에 전극을 전사하는 단계를 포함하는, 방법.신축성 전극(400)을 포함하는 전기 소자를 제조하는 방법으로서, 전극 재료를 용매에 분산시켜 잉크 용액을 준비하는 단계;3 차원 패턴을 가지는 기판(200) 상에 희생층(300) 또는 지지층(310)을 코팅하는 단계; 잉크젯 프린팅 공정에 의해 상기 잉크 용액을 기판(200) 상에 분사하여 신축성 전극(400)을 형성하는 단계;임의로 상기 희생층(300)을 식각하는 단계;상기 기판(200)의 역상 패턴을 가지는 스탬프(120)를 기판(200)과 접촉시키는 단계;상기 기판(200)으로부터 스탬프(120)를 리프팅하여 상기 전극을 스탬프(120)로 전사시키는 단계; 및상기 스탬프(120)를 신축성 기판(100)과 접촉시킨 뒤, 스탬프(120)를 리프팅하여 신축성 기판(100)에 전극을 전사하는 단계를 포함하는, 방법.신축성 전극(400)을 포함하는 전기 소자를 제조하는 방법으로서, 전극 재료를 용매에 분산시켜 잉크 용액을 준비하는 단계;3 차원 패턴을 가지는 기판(200) 상에 희생층(300) 또는 지지층(310)을 코팅하는 단계; 잉크젯 프린팅 공정에 의해 상기 잉크 용액을 기판(200) 상에 분사하여 신축성 전극(400)을 형성하는 단계;임의로 상기 희생층(300)을 식각하는 단계;상기 기판(200)의 역상 패턴을 가지는 스탬프(120)를 기판(200)과 접촉시키는 단계;상기 기판(200)으로부터 스탬프(120)를 리프팅하여 상기 전극을 스탬프(120)로 전사시키는 단계; 및상기 스탬프(120)를 신축성 기판(100)과 접촉시킨 뒤, 스탬프(120)를 리프팅하여 신축성 기판(100)에 전극을 전사하는 단계를 포함하는, 방법.신축성 전극(400)을 포함하는 전기 소자를 제조하는 방법으로서, 전극 재료를 용매에 분산시켜 잉크 용액을 준비하는 단계;3 차원 패턴을 가지는 기판(200) 상에 희생층(300) 또는 지지층(310)을 코팅하는 단계; 잉크젯 프린팅 공정에 의해 상기 잉크 용액을 기판(200) 상에 분사하여 신축성 전극(400)을 형성하는 단계;임의로 상기 희생층(300)을 식각하는 단계;상기 기판(200)의 역상 패턴을 가지는 스탬프(120)를 기판(200)과 접촉시키는 단계;상기 기판(200)으로부터 스탬프(120)를 리프팅하여 상기 전극을 스탬프(120)로 전사시키는 단계; 및상기 스탬프(120)를 신축성 기판(100)과 접촉시킨 뒤, 스탬프(120)를 리프팅하여 신축성 기판(100)에 전극을 전사하는 단계를 포함하는, 방법.신축성 전극(400)을 포함하는 전기 소자를 제조하는 방법으로서, 전극 재료를 용매에 분산시켜 잉크 용액을 준비하는 단계;3 차원 패턴을 가지는 기판(200) 상에 희생층(300) 또는 지지층(310)을 코팅하는 단계; 잉크젯 프린팅 공정에 의해 상기 잉크 용액을 기판(200) 상에 분사하여 신축성 전극(400)을 형성하는 단계;임의로 상기 희생층(300)을 식각하는 단계;상기 기판(200)의 역상 패턴을 가지는 스탬프(120)를 기판(200)과 접촉시키는 단계;상기 기판(200)으로부터 스탬프(120)를 리프팅하여 상기 전극을 스탬프(120)로 전사시키는 단계; 및상기 스탬프(120)를 신축성 기판(100)과 접촉시킨 뒤, 스탬프(120)를 리프팅하여 신축성 기판(100)에 전극을 전사하는 단계를 포함하는, 방법.신축성 전극(400)을 포함하는 전기 소자를 제조하는 방법으로서, 전극 재료를 용매에 분산시켜 잉크 용액을 준비하는 단계;3 차원 패턴을 가지는 기판(200) 상에 희생층(300) 또는 지지층(310)을 코팅하는 단계; 잉크젯 프린팅 공정에 의해 상기 잉크 용액을 기판(200) 상에 분사하여 신축성 전극(400)을 형성하는 단계;임의로 상기 희생층(300)을 식각하는 단계;상기 기판(200)의 역상 패턴을 가지는 스탬프(120)를 기판(200)과 접촉시키는 단계;상기 기판(200)으로부터 스탬프(120)를 리프팅하여 상기 전극을 스탬프(120)로 전사시키는 단계; 및상기 스탬프(120)를 신축성 기판(100)과 접촉시킨 뒤, 스탬프(120)를 리프팅하여 신축성 기판(100)에 전극을 전사하는 단계를 포함하는, 방법

A method for preparing CZTS solar cell by controlling bandgap of abosorbance layer

본 발명은 금속 전구체를 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및 도펀트 물질로 상기 광흡수층을 도핑하는 열처리 단계를 포함하는 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 상기 열처리 단계를 통하여, 박막 태양전지의 광흡수층이 최적의 효울을 나타내는 밴드갭을 가지도록 조절하는, 박막 태양전지 제조방법 및 제조된 박막 태양전지에 관한 것이다.금속 전구체를 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및GeS 및 GeSe 중에서 선택되는 적어도 하나의 도펀트 물질로 상기 광흡수층을 도핑하는 황화 열처리 단계를 포함하는 박막 태양전지 제조방법으로서, 상기 열처리 단계는 2 구역 퍼니스(2-zone furnace) 내에서 이루어지고, 퍼니스의 제 1 구역에는 황 소스가 위치하고, 제 1 구역 보다 높은 온도를 가지는 퍼니스의 제 2 구역에는 도펀트 물질과 상기 광흡수층이 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법